Condensateurs MOS à haute densité de capacité 30V Monocouche Condensateur puce 1000 pF pour circuits RF micro-ondes

Condensateur MOS à haute densité de capacitance HACC102S30V500 1000pF 30V Monocouche pour Circuits RF Micro-ondes

Condensateur MOS à haute densité de capacitance HACC102S30V500

Le HACC102S30V500 est un condensateur MOS (métal-oxyde-semiconducteur) monocouche fabriqué sur un substrat de silicium à haute résistivité avec du dioxyde de silicium (SiO_—) obtenu par croissance thermique comme couche diélectrique. La capacitance nominale est de 1000pF (1nF) à une tension de fonctionnement nominale de 30V DC. La puce mesure 0,50 mm * 0,50 mm * 0,15 mm, avec une métallisation supérieure en or de 2,5 µm minimum et une métallisation arrière en or de 1,0 µm minimum. Il est conçu pour les circuits RF et micro-ondes où la taille compacte, la faible perte d'insertion et le comportement thermique prévisible sont des considérations de conception primordiales.

Avantages des condensateurs MOS par rapport aux MLCC

À des valeurs de capacitance comparables, les condensateurs MOS monocouches offrent des avantages de performance distincts par rapport aux condensateurs céramiques multicouches (MLCC) dans les applications à haute fréquence :

• Inductance série plus faible : La construction monocouche élimine l'empilement d'électrodes internes d'un MLCC. L'inductance série équivalente (ESL) typique est inférieure à 0,05 nH, donnant au HACC102S30V500 une fréquence d'auto-résonance (SRF) supérieure à 6 GHz et une bande passante utilisable s'étendant bien dans la bande X.
• Capacitance stable par rapport à la polarisation DC : Contrairement aux diélectriques céramiques de classe II (X7R, X5R) qui peuvent perdre plus de 50 % de leur capacitance nominale à la tension nominale, le diélectrique SiO_— du HACC102S30V500 maintient la capacitance nominale sur toute la plage de polarisation DC de 0 à 30 V.
• Coefficient de température bien défini : Le diélectrique SiO_— présente un coefficient de température de capacitance (TCC) d'environ +35 ppm/°C, presque linéaire entre -55 °C et +125 °C. Cela permet aux concepteurs d'appliquer une compensation de température prévisible, par exemple en l'associant à un inducteur à TCC négatif dans des circuits résonants d'oscillateur.
• Faible absorption diélectrique : L'absorption diélectrique est généralement inférieure à 0,1 %, réduisant les effets de mémoire dans les étages échantillonneurs-bloqueurs et les intégrateurs de précision.

Caractéristiques principales

• Haute densité de capacitance — 500 nF/mm² : Ce niveau de densité permet des réseaux d'adaptation d'impédance compacts et des structures de découplage sur puce qui nécessiteraient autrement des géométries à éléments distribués considérablement plus grandes ou plusieurs composants discrets parallèles.
• Empreinte ultra-petite de 0,50 mm * 0,50 mm : La taille de puce de 20 mil * 20 mil convient aux modules frontaux RF haute densité, aux assemblages multi-puces et aux agencements de formeurs de faisceaux à réseau phasé où l'espace par élément est limité.
• Facteur Q élevé : Le Q dépasse 2000 à 1 MHz et reste supérieur à 200 à 1 GHz. La faible ESR (typiquement inférieure à 0,1 Ω à 1 GHz) minimise les pertes I²R dans les applications de découplage d'amplificateurs de puissance et de blocage DC.
• Diélectrique thermique SiO_— de 300 nm : Croissance directe sur le substrat de silicium, l'oxyde thermique fournit une interface diélectrique propre, minimisant les défauts, qui sous-tend la faible fuite et le TCC stable du condensateur.
• Métallisation en or pour le soudage par fil : Électrode supérieure en or de 2,5 µm minimum supportant le soudage par fil d'or thermosonique (fil de 25 µm, température de la platine de 120-150 °C, >6 g de résistance à la traction typique) et le soudage par fil d'aluminium ultrasonique (fil de 25 µm, température ambiante). L'or arrière permet la fixation de puce eutectique AuSn ou le montage par époxy conducteur.
• Sensibilité ESD : Classe 0 HBM selon JESD22-A114. Des procédures de manipulation standard conformes ESD s'appliquent lors de l'assemblage.

Notes de conception d'application

Réseaux d'adaptation d'impédance :Blocage DC : Classé à 30 V DC avec une fuite inférieure à 10 nA à 25 °C, le condensateur assure une isolation DC efficace dans les circuits d'injection de polarisation d'amplificateur. La rigidité diélectrique dépasse 100 V DC (test de 1 minute à 25 °C), offrant une marge suffisante pour la plupart des tensions de la chaîne de signaux RF.

Découplage et dérivation : Pour un découplage de l'alimentation efficace au-dessus de 1 GHz, montez le condensateur aussi près que possible de la pastille du composant actif, en utilisant la longueur de fil de liaison minimale ou une courte trace microstrip pour préserver le chemin à faible impédance vers la masse.

Conception de VCO et de filtre : Le TCC de +35 ppm/°C peut être compensé par un élément inductif à TCC négatif pour obtenir une dérive de température nette approchant zéro sur la plage de -55 °C à +125 °C.

Spécifications électriques (T = 25 °C sauf indication contraire)Paramètre

Valeur

Conceptions de filtres micro-ondes, coupleurs et coupleurs hybrides

• Dérivation et découplage d'alimentation haute fréquence
• Circuits résonants VCO et réseaux de résonateurs
• Sous-systèmes RF d'appareils médicaux (électronique de bobine IRM, générateurs d'ablation RF)
• Frontaux de radio 5G petites cellules et backhaul
• Instrumentation de test et de mesure (étalons de calibration VNA, cartes de sondes)
• Équipements industriels de chauffage RF et d'excitation de plasma
• Assemblage et manipulation
• Les puces sont expédiées dans des emballages alvéolaires conducteurs ou des gel-paks. Manipuler avec des pinces antistatiques ou des outils de préhension par le vide. Méthodes de fixation de puce recommandées : soudure eutectique AuSn (refusion pic à 320°C) ou époxy conducteur chargé d'argent (durcir selon le profil du fabricant). Soudage par fil : fil Au de 25 µm avec soudage par fil thermosonique, température de la platine de 120-150 °C ; ou fil Al de 25 µm avec soudage par fil ultrasonique à température ambiante. Stocker les appareils inutilisés dans une armoire à azote sèche (<10% HR) ou un sac barrière anti-humidité scellé sous vide.

Contactez-nous pour demander les données S-paramètres (1-20GHz), les rapports de qualification de fiabilité ou le support de conception spécifique à l'application.