dettagli dei prodotti

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Condensatore a uno strato
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Condensatore Monostrato Bordato a Doppia Faccia 100pF 50V Condensatore a Bassa ESR

Condensatore Monostrato Bordato a Doppia Faccia 100pF 50V Condensatore a Bassa ESR

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC101S10V500
MOQ: 10
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Costante dielettrica (K):
K alto (ad es. K=140) / K basso
Coefficiente di temperatura (TCC):
±15% (X7R) / 0±30 ppm/℃ (NPO)
Fattore di qualità (valore Q):
minimo 1000 a 1 MHz
Fattore di dissipazione (DF / Tan δ):
≤0,15% a 1 kHz, 1 Vrms
Concentrazione di drogaggio del substrato:
1e15 cm^-3
Densità della trappola dell'interfaccia:
1e10 cm^-2 eV^-1
Tensione di rottura:
10 v
Evidenziare:

Condensatore Monostrato a Doppia Faccia

,

Condensatore a Bassa ESR da 100pF

,

Condensatore a Bassa ESR da 50V

Descrizione di prodotto

HACC101S10V500 SLC a doppio bordo (100pF,50V)

 

Che cos'è un condensatore a doppio lato bordato a singolo strato?
Per l'imballaggio microelettronica ad alta affidabilità, è fondamentale fissare sia la parte superiore che quella inferiore di un condensatore a chip.L'HACC101S10V500 è progettato come condensatore a singolo strato a doppio lato (margine).

 

A differenza delle varianti a bordo singolo, questo chip presenta un bordo ceramico esposto e non metallizzato (Margine) sia sulla superficie superiore che sulla superficie inferiore.

•Margine massimo:Previene i cortocircuiti di legame del filo d'oro da deviazioni accidentali di allineamento.
•Margine inferiore:Impedisce l'emigrazione di epoxi d'argento conduttivi (ad esempio H20E) sulle pareti laterali verticali del chip durante il montaggio della matrice inferiore.

 

Questa architettura a doppia barriera garantisce che, anche in una produzione automatizzata e di grandi volumi, il tasso di cortocircuito indotto dall'epossidica sia ridotto a zero assoluto.

 

La scienza alla base della metallizzazione a film sottile del TaN/TiW/Ni/Au

L'HACC101S10V500 si distingue per la sua metallizzazione multi-livello TaN/TiW/Ni/Au (nitruro di tantallo / titanio-tungsteno / nichel / oro) su entrambi gli elettrodi (spessore ≥ 2,5 μm Min).Ecco perché questo complesso sistema di pellicole è fondamentale per i moduli a microonde:

1.TaN (nitrito di tantallo) strato:Funge da strato di adesione ultra-robusto, bloccando la metallizzazione al corpo dielettrico ceramico e impedendo l'elettroide di sbucciare sotto cottura ad alta temperatura.
2. Barriera TiW (titanio-tungsteno):Blocca la diffusione del rame o dei materiali sottostanti nello strato d'oro.
3Strato di barriera in nickel:Funziona come una barriera anti-lussatura standard dell'industria. Previene la lisciatura dell'oro (dissoluzione dell'oro in saldatura o epossidi) durante il riflusso ad alta temperatura o la cura dell'epossidio d'argento.
4.Au (Gold) Top Coat:Offre una superficie altamente soldata e non ossidante ottimizzata per il legame termossonico del filo d'oro (Au-wire-bonding), garantendo una straordinaria resistenza alla trazione.

 

Dimensioni

Condensatore Monostrato Bordato a Doppia Faccia 100pF 50V Condensatore a Bassa ESR

 

Le specifiche tecniche (HACC101S10V500)

Parametro tecnico Valore di specificazione certificato Prova/condizioni ambientali
Numero di modello HACC101S10V500  
Tipo di condensatore Fabbricazione a partire da prodotti di base Tipo di margine a doppio lato
Valore della capacità 100 pF ± 20% Misurato @ 1kHz, 1Vrms, 25°C, senza DCBias
Tensione nominale 50 V di corrente Gestione della tensione molto stabile
Temperature di funzionamento -55°C a +125°C Completamente conforme alle norme aerospaziali
Struttura del film superiore TaN/TiW/Ni/Au (> 2,5 um Min) Ottima resistenza alla trazione
Struttura della pellicola inferiore TaN/TiW/Ni/Au (> 2,5 um Min) Ottimizzato per l'attacco a stampo in argento epossidico
Assemblaggio compatibile Epossidio conduttivo (H20E) /saldatura Supporta il legame del filo d'oro

 

Migliori pratiche in materia di microassemblaggio e legame del filo
Per garantire la longevità meccanica dell'HACC101S10V500 nei vostri microcircuiti ibridi:

1.Montaggio epossidico conduttivo:
•Ottimizzato per l'epossidio d'argento conduttivo (ad esempio H20E).
•Profilo di cottura raccomandato: curare a 120°C per 30 minuti per ottenere una resistenza al taglio e una conduttività elettrica ottimali.
2.Area di sbarco per il collegamento del filo:
•Per evitare micro-fratture localizzate nella struttura in ceramica a strato unico, il filo/sfera di legame a filo d'oro deve atterrare ad una distanza di almeno 25 μm dal bordo esterno della pastiglia d'oro.
3- Ispezione dei muri laterali:
•Grazie al margine a doppio lato, il filetto di epossidi inferiore è contenuto in modo sicuro.

 

Domande frequenti

D1: Perché HACC101S10V500 è indicato a 50V mentre altri sono 100V?
   A:Il valore di 50 V consente l'uso di uno spessore dielettrico ottimizzato, consentendo un valore di capacità superiore di 100 pF in un pacchetto fisico estremamente compatto.Questo è l'ideale per basso voltaggio di alta capacità percorsi di disaccoppiamento in tees RF bias.

D2: Posso saldare direttamente agli elettrodi TaN/TiW/Ni/Au?
   A:Sì, lo strato di barriera in nichel (Ni) impedisce che l'oro si liquefichi in saldature senza piombo o con piombo durante il rientro ad alta temperatura, preservando l'integrità del giunto di saldatura.

Q3: Quali sono i requisiti di conservazione per evitare il fallimento dell'incollaggio?
   A:Conservare i condensatori in confezioni standard di waffle o gel-pack all'interno di un contenitore di azoto o di una scatola a secco a 20°C e 40°C e 60°C. In queste condizioni,la durata di conservazione è garantita per 1 anno con bondabilità incontaminata.