Detalles de los productos

Created with Pixso. Hogar Created with Pixso. Productos Created with Pixso.
Condensadores MOS
Created with Pixso.

Capacitador de unión de alambre de paso de capacidad fina de ESR ultrabaja afinado con precisión Capacitador de alta capacidad para múltiples gigabits

Capacitador de unión de alambre de paso de capacidad fina de ESR ultrabaja afinado con precisión Capacitador de alta capacidad para múltiples gigabits

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC-PERSONALIZADO
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: LC, D/A, D/P, T/T, Unión Occidental
Información detallada
Lugar de origen:
Shanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Densidad de trampa de interfaz:
1e10 cm^-2 eV^-1
Tipo de paquete:
Forma de troquel
Tipo de sustrato:
Silicio tipo P
Corriente de fuga:
1 nA
Voltaje de ruptura:
10 V
Rango de frecuencia:
1kHz a 1MHz
Anchura de la puerta:
10 micras
Rango de temperatura:
-40°C a 125°C
Concentración de dopaje de sustrato:
1e15cm^-3
Capacidad:
1 PF
Longitud de la puerta:
1 μm
grueso del óxido:
10nm
Tensión de funcionamiento:
0 - 5 V
Material de puerta:
Polisilicona
Material dieléctrico:
Dióxido de silicio (SiO2)
Resaltar:

Capacitador de unión de alambre de paso de capacidad fina

,

Capacitador de alta capacidad de ajuste de precisión

,

Condensador de unión de alambre de afinación de precisión

Descripción de producto

Capacitador MOS personalizado ESR Ultra Bajo Multi Gigabit Capacitante fina Paso de precisión de afinación de alambre de unión Superficie optimizada


HACC-CUSTOM-ES: Capacitador MOS ESR ultrabajo para SERDES de múltiples gigabits con superficie optimizada de paso y enlace de alambre de capacidad fina

Ingeniería de ESR ultra-bajo para enlaces de varios gigabits

Los condensadores de bloqueo de CC SERDES (Serializador/Deserializador) de múltiples gigabits se enfrentan a estrictos requisitos de resistencia equivalente en serie (ESR).1 Ohm de ESR contribuye a la pérdida de inserciónEl HACC-CUSTOM-ES alcanza ESR <0,05 Ohm a 10 GHz y <0,02 Ohm a 40 GHz a través de tres optimizaciones de diseño concurrentes:

  • Electrodo superior de oro de 3 ‰ 5 μm de espesor:La resistencia reducida de la hoja minimiza la contribución del efecto de la piel en las frecuencias de microondas, manteniendo una baja ESR en el ancho de banda Nyquist de varios gigabits.
  • Disposición de los electrodos con varios dedos:Las trayectorias de corriente paralela distribuyen la corriente de RF, eliminando la aglomeración de corriente en los bordes del electrodo, el principal mecanismo de falla de ESR en los diseños de un solo dedo.
  • Substrato de baja resistividad (N+ Si, < 0,01 Ohm·cm):Minimiza la resistencia de serie en la región de semiconductores, asegurando que el sustrato no sea el cuello de botella ESR.

La ESR se verifica por banda de frecuencia: < 0,05 Ohm desde 1 ′10 GHz, < 0,1 Ohm desde 10 ′20 GHz y < 0,015 Ohm a partir de 20 ∼40 GHz ∼ proporcionando a los diseñadores márgenes ESR garantizados para su velocidad de datos SERDES específica.

Capacitación ultrafinísima de paso y ajuste de valor de precisión

El ajuste de enlaces serie de alta velocidad requiere valores de capacidad precisos no sólo dentro de una banda de tolerancia, sino en el valor exacto optimizado a través de la simulación.El HACC-CUSTOM-ES ofrece un paso de capacitancia de 1 pF de incremento mínimo con una resolución ajustable por láser de 0Disponible en una serie de pasos finos (1p, 2p, 3p, 5p, 7p, 10p, 15p, 22p, 33p, 47p, 68p, 100p) desde 0,5 pF hasta 1000 pF.Cada matriz se somete a la medición de la capacitancia in situ con retroalimentación de corte láser de circuito cerrado, y la verificación del parámetro S después del recorte confirma el valor de la capacitancia en el entorno de RF real, no solo en la frecuencia del medidor LCR de 1 MHz.

Metalización de la superficie optimizada por enlace de alambre

La fiabilidad de los enlaces de alambre en los ensamblajes de alta velocidad está determinada por la mejor calidad de metalización.El HACC-CUSTOM-ES cuenta con metallización de la superficie de oro de 3 μm de espesor con una rugosidad de superficie de < 50 nm Ra y una estructura de grano controlada, logrando una fuerza de tracción superior a 3.0 g en diámetros de alambre de 25 μm y 18 μm, compatibles con los procesos de unión de cuña y bola.La superficie controlada minimiza la variabilidad de la deformación del enlace y asegura una impedancia de contacto eléctrico constante en todos los enlaces en un módulo multi-die.

Especificaciones clave

Parámetro Valor
ESR a 10 GHz Los demás
ESR a 40 GHz El valor de las emisiones
Paso de capacidad 1 pF min, 0,1 pF resolución de corte por láser
Rango de capacidad 0.5 pF 1000 pF serie de pasos finos
Electrodo superior TiW-Au de 3 ‰ 5 μm de espesor
La rugosidad de la superficie < 50 nm Ra Au
Fuerza de tracción de la unión de alambre > 3,0 g (25 μm y 18 μm de cable)
Factor Q ≥ 50 a 10 GHz y ≥ 30 a 40 GHz
El SRF > 20 GHz típico
Temperatura de funcionamiento -55°C a +125°C

Aplicaciones

  • PAM4/NRZ SERDES Bloqueo de corriente continua ESR < 0,05 Ohm para el margen del ojo de 56/112 Gbps, distribución uniforme de corriente de varios dedos
  • Amplificador de transimpedancia (TIA) Filtración de sesgo 0.1 pF precisión de recorte láser, verificado por el parámetro S después del recorte para la colocación exacta del poste del filtro
  • Interposadores de módulos fotónicos de alta velocidad 3μm Au optimizados para enlaces de alambre, compatibles eutecticamente con AuSn, superficie de 50nm Ra para una impedancia de enlace constante
  • Redes de sesgo óptico coherente DSP ¥ 1 pF serie de pasos finos desde 0,5 pF ¥ 1000 pF, ajuste de valor de precisión a ± 2% para la capacidad de peso exacto del DSP

Contacte con nosotros con su objetivo ESR, valor de la capacitancia, y los requisitos de enlace de alambre.