Ürün ayrıntıları

Evde Ürünler

Sıkı Tolerans Kapasitans Eşleştirilmiş MOS Kapasitörler 220pF 100V CTE Optimize Edilmiş Tek Katmanlı Çip GaN SiC Güç Modülleri için

Name: Sıkı Tolerans Kapasitans Eşleştirilmiş MOS Kapasitörler 220pF 100V CTE Optimize Edilmiş Tek Katmanlı Çip GaN SiC Güç Modülleri için
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC221S100V502
Price: Pazarlık edilebilir USD
Availability: InStock

Marka Adı:	Hoan
Model Numarası:	HACC221S100V502
Adedi:	10 adet
Ödeme Koşulları:	L/C,D/A,D/P,T/T

Detay Bilgisi

Ürün Tanımı

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Şaanksi, Çin

Sertifika:

ISO 9001:2015, RoHS

Kapasite Eşleştirme:

Plaka / levhadan levhaya (dijital levha haritası) %1'in altında eşleşen setler

CTE Maçı:

Silikon 2,6 ppm/°C, GaN/SiC güç alt katmanlarıyla uyumlu

Çalışma / Depolama Sıcaklığı:

-55°C ila +200°C / -65°C ila +150°C

Çip Boyutları:

0,55 × 0,55 × 0,18 mm (±25 µm); 4:1 en boy oranına kadar özel geometri

Metalleşme:

TiW-Au üst (≥2,5 µm Au) / TiW-Pt-Au arka taraf (yalnızca Au mevcuttur)

Montaj Tipi:

Tel Bağlanabilir / AuSn Ötektik / Lehim / İletken Epoksi

Vurgulamak:

%1'in Altında Kapasitans Eşleşmeli MOS Kapasitör

220pF 100V MOS Kapasitör

CTE Optimize Edilmiş Tek Katmanlı Çip Kapasitör

Ürün Tanımı

HACC221S100V502 hassas MOS Kondensatörü 220 pF 100 V, GaN ve SiC güç substratları için %1 alt kapasitans eşleşmesi ve CTE optimizasyonu ile

HACC221S100V502, bir 220 pF ± 10% tek katmanlı MOS (metal oksit-yarım iletken) kapasitörüdür ve 100 V DC'ye sahip, yüzme bölgesi silikon (> 1000 Ω · cm) üzerinde 300 nm sınıfı termal SiO ile üretilmiştir.₂Dielektrik ve TiW-Au / TiW-Pt-Au metalleşmesi. Standart yonga şekli 0,55 mm × 0,55 mm × 0,18 mm (± 25 μm) dir.Geniş bant aralığı güç modülleri için tasarlanmıştır, burada çift çift kapasitans simetri ve güç döngüsü altında termo-mekanik güvenilirlik devrenin performansını belirler..

Silikon MOS yapısı doğrudan tek kristal silikon substrat üzerinde oluştuğu için, termal genişleme katsayısı (CTE, 2.6 ppm/°C) doğal olarak silikon karbür ve GaN-SiC güç cihazlarına yakın .

%1 altındaki hassas kapasitans Waferler arasında eşleşme

Wafer düzeyinde sıralama hizmeti:Kondansatörler %100 elektrikle araştırılır ve birbirine eşleşen setlerin, wafer pozisyonunda, waferden wafer'e ve lottan lot'a kadar %1 kapasitans dağılımı içinde kalması için sınıflandırılır.
Eşleşen çiftler ve diziler, dijital wafer haritası belgeleri ve wafer parti başına tam parti izlenebilirliği ile birlikte gönderilir.
Çok istikrarlı SiO₂Dielektrik, tüm -55 °C'den +200 °C'ye kadar ve DC yanlısı durumunda (TCC +35 ppm/°C) küçük bir eşleşme akışını korur.
Dengeli yarı köprü geçidi sürücüsü, kapasitans simetriği anahtarlama dengesini ve EMI'yi kontrol ettiği snubber ve bölücü ağlar için idealdir.

Elektriksel özellikler (tipik, belirtilmedikçe 25°C)

İsimsel Kapasite	220 pF ±10% (1 kHz, 1.0 Vrms); %1'lik bir yayılımla eşleşen kümeler mevcuttur.
Adlık Voltaj	100 V DC
Dielektrik Dayanıklı Voltaj	250 V DC (250% nominal, 5 s, 100% test)
Sıcaklık katsayısı (TCC)	+35 ppm/°C -55°C'den +200°C'ye kadar
Çözüm faktörü	1 kHz, 1.0 Vrms'te ≤0,15%
Q faktörü	1 MHz'de >2000; 1 GHz'de >200
1 GHz'te ESR	<0,1 Ω
İçsel Çip ESL	<0,05 nH (de-embedded); çip seviyesinde SRF >1,5 GHz; sistem SRF >500 MHz 0,5 mm Au bağ teline sahip
Sızıntı akımı	25°C'de <10 nA; 200°C'de <500 nA (not geriliminde)
İzolasyon Direnci	≥ 10⁴MΩ nominal voltajda, 25°C
ESD Toleransı	>2 kV HBM, JESD22-A114'e göre Sınıf 2
Çalışma / Depolama sıcaklığı	-55°C'den +200°C'ye / -65°C'den +150°C'ye
Standart ölçek	0.55 × 0,55 × 0,18 mm (± 25 μm); özel geometri, 4'e kadar olan boyut oranı:1
Metalleşme	TiW-Au üst kısmı (≥2,5 μm Au, tel bağlanabilir); TiW-Pt-Au arka tarafı (AuSn / lehim / gümüş epoksi) veya sadece Au arka tarafı

Tipik Uygulamalar

GaN ve SiC güç modüllerinde kapı sürücüsü ve snubber koplama; hibrit güç modülleri ve çekiş invertörleri; yerleşik şarj cihazları ve yüksek yoğunluklu DC-DC dönüştürücüler; RF güç amplifikatörleri kayıtsızlık ağları;ve CTE'nin eşleştiği herhangi bir birlikte paketlenmiş güç kümesi, eşleşen kapasitans ve düşük indüktansa ihtiyaç duyulur.

Sıkı Tolerans Kapasitans Eşleştirilmiş MOS Kapasitörler 220pF 100V CTE Optimize Edilmiş Tek Katmanlı Çip GaN SiC Güç Modülleri için

Etiketler:

Konik İndüktör

Geniş bant indüktörleri

Hava çekirdekli indüktör

hava bobini indüktörü

MOS Kapasitörler