dettagli dei prodotti

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Condensatore a uno strato
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Condensatore Monostrato 22pF 50V con Bordatura e Barriera di Platino per Alta Frequenza

Condensatore Monostrato 22pF 50V con Bordatura e Barriera di Platino per Alta Frequenza

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC220S15V500
MOQ: 10
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Dimensioni del contorno:
0,38 × 0,38 × 0,15 mm
Struttura di metallizzazione:
In alto: TiW-Au (>=2,5 µm); In basso: TiW-Pt-Au (>=2,5 µm)
Processo adesivo:
Epossidico conduttivo H20E (polimerizzazione: 120°C / 30 min)
Distanza di collegamento dei cavi:
Posizione del legame del filo d'oro ≥25 µm dal bordo dell'elettrodo
Tipo di substrato:
Silicio di tipo P
Corrente di perdita:
1 Na
Tipo di pacchetto:
Chip
Evidenziare:

Condensatore Monostrato 22pF

,

Condensatore Monostrato 50V

,

Condensatore con Barriera di Platino per Alta Frequenza

Descrizione di prodotto

Riepilogo Tecnico ad Alta Frequenza
   L'HACC220S15V500 è un condensatore ceramico monostrato con bordo singolo ultra-miniaturizzato ad alta frequenza (SLC). Questo modello è progettato specificamente per il blocco DC a banda larga, l'accoppiamento RF e la sintonia a microonde nello spettro delle onde millimetriche fino a 40,0 GHz (coprendo microcircuiti ibridi a banda S, C, X, Ku, K e Ka). Fornendo una capacità ultra-bassa di 22 pF ± 10% e una tensione di lavoro continua nominale di 50 V, è racchiuso in un profilo incredibilmente compatto di 15 mil x 15 mil (0,38 mm x 0,38 mm) con un'altezza di profilo ultra-bassa di 0,15 mm.

   Progettato con una struttura a bordo singolo, l'elettrodo d'oro superiore presenta un margine ceramico isolante pulito. Questo bordo impedisce all'epossidico conduttivo di risalire o alla saldatura di fuoriuscire, cortocircuitando il dispositivo. L'elettrodo inferiore presenta una struttura completamente metallizzata e resistente alla lisciviazione della saldatura TiW-Pt-Au, che lo rende altamente compatibile sia con epossidici argentati che con saldature eutettiche ad alta temperatura.


Principali Vantaggi Prestazionali
   Accoppiamento a Onda Millimetrica a Banda Larga (0,8 - 40,0 GHz): Grazie alla sua capacità ultra-bassa (22 pF) e alle dimensioni microscopiche, presenta una perdita di inserzione eccezionalmente bassa e un'alta frequenza di auto-risonanza (SRF), comportandosi come un elemento di trasmissione quasi perfetto.
   Prevenzione del Margine Isolante: Il bordo ceramico a lato singolo funge da diga fisica per impedire all'epossidico argentato conduttivo di risalire sull'elettrodo superiore, garantendo un attacco del die affidabile e privo di cortocircuiti.
   Metallizzazione Asimmetrica (Barriera di Saldatura Pt): Il contatto superiore ha TiW-Au (minimo 2,5 µm) per la saldatura termica di fili d'oro. Il fondo ha TiW-Pt-Au (minimo 2,5 µm) dove lo strato di Platino (Pt) funge da barriera premium contro il recupero/lisciviazione dell'oro.
  Altezza del Profilo Ultra-Bassa: A soli 0,15 mm, si posiziona perfettamente piatto all'interno di cavità RF microscopiche, minimizzando l'induttanza parassita.


Dimensioni Complessive

Condensatore Monostrato 22pF 50V con Bordatura e Barriera di Platino per Alta Frequenza


Scheda Tecnica Parametri Completa

Specifiche Categoria Nome Parametro Tecnico Valori Garantiti Condizioni di Test / Misurazione
Specifiche Elettriche Capacità Nominale 22 pF (+10% Tolleranza @ 1kHz,1Vrms, 25°C)
Tensione di Lavoro Nominale (DC) 50 V (Massima valutazione continua)
Fattore di Dissipazione (DF) ≤1,5% Testato a 1 kHz, 1,0 Vrms, 25°C
Resistenza di Isolamento (IR) ≥104 Testato a tensione nominale DC, 25°C
Banda di Frequenza Raccomandata 0,8 -40,0 GHz (Accoppiamento a Banda Larga e Blocco DC)
Geometria Fisica Dimensioni del Profilo 0,38 x 0,38 x 0,15 mm (Lunghezza x Larghezza x Altezza / 15 x 15 x 6 mil)
Architettura di Progettazione Bordo Singolo Margine ceramico isolante esposto sulla superficie superiore
Stack di Metallizzazione Metallizzazione Superficie Superiore TiW-Au Ottimizzato per la saldatura d'oro (spessore ≥2,5 µm)
Metallizzazione Superficie Inferiore TiW-Pt-Au Barriera di Platino resistente alla lisciviazione (spessore ≥2,5 µm)
Processi di Assemblaggio Adesione di Montaggio Epossidico Conduttivo/Saldatura Adatto per epossidico argentato H20E / eutettico AuSn
Connessione Interconnessione Filo d'Oro / Nastro Compatibile con saldatura termica di filo d'oro
Affidabilità e Qualità Temperatura Operativa -55 a +125 °C (Grado Industriale e di Sicurezza Nazionale)
Temperatura di Stoccaggio e UR 20-25°C, 40%-60% UR Ambiente in camera bianca
Durata di Conservazione Garantita 1 Anno (In condizioni di stoccaggio ottimali)


Ingegneria dello Stack di Metallizzazione a Film Sottile
Per garantire una saldatura affidabile sulla parte superiore e prevenire il recupero della saldatura sulla parte inferiore, l'HACC220S15V500 utilizza un sistema di metallizzazione a film sottile ad alta affidabilità:

Lato Metallizzazione Strato Metallico Materiale Sputterizzato Spessore Standard Strato Funzione Metallurgica e IngegneriaValore
Contatto Superiore TiW (Titanio-Tungsteno) TiW (Titanio-Tungsteno) Legame di base simmetrico alla ceramica inferiore. Fornisce un legame chimico altamente stabile e bloccante l'ossigeno al substrato ceramico; previene il distacco.Finitura di Saldatura
≥2,5 µm Finitura inferiore saldabile e compatibile con epossidici. Superficie priva di ossidi ottimizzata per la saldatura termica di filo d'oro e la saldatura a cuneo. Contatto Inferiore
Adesione e Barriera TiW (Titanio-Tungsteno) Base Sputterizzata Legame di base simmetrico alla ceramica inferiore. Strato Barriera
Pt (Platino) Barriera Sputterizzata Barriera ad alta densità che impedisce all'oro di diffondersi o dissolversi nelle saldature/epossidici sotto stress termico Finitura di SaldaturaAu (Oro)
≥2,5 µm Finitura inferiore saldabile e compatibile con epossidici. Guida all'Ingegneria dei Parametri S e all'Assemblaggio Sub-Millimetrico Per massimizzare l'accoppiamento ad alta frequenza e l'efficienza di bypass, prevenendo al contempo danni meccanici, gli ingegneri di assemblaggio devono attenersi alle seguenti linee guida:


Procedura Operativa Standard Epossidico Argentato Conduttivo Epotek H20E
   Specifiche Adesivo: Utilizzare epossidico argentato conduttivo ad alta affidabilità e a bassa emissione di gas (es. Epotek H20E).


   Linee Guida di Erogazione: Applicare un punto microscopico di epossidico. Grazie al bordo ceramico superiore sull'HACC220S15V500, l'epossidico è fisicamente impedito dal collegarsi al contatto superiore.
   Profilo di Cura Termica: Curare a 120°C per 30 minuti (o alternativamente 150°C per 15 minuti) con un raffreddamento lento per eliminare lo shock termico sul substrato ceramico.
Vincoli di Saldatura di Filo e Nastro d'Oro
   Metodo di Saldatura: Compatibile con saldatura termica di filo d'oro (ball-stitch o wedge-wedge) e saldatura di nastro d'oro.


   Distanza di Saldatura Sicura: La punta di saldatura o il capillare devono atterrare sul pad d'oro superiore ad almeno 25 µm dal bordo dell'elettrodo. Saldare troppo vicino al bordo ceramico causerà forze di taglio localizzate, rischiando il distacco dell'oro o micro-crepe nel dielettrico.
   Forza di Saldatura: Controllare la pressione del capillare per evitare la micro-frattura del sottile wafer ceramico da 0,15 mm.
Domande Frequenti
D1: Qual è il vantaggio della metallizzazione inferiore TiW-Pt-Au sull'HACC220S15V500?


  R:
Durante la saldatura di filo d'oro o il riflusso di saldatura ad alta temperatura, gli elettrodi placcati in oro standard possono soffrire di "recupero dell'oro", dove l'oro si dissolve o migra nel mezzo di montaggio, indebolendo il legame. La parte inferiore dell'HACC220S15V500 presenta uno strato barriera di Platino (Pt) sputterizzato tra la base TiW e la finitura Au. Il Platino agisce come un blocco di diffusione altamente efficace che non si dissolve nelle saldature, garantendo un'adesione meccanica assoluta e una connessione a bassa resistenza altamente affidabile.
D3: Perché questo modello utilizza un design a bordo singolo invece di un design a bordo doppio?  R:

Nello spettro delle onde millimetriche (es. banda K, banda Ka), l'induttanza e la resistenza parassite devono essere minimizzate. I condensatori multistrato (MLCC) hanno un'induttanza parassita (ESL) relativamente alta a causa della loro struttura multi-elettrodo, che porta all'auto-risonanza a frequenze più basse. L'HACC220S15V500 è un condensatore monostrato con un percorso ultra-corto simile a un coassiale, che produce ESL ed ESR eccezionalmente bassi. Con una minuscola capacità di 22 pF e un'impronta microscopica di 15 mil, la sua frequenza di auto-risonanza è estremamente alta, permettendogli di comportarsi come un elemento di trasmissione quasi ideale fino a 40 GHz.
D3: Perché questo modello utilizza un design a bordo singolo invece di un design a bordo doppio?   

R:
Il design a bordo singolo è ottimizzato per la massima area di contatto di terra. Mantenendo l'elettrodo inferiore completamente metallizzato (senza bordo), il condensatore ottiene un'area di contatto di saldatura più ampia sull'alloggiamento del substrato. Ciò massimizza il contatto di terra elettrico, producendo l'impedenza RF più bassa possibile e un eccellente trasferimento di calore, mentre l'elettrodo superiore con bordo fornisce una protezione al 100% contro i cortocircuiti.