Capacitores MOS de alta densidade de capacidade 30V de camada única 1000 pF Capacitor Chip para circuitos de microondas RF

Capacitor MOS de Alta Densidade de Capacitância HACC102S30V500 1000pF 30V Camada Única para Circuitos de RF e Micro-ondas

Capacitor MOS de Alta Densidade de Capacitância HACC102S30V500

O HACC102S30V500 é um capacitor de metal-óxido-semicondutor (MOS) de camada única fabricado em um substrato de silício de alta resistividade com dióxido de silício (SiO_—) crescido termicamente como camada dielétrica. A capacitância nominal é de 1000pF (1nF) com uma tensão de trabalho nominal de 30V DC. O chip mede 0,50mm * 0,50mm * 0,15mm, com metalização superior de ouro mínima de 2,5µm e metalização traseira de ouro mínima de 1,0µm. Ele é projetado para circuitos de RF e micro-ondas onde tamanho compacto, baixa perda de inserção e comportamento térmico previsível são considerações primárias de projeto.

Vantagens do Capacitor MOS vs. MLCC

Em valores de capacitância comparáveis, os capacitores MOS de camada única oferecem benefícios de desempenho distintos sobre os capacitores cerâmicos multicamadas (MLCCs) em aplicações de alta frequência:

• Indutância série menor: A construção de camada única elimina a pilha de eletrodos internos de um MLCC. A indutância série equivalente (ESL) típica é inferior a 0,05nH, conferindo ao HACC102S30V500 uma frequência de auto-ressonância (SRF) acima de 6GHz e uma largura de banda utilizável que se estende bem para a banda X.
• Capacitância estável vs. polarização DC: Ao contrário dos dielétricos cerâmicos Classe II (X7R, X5R) que podem perder mais de 50% da capacitância nominal na tensão nominal, o dielétrico SiO_— no HACC102S30V500 mantém a capacitância nominal em toda a faixa de polarização DC de 0-30V.
• Coeficiente de temperatura bem definido: O dielétrico SiO_— exibe um coeficiente de temperatura de capacitância (TCC) de aproximadamente +35ppm/°C, quase linear entre -55°C e +125°C. Isso permite que os projetistas apliquem compensação de temperatura previsível, por exemplo, combinando-o com um indutor de TCC negativo em circuitos de tanque de oscilador.
• Baixa absorção dielétrica: A absorção dielétrica é tipicamente inferior a 0,1%, reduzindo efeitos de memória em estágios de amostra e retenção e integradores de precisão.

Principais Características

• Alta Densidade de Capacitância — 500nF/mm²: Este nível de densidade permite redes de casamento de impedância compactas e estruturas de bypass no chip que, de outra forma, exigiriam geometrias de elemento distribuído significativamente maiores ou múltiplos componentes discretos paralelos.
• Pegada Ultra-Pequena de 0,50mm * 0,50mm: O tamanho do chip de 20 mil * 20 mil é adequado para módulos de front-end de RF de alta densidade, montagens de múltiplos chips e layouts de formadores de feixe de matriz em fase onde o espaço por elemento é limitado.
• Alto Fator Q: O Q excede 2000 a 1MHz e permanece acima de 200 a 1GHz. Baixa ESR (tipicamente inferior a 0,1Ω a 1GHz) minimiza a perda I²R em aplicações de bypass de amplificador de potência e bloqueio de DC.
• Dielétrico Térmico de SiO_— de 300nm: Crescido diretamente no substrato de silício, o óxido térmico fornece uma interface dielétrica limpa e com defeitos minimizados que sustenta a baixa fuga do capacitor e o TCC estável.
• Metalização de Ouro para Soldagem de Fio: Eletrodo superior de ouro de 2,5µm mínimo suporta soldagem de bola de ouro termossônica (fio de 25µm, temperatura do estágio de 120-150°C, >6g de força de tração típica) e soldagem de cunha de alumínio ultrassônica (fio de 25µm, temperatura ambiente). O ouro traseiro permite a montagem de chip AuSn eutético ou montagem com epóxi condutivo.
• Sensibilidade a ESD: Classe 0 HBM por JESD22-A114. Procedimentos padrão de manuseio seguro contra ESD se aplicam durante a montagem.

Notas de Projeto de Aplicação

Redes de Casamento de Impedância:Bloqueio de DC: Classificado em 30V DC com fuga inferior a 10nA a 25°C, o capacitor fornece isolamento de DC eficaz em circuitos de injeção de polarização de amplificador. A rigidez dielétrica excede 100V DC (teste de 1 minuto a 25°C), proporcionando ampla margem para a maioria das tensões da cadeia de sinal de RF.

Bypass e Desacoplamento: Para desacoplamento de fonte de alimentação eficaz acima de 1GHz, monte o capacitor o mais próximo possível do pad do dispositivo ativo, usando o comprimento mínimo do fio de solda ou uma trilha de microstrip curta para preservar o caminho de baixa impedância para o terra.

Projeto de VCO e Filtro: O TCC de +35ppm/°C pode ser compensado com um elemento indutor de TCC negativo para atingir uma derivação de temperatura líquida próxima de zero na faixa de -55°C a +125°C.

Especificações Elétricas (T = 25°C, a menos que indicado de outra forma)Parâmetro

Valor

Projetos de filtros de micro-ondas, acopladores e acopladores híbridos

• Bypass de alta frequência e desacoplamento de fonte de alimentação
• Circuitos de tanque de VCO e redes de ressonadores
• Sub-sistemas de RF de dispositivos médicos (eletrônica de bobina de MRI, geradores de ablação de RF)
• Front-ends de rádio de small-cell e backhaul 5G
• Instrumentação de teste e medição (padrões de calibração VNA, placas de sonda)
• Equipamentos industriais de aquecimento por RF e excitação de plasma
• Montagem e Manuseio
• Os chips são enviados em embalagens waffle condutivas ou gel-paks. Manuseie com pinças seguras contra ESD ou ferramentas de sucção a vácuo. Métodos de montagem de chip recomendados: solda AuSn eutética (reflow de pico de 320°C) ou epóxi condutivo preenchido com prata (cura conforme perfil do fabricante). Soldagem de fio: fio de Au de 25µm com soldagem de bola termossônica, temperatura do estágio de 120-150°C; ou fio de Al de 25µm com soldagem de cunha ultrassônica em temperatura ambiente. Armazene dispositivos não utilizados em um gabinete de nitrogênio seco (<10% UR) ou saco de barreira de umidade selado a vácuo.

Entre em contato conosco para solicitar dados de S-parâmetros (1-20GHz), relatórios de qualificação de confiabilidade ou suporte de projeto específico para a aplicação.