MOS-Kondensatoren mit hoher Kapazitätsdichte 30 V Einfachschicht 1000 pF Kondensatorchip für HF-Mikrowellenkreise

MOS-Kondensator mit hoher Kapazitätdichte HACC102S30V500 1000pF 30V Einzelschichtchip für HF-Mikrowellenkreise

HACC102S30V500 MOS-Kondensator mit hoher Kapazitätsdichte

Der HACC102S30V500 ist ein einlagiger Halbleiter-Metalloxid-Kondensator (MOS), der auf einem hochwiderstandsfähigen Siliziumsubstrat mit thermisch angebautem Siliziumdioxid (SiO) gefertigt wurde.₂Die Nennkapazität beträgt 1000pF (1nF) bei einer Nennbetriebsspannung von 30 V Gleichstrom.0 μm Mindestmetallisierung der GoldrückseiteEs ist für HF- und Mikrowellenkreise konzipiert, bei denen kompakte Größe, geringer Einsatzverlust und vorhersehbares thermisches Verhalten primäre Konstruktionsbedürfnisse sind.

MOS-Kondensatorvorteile gegenüber MLCC

Bei vergleichbaren Kapazitätswerten bieten einlagige MOS-Kondensatoren in Hochfrequenzanwendungen deutliche Leistungsvorteile gegenüber mehrschichtigen keramischen Kondensatoren (MLCCs):

• Niedrigere Serieninduktivität:Die Einlagekonstruktion eliminiert den internen Elektrodenstapel eines MLCC. Die typische gleichwertige Serieninduktivität (ESL) liegt unter 0,05nH,die HACC102S30V500 eine Selbstresonanzfrequenz (SRF) von über 6 GHz und eine nutzbare Bandbreite bis weit in das X-Band verleihen.
• Stabile Kapazität gegenüber Gleichstromverzerrung:Im Gegensatz zu keramischen Dielektrika der Klasse II (X7R, X5R), die bei Nennspannung mehr als 50% ihrer Nennkapazität verlieren können, ist das SiO₂Die dielektrische Anlage in der HACC102S30V500 behält die Nennkapazität im gesamten Bereich von 0-30 V Gleichstrom bei.
• Gut definierter Temperaturkoeffizient:Die SiO₂Die Elektrizität des Dielektrikgeräts weist einen Temperaturkoeffizienten der Kapazität (TCC) von ca. +35 ppm/°C auf, der bei -55°C bis +125°C nahezu linear ist.Dies ermöglicht es den Konstrukteuren, eine vorhersehbare Temperaturkompensation anzuwenden, zum Beispiel durch Paarung mit einem negativen TCC-Induktor in Oszillatortankkreisen.
• Niedrige dielektrische Absorption:Die dielektrische Absorption liegt typischerweise unter 0,1%, was die Speichereffekte in Proben- und Haltephasen und Präzisionsintegratoren reduziert.

Wesentliche Merkmale

• Hohe Kapazitätsdichte ¥ 500nF/mm2:This density level enables compact impedance matching networks and on-chip bypass structures that would otherwise require significantly larger distributed-element geometries or multiple parallel discrete components.
• Ultra-kleine 0,50 mm * 0,50 mm Fußabdruck:Die Chipgröße von 20 Mil * 20 Mil eignet sich für Hochdichte-HF-Frontend-Module, Multi-Chip-Assemblies und Phasen-Array-Beamformer-Layouts, bei denen die Eigenschaften pro Element begrenzt sind.
• Hoher Q-Faktor:Q übersteigt 2000 bei 1MHz und bleibt bei 1GHz über 200. Eine niedrige ESR (normalerweise unter 0,1Ω bei 1GHz) minimiert den I2R-Verlust bei Leistungsverstärker-Bypass- und Gleichstrom-Blocking-Anwendungen.
• 300 nm thermisches SiO₂Dielektrisch:Direkt auf dem Siliziumsubstrat angebaut, bietet das Thermoxid eine saubere, defektarme dielektrische Schnittstelle, die die geringe Leckage des Kondensators und das stabile TCC untermauert.
• Goldmetallisierung für die Drahtverbindung:2.5 μm minimale Gold-Top-Elektrode unterstützt die thermosonische Goldkugelbindung (25 μm Draht, Stufentemperatur 120-150 °C, typische Zugkraft > 6 g) und die Ultraschall-Aluminium-Keilbindung (25 μm Draht,Raumtemperatur)Die Rückseite mit Gold ermöglicht eine euteptische AuSn-Durchführung oder eine leitfähige Epoxideinrichtung.
• ESD-Empfindlichkeit:HBM der Klasse 0 nach JESD22-A114. Während der Montage gelten die Standardverfahren für den ESD-sicheren Umgang.

Application Design Notes Das ist ein Application Design Notes

Impedanz-Matching-NetzwerkeMit ESR < 0,1Ω bei 1 GHz und Q > 200 funktioniert das HACC102S30V500 als Kondensatorelement in L-Abschnitt-, T-Abschnitt- und Pi-Netzwerk-Matching-Topologien von 100 MHz bis 10 GHz gut.Bei der Modellierung des NetzwerksFür die Schätzung der seriellen Induktivität wird etwa 0,05 nH pro 25 μm-Bindungsdraht hinzugefügt.

DC-Blocking:Der Kondensator mit einer Leistung von 30 V Gleichstrom bei einem Leckage von weniger als 10 nA bei 25 °C stellt eine effektive Gleichstromisolierung in Verstärker-Bias-Injektionsschaltkreisen bereit. Die dielektrische Festigkeit übersteigt 100 V Gleichstrom (1-minütige Prüfung bei 25 °C),für die meisten Spannungen der HF-Signalkette genügend Platz bietet.

Umgehung und Entkopplung:Für eine wirksame Abkopplung der Versorgung über 1 GHz ist der Kondensator so nah wie möglich am aktiven Gerätesteck zu montieren.mit der Mindestlänge des Bindungsdrahtes oder einer kurzen Mikrobandspur, um den Weg mit geringer Impedanz zum Boden zu erhalten.

VCO- und Filterkonstruktion:Die TCC von +35 ppm/°C kann mit einem induzierenden Element mit negativer TCC kompensiert werden, um eine Netto-Temperaturverschiebung im Bereich von -55 °C bis +125 °C zu erreichen, die sich dem Nullpunkt nähert.

Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht angegeben)

Typische Anwendungen

• Impedanzmatching und Gleichspannungsblockierung des HF-Leistungsverstärkers
• Mikrowellenfilter, Kupplungen und Hybrid-Kupplungen
• Hochfrequenz-Bypass- und Stromversorgungsabkopplung
• VCO-Tankkreise und Resonatornetze
• HF-Teilsysteme für Medizinprodukte (MRT-Spulelektronik, HF-Ablationsgeneratoren)
• 5G-Frontends für kleine Zellen und Backhaul-Radios
• Prüf- und Messgeräte (VNA-Kalibrierstandards, Sondenkarten)
• Industrielle Geräte für HF-Heizung und Plasmaexzitierung

Montage und Handhabung

Die Chips werden in leitfähigen Waffle- oder Gel-Packs geliefert. Handling mit ESD-sicheren Pinzetten oder Vakuumsammelwerkzeugen.eutiktisches AuSn-Lötwerk (Peak-Reflow bei 320 °C) oder silbergefülltes leitfähiges Epoxid (Härtung pro Herstellerprofil). Drahtbindung: 25 μm Au-Draht mit thermosonischen Kugelbindungen bei Stufentemperatur 120-150 °C oder 25 μm Al-Draht mit Ultraschall-Keilbindung bei Raumtemperatur.Nicht verwendete Geräte in einem trockenen Stickstoffschrank (< 10% RH) oder einem vakuumdichtenen Feuchtigkeitsschutzbeutel lagern.

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