HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Marka Adı: | Hoan |
| Model Numarası: | HACC101S10V500 |
| Adedi: | 10 |
| Ödeme Koşulları: | L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union |
HACC101S10V500 Çift Taraflı Kenarlı SLC (100pF,50V)
Çift Taraflı Kenarlı Tek Katmanlı Kapasitör Nedir?
Yüksek güvenilirlikli mikroelektronik paketleme için bir çip kapasitörünün hem üst hem de alt kısmının güvenli bir şekilde sabitlenmesi kritiktir. HACC101S10V500, Çift Taraflı Kenarlı (Marjlı) Tek Katmanlı Kapasitör olarak tasarlanmıştır.
Tek kenarlı varyantların aksine, bu çip hem üst hem de alt yüzeylerde metalize edilmemiş, açıkta kalan seramik kenara (Marj) sahiptir.
•Üst Marj: Altın tel bağlama kısa devrelerini, kazara hizalama sapmalarından kaynaklanan sorunları önler.
•Alt Marj: İletken gümüş epoksilerin (örneğin, H20E) alt çip montajı sırasında çipin dikey yan duvarlarından yukarı doğru göç etmesini önler.
Bu çift bariyer mimarisi, otomatik, yüksek hacimli üretim altında bile, epoksi kaynaklı kısa devre oranının mutlak sıfıra indirgenmesini garanti eder.
TaN/TiW/Ni/Au İnce Film Metalizasyonunun Arkasındaki Bilim
HACC101S10V500, her iki elektrot üzerindeki çok katmanlı TaN/TiW/Ni/Au (Tantal Nitrür / Titanyum-Tungsten / Nikel / Altın) metalizasyonu ile öne çıkar (kalınlık ≥ 2.5 µm Min). Bu karmaşık film sisteminin mikrodalga modülleri için kritik olmasının nedenleri şunlardır:
1.TaN (Tantal Nitrür) Katmanı: Metalizasyonu seramik dielektrik gövdeye sabitleyen ve yüksek sıcaklıkta fırınlama sırasında elektrot soyulmasını önleyen ultra sağlam bir yapışma katmanı görevi görür.
2.TiW (Titanyum-Tungsten) Bariyeri: Bakır veya alttaki alt tabaka malzemelerinin altın katmanına difüzyonunu engeller.
3.Ni (Nikel) Bariyer Katmanı: Endüstri standardı bir sızma önleyici bariyer görevi görür. Yüksek sıcaklıkta yeniden akış veya gümüş-epoksi kürleme sırasında altın sızmasını (altının lehim veya epoksilere çözünmesi) önler.
4.Au (Altın) Üst Kaplama: Termosonik altın tel bağlama (Au tel bağlama) için optimize edilmiş, yüksek lehimlenebilir, oksitlenmeyen bir yüzey sunar ve üstün çekme mukavemetini garanti eder.
Boyutlar
Teknik Özellikler (HACC101S10V500)
| Teknik Parametre | Sertifikalı Spesifikasyon Değeri | Test / Çevresel Koşullar |
| Model Numarası | HACC101S10V500 | |
| Kapasitör Tipi | Tek Katmanlı Seramik Çip (SLC) | Çift taraflı kenarlı (Marjlı) tip |
| Kapasitans Değeri | 100 pF ± %20 | 1kHz, 1Vrms, 25°C, DC Bias Yok'ta ölçülmüştür |
| Anma Gerilimi | 50 V DC | Yüksek stabil voltaj taşıma kapasitesi |
| Çalışma Sıcaklığı Aralığı | -55°C ila +125°C | Havacılık standartlarına tam uyumlu |
| Üst Film Yapısı | TaN/TiW/Ni/Au (> 2.5 um Min) | Mükemmel tel bağlama çekme mukavemeti |
| Alt Film Yapısı | TaN/TiW/Ni/Au (> 2.5 um Min) | Gümüş epoksi çip montajı için optimize edilmiştir |
| Uyumlu Montaj | İletken Epoksi (H20E) / Lehimleme | Altın tel bağlamayı destekler |
Mikro Montaj ve Tel Bağlama En İyi Uygulamaları
HACC101S10V500'ün hibrit mikro devrelerinizdeki mekanik ömrünü sağlamak için:
1.İletken Epoksi Montajı:
•İletken gümüş epoksi (örneğin, H20E) için yüksek oranda optimize edilmiştir.
•Önerilen Fırınlama Profili: Optimum kesme mukavemeti ve elektriksel iletkenlik için 120°C'de 30 dakika kürleyin.
2.Tel Bağlama Alanı:
•Tek katmanlı seramik yapıda lokalize mikro çatlakları önlemek için, altın tel bağlama kama/topu, altın pedin dış kenarından en az 25 µm uzakta olmalıdır.
3.Yan Duvar Denetimi:
•Çift taraflı marj sayesinde, alt epoksi filetosu güvenli bir şekilde içeride kalır. Epoksinin üst altın pede ulaşmadığından emin olmak için mikroskop altında görsel olarak inceleyin.
SSS
S1: HACC101S10V500 neden 50V olarak derecelendirilmişken bazıları 100V?
C: 50V derecelendirmesi, optimize edilmiş bir dielektrik kalınlığının kullanılmasını sağlar, bu da son derece kompakt bir fiziksel pakette 100pF'lik daha yüksek bir kapasitans değeri sağlar. Bu, RF bias tee'lerinde düşük voltajlı yüksek kapasiteli ayırma yolları için idealdir.
S2: Doğrudan TaN/TiW/Ni/Au elektrotlarına lehim yapabilir miyim?
C: Evet. Nikel (Ni) bariyer katmanı, yüksek sıcaklıkta yeniden akış sırasında altının kurşunsuz veya kurşunlu lehimlere sızmasını önleyerek lehim bağlantısının bütünlüğünü korur.
S3: Bağlantı hatasını önlemek için depolama gereksinimleri nelerdir?
C: Kapasitörleri standart waffle paketlerinde veya jel paketlerinde, bir nitrojen kabini veya kuru kutu içinde 20–25°C ve %40–60 RH'de saklayın. Bu koşullar altında, raf ömrü 1 yıl boyunca kusursuz bağlanabilirlik ile garanti edilir.
