HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HACC100S10V101 |
| MOQ: | 10 |
| 支払い条件: | L/C、D/P、D/A、T/T、ウェスタンユニオン |
HACC100S10V101 境界単層セラミックチップコンデンサ (10pF,100V)
単面の境界 (マージン) の単層コンデンサータとは?
高密度マイクロ波ハイブリッド集積回路 (IC) では,エンジニアは 組み立ての課題に直面しています.チップコンデンサターの側面をクレイプ壊滅的なショートサーキットを 引き起こします
HACC100S10V101は,単面の境界設計でこれを解決します.上面は,高純度金電極 (TiW-Au) を中心に設置し,その周りを精密な電極で囲みます.この露出したセラミックフレームは物理的な障壁として機能し,エポキシ出血が活性な上電極に接触するのを効果的にブロックします.自動組み立ての際に無欠陥結合を保証する.
材料と薄膜金属化構造
HACC100S10V101は,高級な多層薄膜金属化システムを搭載し,激しい熱力および機械的なストレスの下で長期間の信頼性を保証します.
・トップ電極:TiW-Au (チタン・トングスタン/ゴールド) 総金厚さ≥ 2.5 μm Min.この厚くて高純度な金層は,高信頼性の熱音波金線結合 (Au線結合) に最適化されている.
•底電極:TiW-Pt-Au (チタン・トングスタン/プラチナ/金) 総厚さ≥ 2.5 μm Min.プラチナ (Pt) の壁層を組み込むことで,銀の伝導性エポキシを使用する際に銀から金への金属間移動を防止し,最大的粘着性を確保する.
サイズ
技術仕様 (HACC100S10V101)
| 技術パラメータ | 仕様値 | 試験/環境条件 |
| 部分番号 | HACC100S10V101 | |
| コンデンサータ スタイル | 単層セラミックチップ (SLC) | 単面の境界型 (マージン) |
| 容量 | 10 pF±10% | 測定 @ 1kHz, 1Vrms, 25°C,DCBiasがない |
| 定位電圧 | 100VDC | 高電圧の信頼性限界 |
| 動作温度範囲 | -55°Cから+125°C | 完全には戦術基準を満たしている |
| トップ金属化システム | TiW-Au (Au > 2.5um Min) | 溶接可能 ワイヤー結合可能 |
| 底部金属化システム | TiW-Pt-Au (Au > 2.5um Min) | 優れた伝導性エポキシ相容性 |
| 周波数能力 | GHz帯域に最適化 | マイクロ波帯での超低ESRとESL |
アセンブリ&ゴールドワイヤー結合 ベストプラクティス
HACC100S10V101をRFモジュールに組み込むときに最適な組立出力を達成するために:
1. 導電性エポキシ型ダイアアサック:
導電性銀エポキシ (例えばH20E) を用いたマウントが強く推奨されます.
•推奨焼/固化プロフィール: 機械的および電気的な固定を確実にするために120°Cで30分焼く.
2金線結合クエージマージン:
熱音波線結合中に陶器の微細裂け目や金膜の脱層を防ぐため粘着ボール/クインは金パッドの外縁から少なくとも25 μm離れた場所に配置しなければならない..
3配備部隊:
単層セラミックボディに局所的なストレスを防止するために,ピックアンドポジションノズルの力を制御してください.
典型的な高周波マイクロ波用途
•5Gと6G ミリメートル波 (mmWave) の小さな細胞
•光電子トランシーバー (100G/400G SFP/QSFP モジュール)
•GaAs,GaN&InP 高功率 RF アンプリファイター (バイパス&デカップリング)
•LNA (低騒音増幅器) DCブロック回路
•衛星通信 (Satcom) と戦術航空機器
