HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Nom De La Marque: | Hoan |
| Numéro De Modèle: | HACC100S10V101 |
| Quantité Minimale De Commande: | 10 |
| Conditions De Paiement: | LC, D/P, D/A, T/T, Western Union |
HACC100S10V101 condensateur à puce céramique à couche unique bordée (10pF,100V)
Qu'est-ce qu'un condensateur à couche unique bordé d'un seul côté (marge)?
Dans les circuits intégrés hybrides à micro-ondes à haute densité (CI), les ingénieurs sont confrontés à un défi d'assemblage commun: lors de la fixation de matrices, l'époxy d'argent conducteur (tel que H20E) peut se vider,se glisser sur les côtés du condensateur de la puce, et le pont avec l'électrode supérieure, provoquant un court-circuit catastrophique.
Le HACC100S10V101 résout ce problème avec sa conception à bordure (marge) unilatérale.la surface supérieure est constituée d'une électrode centrale en or de haute pureté (TiW-Au) entourée d'uneCe cadre en céramique exposée agit comme une barrière physique, bloquant efficacement tout écoulement d'époxy de contacter l'électrode supérieure active,garantie d'une adhérence sans défaut lors de l'assemblage automatisé.
Matériau et structure de métallisation à film mince
Le HACC100S10V101 est équipé d'un système de métallisation à film mince multicouche haut de gamme pour assurer une fiabilité à long terme sous des contraintes thermiques et mécaniques sévères:
•Électrode supérieure:TiW-Au (titane-tungstène / or) d'une épaisseur totale en or de≥ 2,5 μm Min. Cette couche d'or épaisse et de haute pureté est optimisée pour une liaison thermosonique de fil d'or à haute fiabilité (liaison au fil).
•Électrode inférieure:TiW-Pt-Au (titane-tungstène / platine / or) d'une épaisseur totale de≥ 2,5 μm Min. L'inclusion d'une couche de barrière en platine (Pt) empêche la migration intermétallique de l'argent vers l'or lors de l'utilisation d'époxies conductrices d'argent, assurant une adhérence maximale.
Les dimensions
Les spécifications techniques (HACC100S10V101)
| Paramètre technique | Valeur de spécification | Épreuve/conditions environnementales |
| Numéro de la partie | Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. | |
| Style du condensateur | Puce en céramique à couche unique (SLC) | Type à bordure à un seul côté (marge) |
| Capacité | 10 pF ± 10% | Mesure @ 1 kHz, 1 Vrms, 25°C, pas de distorsion DC |
| Voltage nominal | 100 VDC | Marge de fiabilité à haute tension |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C à +125°C | Il est entièrement conforme aux normes tactiques. |
| Système de métallisation supérieure | TiW-Au (Au > 2,5 um Min) | Soudables et liable au fil |
| Système de métallisation du fond | Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide acétique (ou d'acide acétique). | Excellente compatibilité avec l'époxy conducteur |
| Capacité de fréquence | Optimisé pour la bande GHz | ESR et ESL ultra-faibles dans les bandes micro-ondes |
Meilleures pratiques en matière d'assemblage et de liaison de fil d'or
Pour obtenir un rendement d'assemblage optimal lors de l'intégration du HACC100S10V101 dans vos modules RF:
1.Conducteur d'époxy:
•Il est fortement recommandé d'utiliser une époxy argent conducteur (p. ex. H20E).
•Profil de cuisson/de durcissement recommandé: cuire à 120°C pendant 30 minutes pour assurer une solidité mécanique et électrique.
2. Marge de coupure de fil d'or:
•Pour éviter le micro-craquage de la céramique ou la délamination du film d'or lors de la liaison thermosonique,la boule/clone de collage doit être placée à au moins 25 μm du bord extérieur du tampon en or.
3- La force de placement:
•Maintenez la force de prise et de pose de la buse sous contrôle pour éviter une contrainte localisée sur le corps en céramique à une seule couche.
Applications typiques de micro-ondes à haute fréquence
•Les petites cellules 5G et 6G à ondes millimétriques (mmWave)
• Émetteurs-récepteurs optoélectroniques (modules SFP/QSFP 100G/400G)
•Amplificateurs RF de haute puissance GaAs, GaN et InP (bypass et découplage)
•LNA (Amplificateur de faible bruit) Circuits de blocage en courant continu
•Communications par satellite (Satcom) et avionique tactique
