Στενή ανοχή χωρητικότητας ταιριάζει MOS συμπιεστήρες 220pF 100V CTE βελτιστοποιημένο μονόστρωμα τσιπ για GaN SiC μονάδες ισχύος

Πυκνωτής MOS ακριβείας HACC221S100V502 — 220 pF 100 V με αντιστοίχιση χωρητικότητας κάτω του 1% και βελτιστοποίηση CTE για υποστρώματα ισχύος GaN & SiC

Ο HACC221S100V502 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS (μεταλλικού-οξειδίου-ημιαγωγού) 220 pF ±10% με ονομαστική τάση 100 V DC, κατασκευασμένος σε πυρίτιο με ζώνη ελεύθερης ροής (>1000 Ω·cm) με θερμικό SiO2 πάχους 300 nm₂ διηλεκτρικό και μεταλλώσεις TiW-Au / TiW-Pt-Au. Το τυπικό περίγραμμα τσιπ είναι 0,55 mm × 0,55 mm × 0,18 mm (±25 μm). Έχει σχεδιαστεί για μονάδες ισχύος ευρέος χάσματος όπου η συμμετρία χωρητικότητας ανά ζεύγος και η θερμομηχανική αξιοπιστία κατά τη διάρκεια κύκλων ισχύος καθορίζουν την απόδοση του κυκλώματος.

Επειδή η δομή MOS πυριτίου σχηματίζεται απευθείας σε υπόστρωμα μονοκρυσταλλικού πυριτίου, ο συντελεστής θερμικής διαστολής του (CTE, 2,6 ppm/°C) είναι εγγενώς κοντά σε αυτόν των συσκευών ισχύος καρβιδίου του πυριτίου και GaN σε καρβίδιο του πυριτίου — ένα πλεονέκτημα έναντι των κεραμικών πυκνωτών με βάση την αλουμίνα όταν συν-συσκευάζονται σε υποστρώματα ισχύος.

Αντιστοίχιση χωρητικότητας ακριβείας κάτω του 1% σε όλα τα πλακίδια

• Υπηρεσία διαλογής σε επίπεδο πλακιδίου: οι πυκνωτές ελέγχονται ηλεκτρικά στο 100% και διαχωρίζονται έτσι ώστε τα σετ που αποστέλλονται μαζί να παραμένουν εντός <1% διασποράς χωρητικότητας, σε όλη τη θέση του πλακιδίου, από πλακίδιο σε πλακίδιο και από παρτίδα σε παρτίδα;
• Τα σετ ζευγών και συστοιχιών αποστέλλονται με ψηφιακή τεκμηρίωση χάρτη πλακιδίου και πλήρη ιχνηλασιμότητα παρτίδας ανά παρτίδα πλακιδίου;
• Ο εξαιρετικά σταθερός θερμικός διηλεκτρικός SiO2₂ διατηρεί τη διασπορά της αντιστοίχισης μικρή σε όλο το εύρος -55°C έως +200°C και υπό πόλωση DC (TCC +35 ppm/°C);
• Ιδανικό για ισορροπημένες δικτυώσεις οδηγού πύλης μισής γέφυρας, snubber και διαχωριστή όπου η συμμετρία χωρητικότητας ελέγχει την ισορροπία μεταγωγής και το EMI.

Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά (τυπικά, 25°C εκτός αν σημειώνεται)

Τυπικές Εφαρμογές

Αποσύζευξη οδηγού πύλης και snubber σε μονάδες ισχύος GaN και SiC· υβριδικές μονάδες ισχύος και μετατροπείς έλξης· ενσωματωμένοι φορτιστές και μετατροπείς DC-DC υψηλής πυκνότητας· δίκτυα πόλωσης ενισχυτών ισχύος RF· και οποιαδήποτε συν-συσκευασμένη διάταξη ισχύος όπου απαιτείται αντιστοίχιση CTE, αντιστοιχισμένη χωρητικότητα και χαμηλή αυτεπαγωγή.