Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Condensateur à fil de liaison à capacité fine ultra faible ESR, réglage de précision, condensateur à haute capacité pour multi gigabits

Condensateur à fil de liaison à capacité fine ultra faible ESR, réglage de précision, condensateur à haute capacité pour multi gigabits

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC-CUSTOM-ES
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T, Western Union
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shannxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Densité des pièges d'interface:
1e10 cm^-2 eV^-1
Type de colis:
Forme de matrice
Type de substrat:
Silicium de type P
Courant de fuite:
1 Na
Tension de claquage:
10 V
Gamme de fréquences:
1 kHz à 1 MHz
Largeur de porte:
10 µm
Plage de température:
-40°C à 125°C
Concentration de dopage du substrat:
1e15cm^-3
Capacitance:
1 PF
Longueur de la porte:
1 μm
épaisseur d'oxyde:
10 nm
Tension de fonctionnement:
0 - 5 V
Matériau de grille:
Polysilicium
Matériau diélectrique:
Dioxyde de silicium (SiO2)
Mettre en évidence:

Condensateur à fil de liaison à capacité fine

,

Condensateur à haute capacité à réglage de précision

,

Condensateur à fil de liaison à réglage de précision

Description de produit

Condensateur MOS personnalisé ESR ultra-faible Multi Gigabit Capacité fine étape de réglage de précision


HACC-CUSTOM-ES: condensateur ESR MOS ultra-faible pour SERDES multi-gigabit avec une surface optimisée pour les étapes et les liaisons filaires à capacité fine

ESR ultra-faible conçu pour les liaisons multi-gigabit

Les condensateurs de blocage en courant continu multi-gigabit SERDES (Serializer / Deserializer) sont soumis à des exigences strictes en matière de résistance en série équivalente (ESR).1 Ohm d'ESR contribue à la perte d'insertionLe HACC-CUSTOM-ES atteint un ESR < 0,05 Ohm à 10 GHz et < 0,02 Ohm à 40 GHz grâce à trois optimisations de conception simultanées:

  • électrode supérieure en or d'une épaisseur de 3 ‰ 5 μm:La résistance réduite de la feuille minimise la contribution de l'effet de la peau aux fréquences micro-ondes, maintenant une faible ESR sur la bande passante Nyquist multi-gigabit.
  • L'électrode à plusieurs doigts:Les trajectoires de courant parallèles distribuent le courant RF, éliminant le surpeuplement du courant aux bords de l'électrode, le principal mécanisme de défaillance ESR dans les conceptions à un doigt.
  • un débit d'air de l'échappement de moins de 100 kPa,Minimise la résistance en série dans la région des semi-conducteurs, assurant que le substrat n'est pas le goulot d'étranglement ESR.

L'ESR est vérifiée par bande de fréquences: < 0,05 Ohm à partir de 1 ‰ 10 GHz, < 0,1 Ohm à partir de 10 ‰ 20 GHz et < 0,015 Ohm à partir de 20 ‰ 40 GHz ‰ offrant aux concepteurs des marges ESR garanties pour leur débit de données SERDES spécifique.

Capacités ultra-fines et réglage de la valeur de précision

Le réglage des liaisons série à grande vitesse nécessite des valeurs de capacité précises, non seulement dans une bande de tolérance, mais à la valeur exacte optimisée par simulation.Le HACC-CUSTOM-ES offre un pas de capacité d'un incrément minimum de 1 pF avec une résolution réglable au laser à 0.1 pF, atteignant ± 2% de la valeur cible; disponible dans une série de pas fins (1p, 2p, 3p, 5p, 7p, 10p, 15p, 22p, 33p, 47p, 68p, 100p) allant de 0,5 pF à 1000 pF.Chaque matrice est soumise à une mesure de la capacité in situ avec rétroaction de coupe laser en boucle fermée, et la vérification du paramètre S après couplage confirme la valeur de la capacité dans l'environnement RF réel, non seulement à la fréquence du compteur LCR de 1 MHz.

Metallisation de surface optimisée par liaison de fil

La fiabilité des liaisons de fil dans les ensembles à grande vitesse est déterminée par la qualité de métallisation supérieure.Le HACC-CUSTOM-ES présente une métallisation de la surface de l'or d'une épaisseur de 3 μm avec une rugosité de surface de < 50 nm Ra et une structure de grains contrôlée .0 g sur des fils de diamètres de 25 μm et de 18 μm, compatibles avec les procédés de collage à la fois par coin et à bille.La surface contrôlée minimise la variabilité de la déformation des liaisons et assure une impédance de contact électrique constante à travers toutes les liaisons dans un module multi-die.

Principales spécifications

Paramètre Valeur
ESR à 10 GHz Pour les appareils électroniques
ESR à 40 GHz Pour les appareils électroniques
Étape de capacité 1 pF min, résolution de découpage laser de 0,1 pF
Plage de capacité 0.5 pF-1000 pF série de pas fins
électrode supérieure TiW-Au de 3 5 μm d'épaisseur
Roughness de la surface < 50 nm Ra Au
Résistance à la traction du fil de fer > 3,0 g (25 μm et 18 μm de fil)
Facteur Q ≥ 50 à 10 GHz, ≥ 30 à 40 GHz
Le SRF > 20 GHz typiquement
Température de fonctionnement -55°C à +125°C

Applications

  • PAM4/NRZ SERDES Blocage en courant continu ESR < 0,05 Ohm pour 56/112 Gbps marge oculaire, distribution uniforme du courant à plusieurs doigts
  • Amplificateur de transimpédance (TIA) Filtrage des biais 0.1 pF précision de la découpe au laser, paramètre S vérifié après la découpe pour le placement exact du poteau de filtre
  • Interposateurs de modules de photonique à grande vitesse 3 μm Au optimisés pour les liaisons de fil, compatibles avec l'eutétique AuSn, surface de 50 nm Ra pour une impédance de liaison constante
  • Réseaux de biais optique DSP cohérents 1 série de pas fins à partir de 0,5 pF 1000 pF, réglage de la valeur de précision à ± 2% pour la capacité de poids exacte du robinet DSP

Contactez-nous avec votre ESR cible, valeur de la capacité, et les exigences de liaison de fil.