details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
Enkellaagse condensator
Created with Pixso.

Doppelzijdige, aangrenzende, enkellagige condensator 100pF 50V lage ESR-condensator

Doppelzijdige, aangrenzende, enkellagige condensator 100pF 50V lage ESR-condensator

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC101S10V500
MOQ: 10
Betalingsvoorwaarden: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
Diëlektrische constante (K):
Hoge K (bijv. K=140) / Lage K
Temperatuurcoëfficiënt (TCC):
±15% (X7R) / 0±30 ppm/℃ (NPO)
Kwaliteitsfactor (Q-waarde):
Min. 1000 @ 1 MHz
Dissipatiefactor (DF / Tan δ):
≤0,15% @ 1 kHz, 1Vrms
Substraatdopingconcentratie:
1e15cm^-3
Dichtheid van grensvlakval:
1e10 cm^-2 eV^-1
Doorslagspanning:
10 V
Markeren:

Doppelzijdige enkellaagcapacitor

,

100 pF lage ESR condensator

,

50V lage ESR-capacitor

Productomschrijving

HACC101S10V500 Dubbelzijdig Begrensde SLC (100pF,50V)

 

Wat is een Dubbelzijdig Begrensde Single Layer Condensator?
Voor micro-elektronische verpakkingen met hoge betrouwbaarheid is het cruciaal om zowel de boven- als onderkant van een chipcondensator te beveiligen. De HACC101S10V500 is ontworpen als een Dubbelzijdig Begrensde (Marge) Single Layer Condensator.

 

In tegenstelling tot varianten met een enkele rand, is deze chip voorzien van een niet-gemetalliseerde, blootliggende keramische rand (Marge) aan zowel de boven- als onderkant.

•Bovenrand: Voorkomt kortsluitingen door goud-draadbonding als gevolg van onbedoelde uitlijningsafwijkingen.
•Onderste Marge: Voorkomt dat geleidende zilver-epoxy's (bijv. H20E) tijdens het bevestigen van de chip aan de onderkant omhoog migreren langs de verticale zijwanden van de chip.

 

Deze dual-barrier architectuur garandeert dat, zelfs onder geautomatiseerde productie met hoog volume, de kans op epoxy-geïnduceerde kortsluiting tot absolute nul wordt gereduceerd.

 

De wetenschap achter TaN/TiW/Ni/Au dunne-film metallisatie

De HACC101S10V500 onderscheidt zich door zijn meerlaagse TaN/TiW/Ni/Au (Tantaalnitride / Titaan-Wolfraam / Nikkel / Goud) metallisatie op beide elektroden (dikte ≥ 2,5 µm Min). Hier is waarom dit complexe filmsysteem cruciaal is voor microgolfmodules:

1.TaN (Tantaalnitride) Laag: Dient als een ultra-robuuste hechtlaag, die de metallisatie aan het keramische diëlektrische lichaam verankert en het afpellen van de elektrode onder hoge temperatuur bakken voorkomt.
2.TiW (Titaan-Wolfraam) Barrière: Blokkeert de diffusie van koper of onderliggende substraatmateriaal in de gouden laag.
3.Ni (Nikkel) Barrière Laag: Fungeert als een standaard anti-leaching barrière in de industrie. Het voorkomt goud-leaching (oplossing van goud in soldeer of epoxy's) tijdens hoge temperatuur reflow of het uitharden van zilver-epoxy.
4.Au (Goud) Toplaag: Biedt een zeer soldeerbaar, niet-oxiderend oppervlak geoptimaliseerd voor thermosonische goud-draadbonding (Au-draadbonding), wat zorgt voor een uitstekende treksterkte.

 

Afmetingen

Doppelzijdige, aangrenzende, enkellagige condensator 100pF 50V lage ESR-condensator

 

Technische Specificaties (HACC101S10V500)

Technische Parameter Gecertificeerde Specificatiewaarde Test / Omgevingscondities
Modelnummer HACC101S10V500  
Condensatortype Single Layer Keramische Chip (SLC) Dubbelzijdig begrensde (Marge) type
Capaciteitswaarde 100 pF ± 20% Gemeten @ 1kHz, 1Vrms, 25°C, Geen DC-bias
Nominale Spanning 50 V DC Zeer stabiele spanningsbelasting
Bedrijfstemperatuurbereik -55°C tot +125°C Volledig conform luchtvaartnormen
Bovenste Filmstructuur TaN/TiW/Ni/Au (> 2,5 um Min) Uitstekende treksterkte voor draadbonding
Onderste Filmstructuur TaN/TiW/Ni/Au (> 2,5 um Min) Geoptimaliseerd voor zilver-epoxy chipbevestiging
Compatibele Assemblage Geleidende Epoxy (H20E) / Solderen Ondersteunt goud-draadbonding

 

Beste Praktijken voor Micro-assemblage & Draadbonding
Om de mechanische levensduur van de HACC101S10V500 in uw hybride microcircuits te garanderen:

1.Geleidende Epoxy Montage:
•Zeer geoptimaliseerd voor geleidende zilver-epoxy (bijv. H20E).
•Aanbevolen Bakprofiel: Uitharden bij 120°C gedurende 30 minuten voor optimale schuifsterkte en elektrische geleidbaarheid.
2.Landingsgebied voor Draadbonding:
•Om lokale microbreuken in de single-layer keramische structuur te voorkomen, moet de goud-draadbonding wig/bal minimaal 25 µm van de buitenrand van het gouden pad landen.
3.Inspectie van Zijwanden:
•Dankzij de dubbelzijdige marge wordt het onderste epoxy-filet veilig ingesloten. Visueel inspecteren onder een microscoop om ervoor te zorgen dat er geen epoxy het bovenste gouden pad bereikt.

 

FAQ

V1: Waarom is de HACC101S10V500 geclassificeerd op 50V terwijl sommige andere 100V zijn?
   A: De 50V-classificatie maakt het gebruik van een geoptimaliseerde diëlektrische dikte mogelijk, wat resulteert in een hogere capaciteitswaarde van 100pF in een extreem compacte fysieke behuizing. Dit is ideaal voor ontkoppelingspaden met hoge capaciteit en lage spanning in RF-bias-tees.

V2: Kan ik direct solderen op de TaN/TiW/Ni/Au elektroden?
   A: Ja. De nikkel (Ni) barrièrelaag voorkomt dat het goud tijdens hoge temperatuur reflow in loodvrije of gelegeerde soldeer vloeit, waardoor de integriteit van de soldeerverbinding behouden blijft.

V3: Wat zijn de opslagvereisten om verbindingsfouten te voorkomen?
   A: Bewaar de condensatoren in standaard wafel-packs of gel-packs in een stikstofkast of droge doos bij 20–25°C en 40%–60% RV. Onder deze omstandigheden is de houdbaarheid gegarandeerd voor 1 jaar met onberispelijke bondbaarheid.