detalhes dos produtos

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Capacitor de camada única
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Capacitor de Camada Única com Borda Dupla Face 100pF 50V Capacitor de Baixo ESR

Capacitor de Camada Única com Borda Dupla Face 100pF 50V Capacitor de Baixo ESR

Marca: Hoan
Número do modelo: HACC101S10V500
Quantidade mínima: 10
Condições de pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Constante dielétrica (K):
Alto K (por exemplo, K = 140) / Baixo K
Coeficiente de Temperatura (TCC):
±15% (X7R) / 0±30 ppm/℃ (NPO)
Fator de qualidade (valor Q):
Min. 1000 a 1 MHz
Fator de Dissipação (DF / Tan δ):
≤0,15% a 1kHz, 1Vrms
Concentração de Dopagem de Substrato:
1e15cm^-3
Densidade de armadilha de interface:
1e10 cm^-2 eV^-1
Tensão de ruptura:
10 v
Destacar:

Capacitor de Camada Única Dupla Face

,

Capacitor de Baixo ESR de 100pF

,

Capacitor de Baixo ESR de 50V

Descrição do produto

HACC101S10V500 SLC de borda de dois lados (100pF,50V)

 

O que é um condensador de camada única bordado de dois lados?
Para embalagens microeletrônicas de alta confiabilidade, é fundamental garantir tanto a parte superior quanto a inferior de um capacitor de chip.O HACC101S10V500 foi concebido como um condensador de camada única de borda (margem) de dois lados.

 

Ao contrário das variantes de borda única, este chip apresenta uma borda cerâmica não metalizada e exposta (Margem) nas superfícies superior e inferior.

•Margem máxima:Impede curto-circuitos de ligação de fio de ouro de desvios acidentais de alinhamento.
•Margem inferior:Impede que as epoxias de prata condutoras (por exemplo, H20E) migrem para as paredes laterais verticais da ficha durante a fixação da matriz inferior.

 

Esta arquitetura de dupla barreira garante que, mesmo na produção automatizada de grande volume, a taxa de curto-circuito induzido por epóxi seja reduzida a zero absoluto.

 

A ciência por trás da metalização de película fina de TaN/TiW/Ni/Au

O HACC101S10V500 se destaca devido à sua metalização multi-camada TaN/TiW/Ni/Au (Nitreto de Tântalo / Titânio-Tungsténio / Níquel / Ouro) em ambos os elétrodos (espessura ≥ 2,5 μm Min).É por isso que este sistema de filme complexo é fundamental para os módulos de microondas:

1.TaN (nitreto de tântalo):Serve como uma camada de adesão ultra-robusta, bloqueando a metalização ao corpo dielétrico cerâmico e impedindo a descamação do eletrodo sob cozimento a alta temperatura.
2. Barreira TiW (titânio-tungsténio):Bloqueia a difusão do cobre ou dos materiais subjacentes do substrato na camada de ouro.
3.Capa de barreira de níquel:Aciona como uma barreira anti-lixiviação padrão da indústria.
4. Au (Ouro) Top Coat:Oferece uma superfície altamente soldável e não oxidante, otimizada para ligação de fio de ouro termo-sônico (Au-wire-bonding), garantindo uma resistência de tração excepcional.

 

Dimensões

Capacitor de Camada Única com Borda Dupla Face 100pF 50V Capacitor de Baixo ESR

 

Especificações técnicas (HACC101S10V500)

Parâmetro técnico Valor de especificação certificado Ensaio/Condições ambientais
Número do modelo HACC101S10V500  
Tipo de condensador Chips de cerâmica de camada única (SLC) Tipo de borda de dois lados (margem)
Valor da capacidade 100 pF ± 20% Medido @ 1kHz, 1Vrms, 25°C, sem DCBias
Voltagem nominal 50 V DC Gestão de tensão altamente estável
Intervalo de temperatura de funcionamento -55°C a +125°C Compatibilidade total com as normas aeroespaciais
Estrutura do filme superior TaN/TiW/Ni/Au (> 2,5 um Min) Excelente força de tração para ligação de fios
Estrutura do filme inferior TaN/TiW/Ni/Au (> 2,5 um Min) Optimizado para fixação por pressão em epoxi de prata
Montagem compatível Epoxi condutor (H20E) / Soldadura Suporta ligação de fio de ouro

 

Melhores práticas de micro-montagem e ligação de fios
Para garantir a longevidade mecânica do HACC101S10V500 nos seus microcircuitos híbridos:

1.Montagem por epoxi condutora:
•Alto nível de otimização para o epoxi de prata condutora (por exemplo, H20E).
• Perfil de cozimento recomendado: curar a 120°C durante 30 minutos para obter uma resistência de cisalhamento e condutividade elétrica ideais.
2Área de aterragem de ligação de fios:
•Para evitar micro-fracturas localizadas na estrutura cerâmica de uma única camada, a esfera de ligação de fio de ouro deve ser colocada a uma distância mínima de 25 μm da borda exterior da almofada de ouro.
3Inspecção de parede lateral:
• Graças à margem de dois lados, o filete de epoxi inferior está seguramente contido.

 

Perguntas frequentes

P1: Por que o HACC101S10V500 é classificado em 50V enquanto alguns outros são 100V?
   A:A classificação de 50V permite o uso de uma espessura dielétrica otimizada, permitindo um valor de capacitância maior de 100pF em um pacote físico extremamente compacto.Isto é ideal para caminhos de desacoplamento de alta capacidade de baixa tensão em teas de distorção de RF.

P2: Posso soldar directamente aos elétrodos TaN/TiW/Ni/Au?
   A:Sim, a camada de barreira de níquel (Ni) impede que o ouro se lique para soldagens sem chumbo ou com chumbo durante o refluxo a alta temperatura, preservando a integridade da junção de soldagem.

Q3: Quais são os requisitos de armazenamento para evitar falhas de ligação?
   A:Armazenar os condensadores em embalagens padrão de waffles ou gel-packs dentro de um gabinete de nitrogénio ou caixa seca a 20°C a 25°C e 40% a 60% de H. Nestas condições,A duração é garantida por 1 ano com bondabilidade inalterada..