rincian produk

Rumah Produk

Kapasitas Toleransi ketat yang dicocokkan Kapasitor MOS 220pF 100V CTE Chip lapisan tunggal yang dioptimalkan untuk modul daya GaN SiC

Name: Kapasitas Toleransi ketat yang dicocokkan Kapasitor MOS 220pF 100V CTE Chip lapisan tunggal yang dioptimalkan untuk modul daya GaN SiC
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC221S100V502
Price: Bisa dinegosiasikan USD
Availability: InStock

Nama Merek:	Hoan
Nomor Model:	HACC221S100V502
MOQ:	10 buah
Ketentuan Pembayaran:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Shaanxi, Tiongkok

Sertifikasi:

ISO 9001:2015, RoHS

Pencocokan Kapasitansi:

Sub-1% set yang cocok di seluruh wafer / wafer-ke-wafer (peta wafer digital)

Pertandingan CTE:

Silikon 2,6 ppm/°C, disesuaikan dengan substrat daya GaN/SiC

Suhu Pengoperasian / Penyimpanan:

-55°C hingga +200°C / -65°C hingga +150°C

Dimensi Keping:

0,55 × 0,55 × 0,18 mm (±25 µm); geometri khusus hingga rasio aspek 4:1

METALIZASI:

TiW-Au bagian atas (≥2,5 µm Au) / TiW-Pt-Au bagian belakang (hanya tersedia Au)

Tipe Pemasangan:

Kawat Berikat / AuSn Eutectic / Solder / Epoxy Konduktif

Menyoroti:

Kapasitor MOS dengan kapasitansi cocok sub-1%

Kapasitor MOS 220pF 100V

Kapasitor chip lapisan tunggal yang dioptimalkan CTE

Deskripsi Produk

Kapasitor MOS Presisi HACC221S100V502 — 220 pF 100 V dengan Pencocokan Kapasitansi Sub-1% dan Optimalisasi CTE untuk Substrat Daya GaN & SiC

HACC221S100V502 adalah kapasitor MOS (metal-oxide-semiconductor) tunggal 220 pF ±10% dengan rating 100 V DC, dibuat di atas silikon float-zone (>1000 Ω·cm) dengan SiO termal kelas 300 nm₂ dielektrik dan metalisasi TiW-Au / TiW-Pt-Au. Ukuran chip standar adalah 0,55 mm × 0,55 mm × 0,18 mm (±25 µm). Kapasitor ini direkayasa untuk modul daya pita lebar (wide-bandgap) di mana simetri kapasitansi pasangan-ke-pasangan dan keandalan termomekanik di bawah siklus daya menentukan kinerja sirkuit.

Karena struktur MOS silikon terbentuk langsung pada substrat silikon kristal tunggal, koefisien ekspansi termalnya (CTE, 2,6 ppm/°C) secara inheren dekat dengan silikon karbida dan perangkat daya GaN-on-SiC — sebuah keuntungan dibandingkan kapasitor keramik berbasis alumina ketika dikemas bersama pada substrat daya.

Pencocokan Kapasitansi Presisi Sub-1% di Seluruh Wafer

Layanan penyortiran tingkat wafer: kapasitor diuji secara elektrik 100% dan disortir sehingga set yang cocok dikirim bersama tetap berada dalam<1% penyebaran kapasitansi, di seluruh posisi wafer, dari wafer ke wafer, dan dari lot ke lot;
Pasangan dan susunan yang cocok dikirim dengan dokumentasi peta wafer digital dan ketertelusuran lot penuh per lot wafer;
Dielektrik SiO termal ultra-stabil₂ menjaga penyimpangan pencocokan tetap kecil di seluruh rentang -55°C hingga +200°C dan di bawah bias DC (TCC +35 ppm/°C);
Ideal untuk jaringan penggerak gerbang setengah jembatan yang seimbang, snubber, dan pembagi di mana simetri kapasitansi mengontrol keseimbangan switching dan EMI.

Karakteristik Listrik (tipikal, 25°C kecuali dicatat)

Kapasitansi Nominal	220 pF ±10% (1 kHz, 1,0 Vrms); set yang cocok dengan penyebaran <1% tersediaTegangan Terukur
100 V DC	Tegangan Tahan Dielektrik
250 V DC (250% terukur, 5 detik, 100% teruji)	Koefisien Suhu (TCC)
+35 ppm/°C selama -55°C hingga +200°C	Faktor Disipasi
≤0,15% pada 1 kHz, 1,0 Vrms	Faktor Q
>2000 pada 1 MHz; >200 pada 1 GHz	ESR pada 1 GHz
<0,1 Ω	ESL Chip Intrinsik
	1,5 GHz; SRF sistem >500 MHz dengan kawat ikatan Au 0,5 mmArus Bocor
<10 nA pada 25°C; <500 nA pada 200°C (pada tegangan terukur)	Resistansi Isolasi
≥10	4^{MΩ pada tegangan terukur, 25°C}Toleransi ESD
>2 kV HBM, Kelas 2 per JESD22-A114	Suhu Operasi / Penyimpanan
-55°C hingga +200°C / -65°C hingga +150°C	Ukuran Die Standar
0,55 × 0,55 × 0,18 mm (±25 µm); geometri kustom, rasio aspek hingga 4:1	Metalurgi
TiW-Au atas (≥2,5 µm Au, dapat diikat kawat); TiW-Pt-Au belakang (AuSn / solder / epoksi perak) atau belakang hanya Au	Aplikasi Khas

Decoupling penggerak gerbang dan snubber dalam modul daya GaN dan SiC; modul daya hibrida dan inverter traksi; pengisi daya on-board dan konverter DC-DC densitas tinggi; jaringan bias penguat daya RF; dan setiap rakitan daya yang dikemas bersama di mana pencocokan CTE, kapasitansi yang cocok, dan induktansi rendah diperlukan.

Kapasitas Toleransi ketat yang dicocokkan Kapasitor MOS 220pF 100V CTE Chip lapisan tunggal yang dioptimalkan untuk modul daya GaN SiC

Tag:

Induktor Kerucut

Induktor Broadband

Induktor inti udara

induktor kumparan udara

Kondensator MOS