HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC100S10V101 |
| Quantidade mínima: | 10 |
| Condições de pagamento: | L/C,D/P,D/A,T/T,Western Union |
HACC100S10V101 Capacitor de chip cerâmico de camada única (10pF,100V)
O que é um condensador de camada única de borda (margem) unilateral?
Em circuitos integrados híbridos de microondas de alta densidade (ICs), os engenheiros enfrentam um desafio comum de montagem: durante a fixação da matriz, o epóxi de prata condutor (como o H20E) pode sangrar,rastejar para cima os lados do condensador chip, e ponte com o elétrodo superior, causando um curto-circuito catastrófico.
O HACC100S10V101 resolve este problema com o seu design de borda (margem) unilateral.a superfície superior é constituída por um elétrodo central de ouro de alta pureza (TiW-Au) cercado por umEsta estrutura de cerâmica exposta atua como uma barreira física, bloqueando efetivamente qualquer sangramento de epoxi de entrar em contacto com o elétrodo superior ativo,Garantia de ligação sem defeitos durante a montagem automatizada.
Material e estrutura de metalização de filme fino
O HACC100S10V101 possui um sistema de metalização de película fina de várias camadas de alta qualidade para garantir a fiabilidade a longo prazo sob tensões térmicas e mecânicas severas:
• Eletrodo superior:TiW-Au (Titanio-Tungsténio / Ouro) com uma espessura global de ouro de≥ 2,5 μm Min. Esta camada de ouro espessa e de alta pureza é otimizada para a ligação de arame de ouro termo-sônico de alta fiabilidade (ligação de arame Au).
• Eletrodo inferior:TiW-Pt-Au (Titanio-Tungsténio / Platina / Ouro) com uma espessura global de≥ 2,5 μm Min. A inclusão de uma camada de barreira de platina (Pt) impede a migração intermetálica de prata para ouro quando se utilizam epoxies condutoras de prata, garantindo a máxima adesão.
Dimensões
Especificações técnicas (HACC100S10V101)
| Parâmetro técnico | Valor de especificação | Teste/condições ambientais |
| Número da parte | HACC100S10V101 | |
| Estilo do condensador | Chip cerâmico de camada única (SLC) | Tipo de borda (margem) unilateral |
| Capacidade | 10 pF±10% | Medido @ 1kHz, 1Vrms, 25°C, sem DCBias |
| Voltagem nominal | 100VDC | Margem de fiabilidade de alta tensão |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | -55°C a +125°C | Compete plenamente aos padrões de nível tático |
| Sistema de metalização superior | TiW-Au (Au > 2,5 um Min) | Soldáveis e ligáveis a fios |
| Metalização de fundo | TiW-Pt-Au (Au > 2,5 um Min) | Excelente compatibilidade com o epoxi condutor |
| Capacidade de frequência | Otimizado para banda GHz | ESR e ESL ultra-bajos em faixas de microondas |
As melhores práticas de montagem e ligação de fios de ouro
Para obter um rendimento de montagem ideal ao integrar o HACC100S10V101 nos seus módulos de RF:
1.Epoxi condutor:
• Recomenda-se fortemente a montagem com epoxi de prata condutora (por exemplo, H20E).
• Perfil de cozimento/curagem recomendado: cozer a 120°C durante 30 minutos para garantir uma fixação mecânica e elétrica robusta.
2Margem de ligação de fio de ouro:
•Para evitar o micro-quebra-cabeça da cerâmica ou a delaminação da película de ouro durante a ligação termo-sônica de fios,a bola/quebra de ligação deve ser colocada a uma distância mínima de 25 μm da borda exterior da almofada de ouro.
3- Força de colocação:
•Mantenha controlada a força da bocal para evitar tensões localizadas no corpo cerâmico de uma única camada.
Aplicações típicas de microondas de alta frequência
•Células pequenas de onda milimétrica (mmWave) 5G e 6G
• Transmissores ópticos eletrónicos (módulos SFP/QSFP 100G/400G)
•Amplificadores de RF de alta potência GaAs, GaN e InP (bypass e desacoplamento)
•Circuitos de bloqueio de corrente contínua LNA (Low Noise Amplifier)
•Comunicações por satélite (Satcom) e Aviónica Táctica
