HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HACC100S10V101 |
| MOQ: | 10 |
| Betalingsvoorwaarden: | L/C, D/P, D/A, T/T, Western Union |
HACC100S10V101 Gelimiteerde eenlaagse keramische chipcapacitor (10pF,100V)
Wat is een eenzijdig begrensde (marge) eenlaagcapacitor?
In hybride microwave-integrated circuits (IC's) met een hoge dichtheid worden ingenieurs geconfronteerd met een gemeenschappelijke assemblage-uitdaging: bij het bevestigen van de matrijzen kan geleidende zilvere epoxy (zoals H20E) uitbloeden,kruipen de zijkanten van de chip condensator, en brug met de bovenste elektrode, wat een catastrofale kortsluiting veroorzaakt.
De HACC100S10V101 lost dit op met zijn eenzijdig begrensd (marge) ontwerp.het bovenste oppervlak bestaat uit een centrale hoogzuivere goudelektrode (TiW-Au) omgeven door een preciezeDit blootgestelde keramische frame fungeert als een fysieke barrière en blokkeert effectief elke epoxy-bloeding van contact met de actieve bovenste elektrode.garantie voor een foutloze binding tijdens de geautomatiseerde montage.
Materiaal & dunne-film metallisatie structuur
De HACC100S10V101 is voorzien van een hoogwaardig, meerlagig dunnefilmmetallisatiesysteem om de betrouwbaarheid op lange termijn te garanderen onder ernstige thermische en mechanische belastingen:
•Bovenste elektrode:TiW-Au (Titanium-Tungsten / Goud) met een totale gouddikte van≥ 2,5 μm Min. Deze dikke, hoogzuivere goudlaag is geoptimaliseerd voor hoog betrouwbare thermosonische gouddraadbinding (Au draadbinding).
•Bodemelektrode:TiW-Pt-Au (Titanium-Tungsten / Platina / Goud) met een totale dikte van≥ 2,5 μm Min. De opneming van een platina (Pt) barrièrelaag voorkomt bij het gebruik van zilvergeleidende epoxies een intermetalen migratie van zilver naar goud en zorgt voor maximale hechting.
Afmetingen
Technische specificaties (HACC100S10V101)
| Technische parameter | Specificatiewaarde | Test/omgevingsomstandigheden |
| Deelnummer | HACC100S10V101 | |
| Capacitorstijl | Eenlaagse keramische chip ((SLC)) | Eenzijdige rand (marge) |
| Capaciteit | 10 pF±10% | Gecontroleerd @ 1kHz, 1Vrms, 25°C, geen DCBias |
| Nominale spanning | 100VDC | Hoogspanningsbetrouwbaarheid |
| Werktemperatuurbereik | -55°C tot +125°C | Volledig in overeenstemming met de Tactical-grade-normen |
| Topmetallisatiesysteem | TiW-Au (Au > 2,5 um Min) | Soldeerbaar en draadbindbaar |
| Onderste metallisatiesysteem | TiW-Pt-Au (Au > 2,5 um Min) | Uitstekende geleidende epoxy-compatibiliteit |
| Frequentiecapaciteit | Geoptimaliseerd voor GHz-band | Ultralage ESR en ESL bij microgolfbanden |
Best Practices voor montage en banden met gouddraad
Om een optimale assemblageopbrengst te bereiken bij het integreren van de HACC100S10V101 in uw RF-modules:
1.Leidende epoxy-verbinding:
•Montage met geleidende zilvere epoxy (bv. H20E) wordt sterk aanbevolen.
•Aanbevolen bakprofiel: bak 30 minuten bij 120°C om een robuuste mechanische en elektrische bevestiging te garanderen.
2.Gouddraad Binding Wedge Marge:
•Om te voorkomen dat de keramiek micro-kraakt of dat de gouden folie tijdens thermosonische draadbinding wordt gedelamineerd,de bindbal/wieg moet ten minste 25 μm van de buitenste rand van het gouden pad worden geplaatst.
3- Die Placement Force:
•Houd de kracht van de spuitstukken onder controle om te voorkomen dat de eenlaagse keramische carrosserie wordt belast.
Typische toepassingen voor hoogfrequente magnetronen
•5G en 6G Millimeter-Wave (mmWave) kleine cellen
•Opto-elektronische transceivers (100G/400G SFP/QSFP-modules)
•GaAs, GaN en InP hoogvermogende RF-versterkers (bypass & decoupling)
•LNA (Low Noise Amplifier) DC-blokkeringscircuits
• Satellietcommunicatie (Satcom) en Tactische Avionica
