Einzelheiten zu den Produkten

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Einlagekondensator
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Doppelseitiger bedruckter einlagiger Kondensator 100pF 50V Low ESR Kondensator

Doppelseitiger bedruckter einlagiger Kondensator 100pF 50V Low ESR Kondensator

Markenname: Hoan
Modellnummer: HACC101S10V500
Mindestbestellmenge: 10
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Dielektrizitätskonstante (K):
High-K (z. B. K=140) / Low-K
Temperaturkoeffizient (TCC):
±15 % (X7R) / 0 ±30 ppm/℃ (NPO)
Qualitätsfaktor (Q-Wert):
Min. 1000 bei 1 MHz
Verlustfaktor (DF / Tan δ):
≤0,15 % bei 1 kHz, 1 Vrms
Substratdotierungskonzentration:
1e15 cm^-3
Schnittstellenfallendichte:
1e10 cm^-2 eV^-1
Durchbruchspannung:
10 v
Hervorheben:

Doppelseitiger einlagiger Kondensator

,

100pF Low ESR Kondensator

,

50V Low ESR Kondensator

Produkt-Beschreibung

HACC101S10V500 Doppelseitiges Grenzgerät (100pF,50V)

 

Was ist ein doppelseitig begrenzter Einlagekondensator?
Für hochzuverlässige mikroelektronische Verpackungen ist es entscheidend, die Ober- und Unterseite eines Chipkondensators zu sichern.Der HACC101S10V500 ist als doppelseitig begrenzter Einlagekondensator ausgelegt..

 

Im Gegensatz zu Single-Border-Varianten verfügt dieser Chip über eine unmetallisierte, freiliegende keramische Grenze (Margin) sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Oberfläche.

• Höchstmarge:Verhindert, dass Golddrahtverbindungen durch versehentliche Ausrichtungsschwankungen kurzschließen.
•Unterste Marge:Verhindert, dass leitfähige Silber-Epoxide (z. B. H20E) während der Bodenbefestigung die vertikalen Seitenwände des Chips hinaufwandern.

 

Diese Doppelbarrierenarchitektur gewährleistet, dass auch bei automatisierter, großvolumiger Produktion die Rate der epoxyinduzierten Kurzschlüsse auf absolut null reduziert wird.

 

Die Wissenschaft hinter der TaN/TiW/Ni/Au-Dünnschichtmetallisierung

Der HACC101S10V500 zeichnet sich durch seine mehrschichtige TaN/TiW/Ni/Au (Tantalnitrid / Titan-Tungsten / Nickel / Gold) Metallisierung an beiden Elektroden (Dicke ≥ 2,5 μm Min) aus.Deshalb ist dieses komplexe Filmsystem für Mikrowellenmodule von entscheidender Bedeutung.:

1.TaN (Tantalnitrid) Schicht:Dient als ultra-robuste Haftschicht, die die Metallisierung an den keramischen dielektrischen Körper bindet und das Schälen der Elektrode bei hoher Temperatur verhindert.
2.TiW (Titanium-Tungsten) Barriere:Blockiert die Diffusion von Kupfer oder zugrunde liegenden Substratmaterialien in die Goldschicht.
3.Ni (Nickel) -Schranke:Es wirkt als industriestandardmäßige Anti-Leaching-Barriere und verhindert das Leaching von Gold (Lösung von Gold in Löt oder Epoxide) bei hohem Temperaturrückfluss oder Silber-Epoxy-Härtung.
4Au (Gold) Top Coat:Bietet eine hochschweißfähige, nicht oxidierende Oberfläche, die für die thermosonische Golddrahtbindung (Au-Drahtbindung) optimiert ist und eine hervorragende Zugfestigkeit gewährleistet.

 

Abmessungen

Doppelseitiger bedruckter einlagiger Kondensator 100pF 50V Low ESR Kondensator

 

Technische Spezifikationen (HACC101S10V500)

Technischer Parameter Zertifizierter Spezifikationswert Prüfung/Umgebungsbedingungen
Modellnummer HACC101S10V500  
Typ des Kondensators Einlagerkeramischer Chip (SLC) Zwei-seitige Grenze (Margin)
Kapazitätswert 100 pF ± 20% Messung @ 1kHz, 1Vrms, 25°C, keine DCBias
Nennspannung 50 V Gleichstrom Hochstabiles Spannungsmanagement
Betriebstemperaturbereich -55°C bis +125°C Vollständig konform mit Luft- und Raumfahrtnormen
Top-Filmstruktur TaN/TiW/Ni/Au (> 2,5 um Min) Ausgezeichnete Zugfestigkeit bei Drahtverbindungen
Struktur der Unterfläche TaN/TiW/Ni/Au (> 2,5 um Min) Optimiert für Silber-Epoxidhänge
Kompatible Baugruppe Leitfähiges Epoxy (H20E) /Lötverfahren Unterstützt die Verbindung von Golddraht

 

Best Practices für die Mikrosammensetzung und die Bindung von Draht
Um die mechanische Langlebigkeit des HACC101S10V500 in Ihren hybriden Mikrokreisen zu gewährleisten:

1.Leitfächer aus Epoxy:
• Sehr optimiert für leitfähiges Silber-Epoxid (z.B. H20E).
•Empfohlenes Backprofil: 30 Minuten lang bei 120°C abhärten, um eine optimale Scherfestigkeit und elektrische Leitfähigkeit zu erhalten.
2.Landefläche für Drahtverbindungen:
•Um lokalisierte Mikrofrakturen in der einlagigen Keramikstruktur zu verhindern, muss der Golddraht-Bindeklingel/Kugel mindestens 25 μm vom Außenkanten des Goldpads entfernt landen.
3.Seitenwandprüfung:
•Dank des doppelseitigen Randes ist das untere Epoxifille sicher eingeschlossen.

 

Häufig gestellte Fragen

F1: Warum ist HACC101S10V500 bei 50V eingestuft, während einige andere 100V sind?
   A:Die 50V-Einstufung erlaubt die Verwendung einer optimierten Dielektrieckigkeit und ermöglicht einen höheren Kapazitätswert von 100pF in einem extrem kompakten physikalischen Paket.Dies ist ideal für niedrigere Spannung hohe Kapazität Entkopplung Pfade in RF Bias Tees.

F2: Kann ich direkt an die TaN/TiW/Ni/Au-Elektroden löten?
   A:Die Nickel- (Ni) -Schranke verhindert, daß das Gold bei hoher Temperatur in bleifreie oder bleiförmige Lötungen geläscht wird, wodurch die Integrität der Lötverbindung erhalten bleibt.

F3: Welche Speicheranforderungen gelten, um Verklebungsfehler zu vermeiden?
   A:Die Kondensatoren werden in Standard-Waffel- oder Gel-Packs in einem Stickstoffschrank oder Trockenkasten bei 20°C bis 25°C und 40% bis 60% Gewässerfeuchtigkeit aufbewahrt.die Haltbarkeit ist für 1 Jahr mit unberührter Bondability garantiert.