Capacitantes MOS de alta densidad de capacidad de 30V de capa única 1000 pF Contenedor de microondas de RF

Condensador MOS de alta densidad de capacitancia HACC102S30V500 1000pF 30V de capa única para circuitos de RF y microondas

Condensador MOS de alta densidad de capacitancia HACC102S30V500

El HACC102S30V500 es un condensador de semiconductor de óxido metálico (MOS) de capa única fabricado sobre un sustrato de silicio de alta resistividad con dióxido de silicio (SiO_—) crecido térmicamente como capa dieléctrica. La capacitancia nominal es de 1000pF (1nF) a una tensión de trabajo nominal de 30V CC. El chip mide 0,50 mm * 0,50 mm * 0,15 mm, con metalización superior de oro de 2,5 µm como mínimo y metalización posterior de oro de 1,0 µm como mínimo. Está diseñado para circuitos de RF y microondas donde el tamaño compacto, la baja pérdida de inserción y el comportamiento térmico predecible son consideraciones de diseño primarias.

Ventajas del condensador MOS frente a MLCC

A valores de capacitancia comparables, los condensadores MOS de capa única ofrecen beneficios de rendimiento distintos sobre los condensadores cerámicos multicapa (MLCC) en aplicaciones de alta frecuencia:

• Menor inductancia en serie: La construcción de capa única elimina la pila de electrodos internos de un MLCC. La inductancia serie equivalente (ESL) típica es inferior a 0,05 nH, lo que confiere al HACC102S30V500 una frecuencia de auto-resonancia (SRF) superior a 6 GHz y un ancho de banda utilizable que se extiende bien en la banda X.
• Capacitancia estable frente a polarización de CC: A diferencia de los dieléctricos cerámicos de Clase II (X7R, X5R) que pueden perder más del 50% de la capacitancia nominal a la tensión nominal, el dieléctrico de SiO_— en el HACC102S30V500 mantiene la capacitancia nominal en todo el rango de polarización de CC de 0-30 V.
• Coeficiente de temperatura bien definido: El dieléctrico de SiO_— presenta un coeficiente de temperatura de capacitancia (TCC) de aproximadamente +35 ppm/°C, casi lineal en el rango de -55 °C a +125 °C. Esto permite a los diseñadores aplicar una compensación de temperatura predecible, por ejemplo, emparejándolo con un inductor de TCC negativo en circuitos de tanque oscilador.
• Baja absorción dieléctrica: La absorción dieléctrica es típicamente inferior al 0,1%, lo que reduce los efectos de memoria en etapas de muestreo y retención e integradores de precisión.

Características clave

• Alta densidad de capacitancia — 500 nF/mm²: Este nivel de densidad permite redes de adaptación de impedancia compactas y estructuras de derivación en chip que de otro modo requerirían geometrías de elementos distribuidos significativamente más grandes o múltiples componentes discretos en paralelo.
• Huella ultrapequeña de 0,50 mm * 0,50 mm: El tamaño del chip de 20 mil * 20 mil es adecuado para módulos frontales de RF de alta densidad, ensamblajes de chips múltiples y diseños de formadores de haz de phased-array donde el espacio por elemento es limitado.
• Alto factor Q: Q supera los 2000 a 1 MHz y se mantiene por encima de 200 a 1 GHz. La baja ESR (típicamente inferior a 0,1 Ω a 1 GHz) minimiza la pérdida I²R en aplicaciones de derivación de amplificadores de potencia y bloqueo de CC.
• Dieléctrico térmico de SiO de 300 nm_—: Crecido directamente sobre el sustrato de silicio, el óxido térmico proporciona una interfaz dieléctrica limpia y con mínimos defectos que sustenta la baja fuga y el TCC estable del condensador.
• Metalización de oro para unión por hilo: El electrodo superior de oro de 2,5 µm como mínimo admite la unión por bola de oro termosónica (hilo de 25 µm, temperatura de la placa de 120-150 °C, >6 g de resistencia a la tracción típica) y la unión por cuña de aluminio ultrasónica (hilo de 25 µm, temperatura ambiente). El oro posterior permite la unión de chip AuSn eutéctico o el montaje con epoxi conductor.
• Sensibilidad a ESD: Clase 0 HBM según JESD22-A114. Se aplican procedimientos estándar de manipulación segura contra ESD durante el ensamblaje.

Notas de diseño de aplicaciones

Redes de adaptación de impedancia:Bloqueo de CC: Clasificado a 30 V CC con una fuga inferior a 10 nA a 25 °C, el condensador proporciona un aislamiento de CC eficaz en circuitos de inyección de polarización de amplificadores. La resistencia dieléctrica supera los 100 V CC (prueba de 1 minuto a 25 °C), lo que proporciona un amplio margen para la mayoría de las tensiones de la cadena de señales de RF.

Derivación y desacoplo: Para una derivación de suministro eficaz por encima de 1 GHz, monte el condensador lo más cerca posible de la almohadilla del dispositivo activo, utilizando la longitud mínima del hilo de unión o una traza de microcinta corta para preservar la ruta de baja impedancia a tierra.

Diseño de VCO y filtros: El TCC de +35 ppm/°C se puede compensar con un elemento inductor de TCC negativo para lograr una deriva de temperatura neta cercana a cero en el rango de -55 °C a +125 °C.

Especificaciones eléctricas (T = 25 °C a menos que se indique lo contrario)Parámetro

Valor

Diseños de filtros de microondas, acopladores y acopladores híbridos

• Derivación y desacoplo de fuentes de alimentación de alta frecuencia
• Circuitos de tanque VCO y redes de resonadores
• Subsistemas de RF de dispositivos médicos (electrónica de bobina de MRI, generadores de ablación por RF)
• Frontales de radio de celdas pequeñas y backhaul 5G
• Instrumentación de prueba y medición (estándares de calibración VNA, tarjetas de sonda)
• Equipos industriales de calentamiento por RF y excitación de plasma
• Ensamblaje y manipulación
• Los chips se envían en paquetes de gofre conductores o gel-paks. Manipular con pinzas seguras contra ESD o herramientas de recogida por vacío. Métodos de unión de chip recomendados: soldadura eutéctica AuSn (reflujo pico de 320 °C) o epoxi conductor relleno de plata (curar según el perfil del fabricante). Unión por hilo: hilo de Au de 25 µm con unión por bola termosónica, temperatura de la placa de 120-150 °C; o hilo de Al de 25 µm con unión por cuña ultrasónica a temperatura ambiente. Almacenar los dispositivos no utilizados en un gabinete de nitrógeno seco (<10% HR) o en una bolsa de barrera de humedad sellada al vacío.

Contáctenos para solicitar datos de parámetros S (1-20 GHz), informes de calificación de confiabilidad o soporte de diseño específico para la aplicación.