Capacitador de capa única bordeado 10pF 100V Capacitador ESR bajo TiW-Au Metallización

Condensador Cerámico de Chip de una Sola Capa con Borde HACC100S10V101 (10pF, 100V)

¿Qué es un condensador de una sola capa con borde (margen) de un solo lado?

En circuitos integrados (CI) híbridos de microondas de alta densidad, los ingenieros se enfrentan a un desafío común de ensamblaje: durante la unión del chip, el epoxi plateado conductor (como el H20E) puede salirse, trepar por los lados del condensador de chip y unirse con el electrodo superior, provocando un cortocircuito catastrófico.

El HACC100S10V101 resuelve esto con su diseño de borde (margen) de un solo lado. Como se muestra en la imagen del producto, la superficie superior consta de un electrodo central de oro de alta pureza (TiW-Au) rodeado por un borde cerámico oscuro preciso y no metalizado (margen). Este marco cerámico expuesto actúa como una barrera física, bloqueando eficazmente cualquier fuga de epoxi de entrar en contacto con el electrodo superior activo, garantizando uniones sin defectos durante el ensamblaje automatizado.

Estructura de Material y Metalización de Película Delgada
El HACC100S10V101 presenta un sistema de metalización de película delgada multicapa de primera calidad para garantizar la fiabilidad a largo plazo bajo severas tensiones térmicas y mecánicas:

•Electrodo Superior: TiW-Au (Titanio-Tungsteno / Oro) con un espesor total de oro de ≥ 2.5 µm Mín. Esta capa de oro gruesa y de alta pureza está optimizada para la unión de hilos de oro termasónicas de alta fiabilidad (unión de hilos de Au).
•Electrodo Inferior: TiW-Pt-Au (Titanio-Tungsteno / Platino / Oro) con un espesor total de ≥ 2.5 µm Mín. La inclusión de una capa barrera de platino (Pt) evita la migración intermetálica de plata a oro cuando se utilizan epoxis plateados conductores, garantizando la máxima adhesión.

Dimensiones

Especificaciones Técnicas (HACC100S10V101)

Mejores Prácticas de Ensamblaje y Unión de Hilos de Oro

Para lograr un rendimiento óptimo del ensamblaje al integrar el HACC100S10V101 en sus módulos de RF:

1.Unión de Chip con Epoxi Conductor:
•Se recomienda encarecidamente el montaje con epoxi plateado conductor (por ejemplo, H20E).
•Perfil de Horneado/Curado Recomendado: Hornear a 120°C durante 30 minutos para garantizar una unión mecánica y eléctrica robusta.
2.Margen de Cuña para Unión de Hilos de Oro:
•Para evitar microfisuras en la cerámica o delaminación de la película de oro durante la unión de hilos termasónicas, la bola/cuña de unión debe colocarse al menos a 25 µm del borde exterior de la almohadilla de oro.
3.Fuerza de Colocación del Chip:
•Mantenga la fuerza de la boquilla de recogida y colocación controlada para evitar tensiones localizadas en el cuerpo cerámico de una sola capa.

Aplicaciones Típicas de Microondas de Alta Frecuencia
•Celdas Pequeñas de Onda Milimétrica (mmWave) 5G y 6G
•Transceptores Optoelectrónicos (Módulos SFP/QSFP de 100G/400G)
•Amplificadores de RF de Alta Potencia GaAs, GaN e InP (Bypass y Desacoplo)
•Circuitos de Bloqueo de CC de LNA (Amplificador de Bajo Ruido)
•Comunicaciones por Satélite (Satcom) y Aviónica Táctica