Einzelheiten zu den Produkten

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Einlagekondensator
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100pF 50V Breitbandkondensator 0,4 GHz - 40 GHz Low ESR Kondensator Golddrahtbondung

100pF 50V Breitbandkondensator 0,4 GHz - 40 GHz Low ESR Kondensator Golddrahtbondung

Markenname: Hoan
Modellnummer: HACC101S15V500
Mindestbestellmenge: 10
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Produktkategorie:
Einschichtiger Chipkondensator (SLC)
Kapazität:
100 pF ± 10 %
Frequenzbereich:
0,4 - 40,0 GHz
Klebeprozess:
Leitfähiges Epoxidharz H20E (Aushärtung: 120 °C / 30 Min.)
Substrattyp:
P-Typ- oder N-Typ-Silizium
Tormaterial:
Polysilizium oder Metall
Temperaturbereich:
-55°C zu 125°C
Hervorheben:

100pF Breitbandkondensator

,

50V Breitbandkondensator

,

40GHz Low ESR Kondensator

Produkt-Beschreibung

HACC101S15V500 Einzelschicht-Chipkondensator 100pF 50V mit Rand SLC (0,4-40GHz)


Technischer Hochfrequenz-Überblick
   Der HACC101S15V500 ist ein ultraminiaturisierter, hochzuverlässiger Einzelschicht-Chipkondensator (SLC), der speziell für Breitband-DC-Blockierung (Kopplung), HF-Bypass und Impedanzanpassung in aktiven Mikrowellenschaltungen entwickelt wurde. Mit nur 0,38 mm × 0,38 mm und einer extrem geringen Bauhöhe von 0,15 mm liefert dieser Miniatur-Chip eine stabile Kapazität von 100 pF ± 10 % und ist für eine Dauerbetriebsspannung von 50 V ausgelegt.

   Der HACC101S15V500 ist mit einer einseitig gerändelten Struktur konzipiert und verfügt über einen sauberen Keramikrand um das obere Elektrodenpad. Diese physische Barriere verhindert, dass leitfähiger Epoxidharz-Aufstieg oder Lot-Ausbluten das Gerät während der Die-Befestigung kurzschließen. Optimiert für das Spektrum von 0,4 GHz bis 40,0 GHz bietet er hervorragende Einfügungsdämpfung, geringe parasitäre Induktivität und stabile S-Parameter unter anspruchsvollen taktischen Temperaturbedingungen von -55°C bis +125°C.


Wichtige Leistungsvorteile
   •Breitband-Millimeterwellen-Kopplung (0,4 - 40,0 GHz): Bietet außergewöhnlich geringe Einfügungsdämpfung und hohe Eigenresonanzfrequenz (SRF) und dient als idealer DC-Blocker.
   •Schutz vor Lötbrücken (gerändeltes Design): Der isolierende Rand um das obere Goldpad schützt den Kondensator vor versehentlichen Kurzschlüssen während der Montage mit leitfähigem Silber-Epoxidharz.
   •Schwere Goldmetallisierung: Verfügt über eine dicke TiW-Au (mind. 4,0 µm) obere Elektrode, die eine ausgezeichnete Oberfläche für thermische Golddrahtbondung, Ball-Bonding oder Bandbondung bietet.
   •Bereit für Eutektikum & Epoxidharz unten: Gebaut mit einer Ti-Pt-Au (mind. 0,5 µm) unteren Elektrode, die eine robuste, nicht wandernde Schnittstelle bietet, die mit leitfähigem Epoxidharz H20E und Au-Sn-Eutektikum-Löten kompatibel ist.


Gesamtabmessungen

100pF 50V Breitbandkondensator 0,4 GHz - 40 GHz Low ESR Kondensator Golddrahtbondung


Umfassendes Parameter-Datenblatt

Technisches Feld Spezifisches Attribut Zertifizierter Wert Maßeinheit / Bedingungen
Elektrische Leistung Nennkapazität 100 pF (+10% Toleranz @ 1kHz, IVrms, 25°C)
Nennbetriebsspannung (DC) 50 V (Maximal kontinuierlich)
Empfohlener Frequenzbereich 0,4-40,0 GHz (Breitbandkopplung/DC-Blockierung)
Physikalische Geometrie Außenmaße 0,38 x 0,38 x 0,15 mm (Länge x Breite x Höhe)
Physikalische Architektur Einseitig gerändelt Isolierender Keramikrand
Metallisierungssystem Obere Elektrodenmetallisierung TiW-Au Titan-Wolfram-Gold (≥4,0 m Dicke)
Untere Elektrodenmetallisierung Ti-Pt-Au Titan-Platin-Gold (≥0,5 um Dicke)
Montageprozesse Haftung der Montage Leitfähiges Epoxidharz / Lot Optimiert für Silber-Epoxidharz H20E / AuSn
Verbindungsleitung Golddraht/Bandbond Kompatibel mit thermischer Drahtbondung
Zuverlässigkeit & Qualität Betriebstemperatur -55 bis +125 ℃ (Industrie- & Taktik-Qualität)
Empfohlene Lagerung 20-25°C, 40%-60% RH Reinraumbedingungen
Garantierte Haltbarkeit 1 Jahr (Unter Lagerbedingungen)


S-Parameter-Engineering & Sub-Millimeter-Montageanleitung
   Um die Breitbandkopplungsantwort zu maximieren und mechanische oder elektrische Ausfälle während der Hybridmontage zu verhindern, müssen Mikrowelleningenieure diese präzisen technischen Anweisungen befolgen:


Epotek H20E Silber-Epoxidharz-Bonding SOP
   Die untere Elektrode des HACC101S15V500 ist für die Montage mit leitfähigem Silber-Epoxidharz optimiert:

   •Auswahl des Klebstoffs: Verwenden Sie hochwertiges, hochleitfähiges Epoxidharz (wie Epoxy Technology H20E).
   •Auftragen: Tragen Sie eine mikroskopische, kontrollierte Menge Epoxidharz auf das Gehäusepad auf. Überschüssiges Epoxidharz wird austreten.
   •Aushärtungsprofil: Backen/härten Sie die Baugruppe genau 30 Minuten bei 120°C aus. Stellen Sie sicher, dass die Temperaturrampe kontrolliert wird, um thermische Schocks am hochdielektrischen Keramiksubstrat zu vermeiden.


Präzisions-Golddraht-Bonding-Grenzen
   •Drahtmaterial: Es wird hochreiner Gold (Au)-Draht von 0,7 mil bis 1,0 mil (18 µm bis 25 µm) empfohlen.
   •Sicherer Bondabstand: Der Bondkeil oder die Ball-Kapillare muss das obere Goldpad mindestens 25 µm vom äußeren Rand der Elektrode (Rand) entfernt treffen. Zu nah am Keramikrand zu bonden, verursacht mechanische Scherbelastungen, die zu Abplatzen der Goldelektrode, Rissen im Dielektrikum oder kapazitiven Ausfällen führen.
   •Kapillarparameter: Minimieren Sie die Ultraschallleistung und die Anpresskraft, um das Brechen des dünnen 0,15 mm Keramikwafers zu verhindern.


Vergleichende technische Matrix (HACC101S15V500 vs. Standard-SLC)

Technischer Vergleichsfaktor HACC101S15V500 (gerändelter SLC) Standard-Nicht-gerändelter SLC
Physikalische obere Struktur Goldpad, umgeben von einem isolierenden Keramikrand. Goldmetallisierung bedeckt die gesamte Oberfläche zu 100%.
Schutz vor Epoxidharz-Ausbluten Hervorragend. Isolierender Rand verhindert Silber-Epoxidharz-Brückenbildung. Hohes Risiko. Silber-Epoxidharz kann leicht die Seitenwand hochklettern und Ober-/Unterseite kurzschließen.
Drahtbond-Puffer Schweres TiW-Au (> 4,0 um) Gold absorbiert hohe Ultraschallbelastung. Standard-Flash-Gold (< 1,0 um) ist anfällig für "Bonding-Durch"
Lötmontage-Toleranz Hervorragend für AuSn-Eutektikum-Löten. Anfällig für Lötbrücken entlang der Außenwände.
Automatisierungs-Eignung Extrem hoch. Ermöglicht sicheres Hochgeschwindigkeits-Pick & Place. Erfordert präzises Klebstoffauftragen mit geringer Toleranz.


Testdaten

100pF 50V Breitbandkondensator 0,4 GHz - 40 GHz Low ESR Kondensator Golddrahtbondung


FAQ
F1: Was ist der Vorteil der TiW-Au-Top-Metallisierung mit einer Mindestdicke von 4,0 µm?
   A:Eine dicke Gold-Top-Elektrode ist entscheidend für zuverlässiges Golddraht-Bonding. Standard-Chipkondensatoren mit dünnen Goldschichten (<= 1,0 µm) können unter thermischer Belastung unter "Bonding-Durch" oder Gold-Epoxid-Intermetall-Lochbildung leiden, was dazu führt, dass der Bonddraht abzieht oder sich löst. Das mindestens 4,0 µm dicke Gold auf dem HACC101S15V500 wirkt als robuster mechanischer Puffer, der die Energie des Ultraschallkeils/Balls absorbiert und eine unglaublich starke, langlebige Drahtschweißung gewährleistet.

F2: Warum wird der HACC101S15V500 für Hochfrequenzkopplung bis 40 GHz empfohlen?
   A:Im Gegensatz zu Mehrschicht-Keramikkondensatoren (MLCCs), die unter hoher parasitären Induktivität (ESL) und mehreren Eigenresonanzen im niedrigen Gigahertz-Bereich leiden, hat ein Einzelschichtkondensator (SLC) wie der HACC101S15V500 einen geradlinigen, koaxialähnlichen Strompfad. Dies führt zu einer außergewöhnlich geringen äquivalenten Serieninduktivität und einem geringen Serienwiderstand (ESR). Er verhält sich als nahezu perfektes Übertragungselement und behält flache Kopplungs-S-Parameter mit geringer Einfügungsdämpfung bis zu 40 GHz bei.

F3: Kann dieser Kondensator mit Standard-Zinn-Blei- oder bleifreiem Reflow gelötet werden?
   A:Nein, Standard-Reflow wird aufgrund der winzigen Größe des Chips von 0,38 mm nicht empfohlen. Die bevorzugte Montagemethode für die untere Elektrode ist leitfähiges Epoxidharz (wie H20E) oder Gold-Zinn (80/20 AuSn) Eutektikum-Vorform-Löten. Standard-Zinn-Blei-Lot laugt das Gold auf den Elektroden aus und schwächt die mechanische und elektrische Verbindung.