HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Markenname: | Hoan |
| Modellnummer: | HACC100S10V101 |
| Mindestbestellmenge: | 10 |
| Zahlungsbedingungen: | L/C, D/P, D/A, T/T, Western Union |
HACC100S10V101 Randierte einlagige Keramik-Chip-Kondensatoren (10pF, 100V)
Was ist ein einseitig randierter (mit Rand) einlagiger Kondensator?
In hochdichten Mikrowellen-Hybrid-Integrierkreisen (ICs) stehen Ingenieure vor einer gemeinsamen Montageherausforderung: Während der Die-Befestigung kann leitfähiger Silber-Epoxidharz (wie H20E) ausbluten, an den Seiten des Chip-Kondensators hochkriechen und mit der oberen Elektrode eine Brücke bilden, was zu einem katastrophalen Kurzschluss führt.
Der HACC100S10V101 löst dieses Problem mit seinem einseitig randierten (Rand-)Design. Wie im Produktbild gezeigt, besteht die Oberfläche aus einer zentralen hochreinen Goldelektrode (TiW-Au), die von einem präzisen, nicht metallisierten dunklen Keramikrand (Rand) umgeben ist. Dieser freiliegende Keramikrahmen wirkt als physische Barriere und blockiert effektiv jegliches Ausbluten des Epoxidharzes, das die aktive obere Elektrode berührt, und garantiert so eine fehlerfreie Verbindung während der automatisierten Montage.
Material- und Dünnschicht-Metallisierungsstruktur
Der HACC100S10V101 verfügt über ein hochwertiges, mehrschichtiges Dünnschicht-Metallisierungssystem, um eine langfristige Zuverlässigkeit unter schweren thermischen und mechanischen Belastungen zu gewährleisten:
•Obere Elektrode: TiW-Au (Titan-Wolfram / Gold) mit einer Gesamtdickte von Gold von ≥ 2,5 µm Min. Diese dicke, hochreine Goldschicht ist für hochzuverlässige thermosonische Golddrahtbondungen (Au-Drahtbondung) optimiert.
•Untere Elektrode: TiW-Pt-Au (Titan-Wolfram / Platin / Gold) mit einer Gesamtdickte von ≥ 2,5 µm Min. Die Einbeziehung einer Platin (Pt) Sperrschicht verhindert die Migration von Silber-zu-Gold-Intermetallverbindungen bei Verwendung von leitfähigen Silber-Epoxidharzen und gewährleistet maximale Haftung.
Abmessungen
Technische Spezifikationen (HACC100S10V101)
| Technischer Parameter | Spezifikationswert | Test-/Umgebungsbedingungen |
| Teilenummer | HACC100S10V101 | |
| Kondensator-Stil | Einlagiger Keramik-Chip (SLC) | Einseitig randierter Typ (Rand) |
| Kapazität | 10 pF±10% | Gemessen bei 1kHz, 1Vrms, 25°C, keine DC-Vorspannung |
| Nennspannung | 100VDC | Hochspannungs-Zuverlässigkeitsreserve |
| Betriebstemperaturbereich | -55°C bis +125°C | Vollständig konform mit taktischen Qualitätsstandards |
| Obere Metallisierungs-System | TiW-Au (Au > 2,5 um Min) | Lötbar und drahtbondbar |
| Untere Metallisierungs-System | TiW-Pt-Au (Au > 2,5 um Min) | Hervorragende Kompatibilität mit leitfähigen Epoxidharzen |
| Frequenzfähigkeit | Optimiert für GHz-Band | Ultra-niedrige ESR und ESL in Mikrowellenbändern |
Best Practices für Montage und Golddrahtbondung
Um eine optimale Ausbeute bei der Integration des HACC100S10V101 in Ihre HF-Module zu erzielen:
1.Leitfähige Epoxidharz-Die-Befestigung:
•Die Montage mit leitfähigem Silber-Epoxidharz (z. B. H20E) wird dringend empfohlen.
•Empfohlenes Back-/Härtungsprofil: 30 Minuten bei 120°C backen, um eine robuste mechanische und elektrische Verbindung zu gewährleisten.
2.Drahtbondungskeilrand:
•Um Mikrorisse der Keramik oder Delamination des Goldfilms während der thermosonischen Drahtbondung zu vermeiden, muss der Bondball/Keil mindestens 25 µm vom äußeren Rand des Goldpads entfernt platziert werden.
3.Die-Platzierungskraft:
•Halten Sie die Kraft der Pick-and-Place-Düse kontrolliert, um lokalisierte Spannungen auf dem einlagigen Keramikkörper zu vermeiden.
Typische Hochfrequenz-Mikrowellenanwendungen
•5G & 6G Millimeterwellen (mmWave) Small Cells
•Optoelektronische Transceiver (100G/400G SFP/QSFP-Module)
•GaAs, GaN & InP Hochleistungs-HF-Verstärker (Bypass & Entkopplung)
•LNA (Low Noise Amplifier) DC-Blockierschaltungen
•Satellitenkommunikation (Satcom) und taktische Avionik
