รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ความอดทนที่เข้มข้น ความจุที่ตรงกับ MOS Capacitors 220pF 100V CTE ชิปชั้นเดียวที่ปรับปรุงให้ดีสําหรับ GaN SiC Power Modules

Name: ความอดทนที่เข้มข้น ความจุที่ตรงกับ MOS Capacitors 220pF 100V CTE ชิปชั้นเดียวที่ปรับปรุงให้ดีสําหรับ GaN SiC Power Modules
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC221S100V502
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC221S100V502
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L/C,D/A,D/P,T/T

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015, RoHS

การจับคู่ความจุ:

ชุดที่จับคู่ต่ำกว่า 1% ทั่วทั้งเวเฟอร์ / เวเฟอร์ถึงเวเฟอร์ (แผนที่เวเฟอร์ดิจิทัล)

การแข่งขันซีทีอี:

ซิลิคอน 2.6 ppm/°C จับคู่กับซับสเตรตพลังงาน GaN/SiC

อุณหภูมิในการทำงาน / การเก็บรักษา:

-55°C ถึง +200°C / -65°C ถึง +150°C

ขนาดชิป:

0.55 × 0.55 × 0.18 มม. (±25 µm); รูปทรงเรขาคณิตที่กำหนดเองได้สูงสุดถึงอัตราส่วน 4:1

โลหะ:

TiW-Au ด้านบน (≥2.5 µm Au) / ด้านหลัง TiW-Pt-Au (มีเฉพาะ Au เท่านั้น)

ประเภทการติดตั้ง:

ลวดเชื่อมติดได้ / AuSn Eutectic / บัดกรี / อีพ็อกซี่นำไฟฟ้า

เน้น:

ตัวเก็บประจุ MOS ที่จับคู่ค่าความจุต่ำกว่า 1%

ตัวเก็บประจุ MOS 220pF 100V

ตัวเก็บประจุแบบชิปชั้นเดียวที่ปรับให้เหมาะสมกับ CTE

คําอธิบายสินค้า

HACC221S100V502 เครื่องปรับความแม่นยํา MOS ¥ 220 pF 100 V พร้อมการจับคู่ความจุและ CTE ที่สมบูรณ์แบบสําหรับ GaN & SiC Power Substrate

HACC221S100V502 เป็นตัวประกอบความหนา MOS (โลหะ-ออกไซด์-ครึ่งประจุ) แบบชั้นเดียว 220 pF ± 10% ที่มีกําลัง 100 V DC ผลิตจากซิลิคอนโซนลอย (> 1000 Ω · cm) ด้วยความร้อน SiO 300 nm₂ภาพลักษณะชิปแบบมาตรฐานคือ 0.55 mm × 0.55 mm × 0.18 mm (± 25 μm)มันถูกออกแบบให้กับโมดูลพลังงานแบนด์ก๊อปขนาดใหญ่ โดยที่ความสมดุลของความจุของคู่ต่อคู่ และความน่าเชื่อถือของเทอร์โมเมกานิค ภายใต้วงจรพลังงานจะกําหนดผลงานวงจร.

เนื่องจากโครงสร้าง MOS ซิลิคอนถูกสร้างโดยตรงบนสับสราตซิลิคอนคริสตัลเดียว คออฟเฟกชั่นของการขยายความร้อน (CTE, 2.6 ppm/°C) เป็นที่ใกล้ชิดกับอุปกรณ์พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์และ GaN-on-SiC.

ความละเอียดความละเอียดต่ํากว่า 1%

บริการคัดเลือกระดับแผ่น:คอนเดเซนเตอร์ถูกตรวจสอบและจัดลําดับด้วยไฟฟ้า 100% เพื่อให้ชุดที่ตรงกันที่ส่งไปด้วยกันอยู่ภายในความแตกต่างของความจุ < 1% ระหว่างตําแหน่งของวอล์ฟ, วอล์ฟต่อวอล์ฟและชุดต่อชุด
คู่ที่ตรงกันและ arrays ถูกส่งพร้อมกับการบันทึกการแผนที่ wafer ดิจิตอลและการติดตามชุดเต็มต่อชุด wafer;
SiO ที่มีความมั่นคงทางความร้อนสูง₂หมุนไฟฟ้าดียิเลคทริครักษาการคลื่นที่ตรงกันน้อยในช่วง -55 °C ถึง +200 °C และภายใต้ความเสื่อมของ DC (TCC +35 ppm/°C)
เหมาะสําหรับการขับเคลื่อนเกตครึ่งสะพานที่สมดุล, เครือข่าย snubber และ divider ที่ความสมดุลของ capacitance ควบคุมการสลับสมดุลและ EMI

คุณสมบัติไฟฟ้า (ทั่วไป 25 °C เว้นแต่ระบุไว้)

ความจุชื่อ	220 pF ±10% (1 kHz, 1.0 Vrms); ชุดที่ตรงกันได้ที่มีการกระจายได้ < 1%
ความดันเฉพาะ	100 วอลต์ DC
ความดันทนทานแบบแบบดียิเลคทริก	250 V DC (250% เรียบค่า, 5 s, 100% ทดสอบ)
คออฟเฟกชั่นอุณหภูมิ (TCC)	+35 ppm/°C มากกว่า -55°C ถึง +200°C
ปัจจัยการระบาย	≤ 0.15% ที่ 1 kHz, 1.0 Vrms
ปัจจัย Q	> 2000 ที่ 1 MHz > 200 ที่ 1 GHz
ESR ในระดับ 1 GHz	< 0.1 Ω
ชิปภายใน ESL	< 0.05 nH (ถอนการจําแนก); SRF ระดับชิป > 1.5 GHz; SRF ระบบ > 500 MHz กับสายเชื่อม Au 0.5 mm
กระแสรั่ว	< 10 nA ที่ 25°C; < 500 nA ที่ 200°C (ในแรงดันนาม)
ความต้านทานต่อการปิด	≥10⁴MΩ ในระดับความดัน 25°C
ความอดทนของ ESD	> 2 kV HBM ประเภท 2 ตาม JESD22-A114
อุณหภูมิการทํางาน / การเก็บรักษา	-55°C ถึง +200°C / -65°C ถึง +150°C
ขนาดแบบมาตรฐาน	0.55 × 0.55 × 0.18 มิลลิเมตร (± 25 μm); กณิตศาสตร์ตามความต้องการ, อัตราส่วนด้านสูงถึง 4:1
โลหะ	TiW-Au ท็อป (≥2.5 μm Au, ผูกสาย); TiW-Pt-Au ด้านหลัง (AuSn / solder / epoxy เงิน) หรือ ด้านหลัง Au เท่านั้น

การใช้งานทั่วไป

การขับเคลื่อนประตูและการแยกกันของ snubber ในโมดูลพลังงาน GaN และ SiC; โมดูลพลังงานไฮบริดและเครื่องแปลงแรงดึง; เครื่องชาร์จบนเครื่องและเครื่องแปลง DC-DC ความหนาแน่นสูง; เครือข่ายการกระตุ้นความแรง RFและการประกอบพลังงานที่รวมกันใด ๆ ที่ CTE ตรงกัน, ความจุที่เหมาะสมและความจุต่ําที่จําเป็น

ความอดทนที่เข้มข้น ความจุที่ตรงกับ MOS Capacitors 220pF 100V CTE ชิปชั้นเดียวที่ปรับปรุงให้ดีสําหรับ GaN SiC Power Modules

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS