Ultra Low ESR Feine Kapazitäts-Schritt-Drahtbond-Kondensator Präzisionsabstimmung Hochkapazitäts-Kondensator für Multi-Gigabit

Custom MOS Kondensator Ultra Low ESR Multi Gigabit Feinkapazität Schritt Präzisions-Tuning Drahtbindung Optimierte Oberfläche

HACC-CUSTOM-ES: Ultra-Low ESR MOS-Kondensator für Multi-Gigabit-SERDES mit feinkapazitierter Schritt- und Drahtbindungsebene

Technisch konstruierte Ultra-Low-ESR für Multi-Gigabit-Verbindungen

Multi-Gigabit-SERDES (Serializer/Deserializer) Gleichspannungs-Blocking-Kondensatoren stehen vor strengen Anforderungen an den gleichwertigen Serienwiderstand (ESR).1 Ohm ESR trägt zum Einsatzverlust beiDer HACC-CUSTOM-ES erreicht eine ESR von <0,05 Ohm bei 10 GHz und <0,02 Ohm bei 40 GHz durch drei gleichzeitige Konstruktionsoptimierungen:

• Elektrode mit einer Oberfläche aus Gold mit einer Dicke von 3 ‰ 5 μm:Der reduzierte Blechwiderstand minimiert den Beitrag der Hautwirkung bei Mikrowellenfrequenzen und hält die ESR über die Multi-Gigabit-Nyquist-Bandbreite niedrig.
• Anordnung der Elektroden mit mehreren Fingern:Parallele Strombahnen verteilen den HF-Strom und beseitigen die Stromüberflutung an den Elektrodenkanten
• Substrat mit geringer Widerstandsfähigkeit (N+ Si, < 0,01 Ohm·cm):Minimiert den Serienwiderstand im Halbleiterbereich und sorgt dafür, dass das Substrat nicht der ESR-Flaschenhals ist.

Die ESR wird pro Frequenzband überprüft: <0,05 Ohm von 1~10 GHz, <0,1 Ohm von 10~20 GHz und <0.15 Ohm von 20 ‰ 40 GHz ‰, die den Konstrukteuren garantierte ESR-Margen für ihre spezifische SERDES-Datenrate bieten.

Ultrafeine Kapazitätsstufe und Präzisions-Wert-Tuning

Bei der Hochgeschwindigkeits-Serieverbindung ist ein präziser Kapazitätsausgleich erforderlich, der nicht nur innerhalb eines Toleranzbandes erfolgt, sondern auch bei dem durch Simulation optimierten genauen Wert.Der HACC-CUSTOM-ES bietet einen Kapazitätsschritt von 1 pF mit einer laserverstellbaren Auflösung von 0.1 pF, wobei ±2% des Zielwerts erreicht werden. Erhältlich in einer Feinschrittreihe (1p, 2p, 3p, 5p, 7p, 10p, 15p, 22p, 33p, 47p, 68p, 100p) von 0,5 pF bis 1000 pF.Jede Matrize unterliegt einer In-situ-Kapazitätsmessung mit geschlossenem Laserschnitt, und die Verifizierung des S-Parameters nach dem Trimm bestätigt den Kapazitätsabstand in der tatsächlichen HF-Umgebung

Optimierte Oberflächenmetallisierung durch Drahtbindung

Die Zuverlässigkeit der Drahtverbindungen in Hochgeschwindigkeitsbaugruppen wird durch die höchste Metallisierungskvalität bestimmt.Die HACC-CUSTOM-ES verfügt über eine 3μm dicke Goldoberflächenmetallisierung mit einer Oberflächenrauheit von < 50 nm Ra und einer kontrollierten Kornstruktur .0 g für Drahtdurchmesser von 25 μm und 18 μm, kompatibel mit Keil- und Kugelbindungsprozessen.Die kontrollierte Oberfläche minimiert die Variabilität der Bindungsdeformation und sorgt für eine gleichbleibende elektrische Kontaktimpedanz über alle Bindungen in einem Multi-Die-Modul.

Schlüsselmerkmale

Anwendungen

• PAM4/NRZ SERDES Gleichspannungsblockade ESR < 0,05 Ohm für 56/112 Gbps Augenrand, mehrfingerige gleichmäßige Stromverteilung
• Transimpedanzverstärker (TIA) Biasfilterung Genauigkeit des Laserschnitts von 0,1 pF, S-Parameter nach dem Schnitten für die genaue Platzierung des Filterpfosten verifiziert
• High-Speed Photonics Module Interposers 3μm Au Wire-Bond-optimiert, AuSn eutektisch kompatibel, 50nm Ra Oberfläche für eine konstante Bindungsimpedanz
• Kohärente optische DSP-Bias-Netzwerke 1 pF Feinschrittreihe von 0,5 pF-1000 pF, Präzisionswert auf ±2% für die exakte DSP-Tap-Gewichtskapazität

Kontaktieren Sie uns mit Ihrem Ziel ESR, Kapazitätswert und Drahtbindung Anforderungen.