HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HACC100S10V101 |
| MOQ: | 10 |
| Termini di pagamento: | L/C,D/P,D/A,T/T,Western Union |
HACC100S10V101 condensatore a chip ceramico a strato singolo a bordo (10pF,100V)
Che cos'è un condensatore a strato singolo a bordo (margine) unilaterale?
Nei circuiti integrati ibridi a microonde ad alta densità (IC), gli ingegneri devono affrontare una sfida di assemblaggio comune: durante il montaggio, l'epossidio d'argento conduttivo (come H20E) può sanguinare,Incrollare i lati del condensatore del chip, e il ponte con l'elettrodo superiore, causando un corto circuito catastrofico.
L'HACC100S10V101 risolve questo problema con il suo Disegno a Margine unilaterale.la superficie superiore è costituita da un elettrodo centrale in oro di alta purezza (TiW-Au) circondato da unQuesto telaio di ceramica esposto funge da barriera fisica, bloccando efficacemente qualsiasi fuoriuscita di epossidi dal contatto con l'elettrodo superiore attivo,garantendo un legame senza difetti durante l'assemblaggio automatizzato.
Materiale e struttura di metallizzazione a pellicola sottile
L'HACC100S10V101 è dotato di un sistema di metallizzazione a film sottile multicapa di qualità superiore per garantire l'affidabilità a lungo termine sotto forti sollecitazioni termiche e meccaniche:
•Elettrodo superiore:TiW-Au (Titanio-Tungsteno / Oro) con uno spessore totale di oro di≥ 2,5 μm Min. Questo strato di oro spesso e di alta purezza è ottimizzato per un legame termossonico di filo d'oro ad alta affidabilità (legame di filo Au).
•Elettrodo inferiore:TiW-Pt-Au (Titanio-Tungsteno / Platino / Oro) con uno spessore complessivo di≥ 2,5 μm Min. L'inclusione di uno strato di barriera in platino (Pt) impedisce la migrazione intermetallica tra argento e oro quando si utilizzano epossidi conducenti d'argento, garantendo la massima adesione.
Dimensioni
Specificativi tecnici (HACC100S10V101)
| Parametro tecnico | Valore di specifica | Prova/condizioni ambientali |
| Numero della parte | HACC100S10V101 | |
| Stile del condensatore | Chip in ceramica a uno strato (SLC) | Tipo con bordo unilaterale (margine) |
| Capacità | 10 pF±10% | Misurato @ 1kHz, 1Vrms, 25°C, senza DCBias |
| Tensione nominale | 100VDC | Margine di affidabilità dell'alta tensione |
| Intervallo di temperatura di esercizio | -55°C a +125°C | Completamente conforme agli standard tattici |
| Sistema di metallizzazione superiore | TiW-Au (Au > 2,5 um Min) | Saldati e legati al filo |
| Sistema di metallizzazione di fondo | TiW-Pt-Au (Au > 2,5 um Min) | Eccellente compatibilità con l'epossidio conduttivo |
| Capacità di frequenza | Ottimizzato per la banda GHz | ESR e ESL ultra-bassi a bande a microonde |
Le migliori pratiche di assemblaggio e legatura del filo d'oro
Per ottenere un rendimento ottimale di assemblaggio quando si integra l'HACC100S10V101 nei moduli RF:
1.Epoxide conduttivo adesivo:
•È fortemente raccomandato il montaggio con epoxi d'argento conduttivo (ad esempio H20E).
•Profilo di cottura raccomandato: cottura a 120°C per 30 minuti per garantire un'attaccatura meccanica ed elettrica robusta.
2- Margine di legame del filo d'oro:
•Per evitare la microcraccatura della ceramica o la delaminazione della pellicola d'oro durante il legame termossonico,la sfera/cunea di incollaggio deve essere posizionata a una distanza di almeno 25 μm dal bordo esterno del pad d'oro.
3- Forza di collocamento:
•Mantenere controllata la forza dell'ugello per prevenire lo stress localizzato sul corpo in ceramica a uno strato.
Applicazioni tipiche di microonde ad alta frequenza
• 5G e 6G piccole celle a onda millimetrica (mmWave)
• Trasmettitori ottoelettronici (100G/400G moduli SFP/QSFP)
•Amplificatori RF ad alta potenza GaAs, GaN e InP (bypass e decoppiamento)
•LNA (Low Noise Amplifier) Circuiti di blocco della corrente continua
•Comunicazioni satellitari (Satcom) e avionica tattica
