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तंग सहिष्णुता क्षमता संगत एमओएस संधारित्र 220pF 100V सीटीई GaN SiC पावर मॉड्यूल के लिए अनुकूलित एकल परत चिप

Name: तंग सहिष्णुता क्षमता संगत एमओएस संधारित्र 220pF 100V सीटीई GaN SiC पावर मॉड्यूल के लिए अनुकूलित एकल परत चिप
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC221S100V502
Price: बातचीत योग्य USD
Availability: InStock

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC221S100V502
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

समाई मिलान:

वेफर/वेफर-टू-वेफर (डिजिटल वेफर मानचित्र) में उप-1% मिलान सेट

सीटीई मैच:

सिलिकॉन 2.6 पीपीएम/डिग्री सेल्सियस, GaN/SiC पावर सबस्ट्रेट्स से मेल खाता है

परिचालन/भंडारण तापमान:

-55°C से +200°C / -65°C से +150°C

चिप आयाम:

0.55 × 0.55 × 0.18 मिमी (±25 µm); 4:1 पहलू अनुपात तक कस्टम ज्यामिति

धातुरूप करने की क्रिया:

TiW-Au शीर्ष (≥2.5 µm Au) / TiW-Pt-Au पीछे (Au-केवल उपलब्ध)

माउन्टिंग का प्रकार:

वायर बॉन्डेबल / एयूएसएन यूटेक्टिक / सोल्डर / कंडक्टिव एपॉक्सी

प्रमुखता देना:

सब-1% क्षमता से मेल खाने वाला एमओएस कैपेसिटर

220pF 100V MOS कैपेसिटर

सीटीई अनुकूलित सिंगल लेयर चिप कैपेसिटर

उत्पाद का वर्णन

HACC221S100V502 प्रिसिजन MOS कैपेसिटर — 220 pF 100 V, GaN और SiC पावर सबस्ट्रेट्स के लिए सब-1% कैपेसिटेंस मैचिंग और CTE ऑप्टिमाइज़ेशन के साथ

HACC221S100V502 एक 220 pF ±10% सिंगल-लेयर MOS (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर) कैपेसिटर है जो 100 V DC पर रेटेड है, जो फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन (>1000 Ω·cm) पर 300 nm-क्लास थर्मल SiO₂ डाइइलेक्ट्रिक और TiW-Au / TiW-Pt-Au मेटलाइज़ेशन के साथ निर्मित है। मानक चिप आउटलाइन 0.55 mm × 0.55 mm × 0.18 mm (±25 μm) है। इसे वाइड-बैंडगैप पावर मॉड्यूल के लिए डिज़ाइन किया गया है जहाँ पेयर-टू-पेयर कैपेसिटेंस समरूपता और पावर साइक्लिंग के तहत थर्मो-मैकेनिकल विश्वसनीयता सर्किट प्रदर्शन निर्धारित करती है।

चूंकि सिलिकॉन MOS संरचना सीधे सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन सबस्ट्रेट पर बनती है, इसलिए इसका थर्मल विस्तार गुणांक (CTE, 2.6 ppm/°C) स्वाभाविक रूप से सिलिकॉन-कार्बाइड और GaN-ऑन-SiC पावर डिवाइस के करीब है — पावर सबस्ट्रेट्स पर सह-पैकेज किए जाने पर एल्यूमिना-आधारित सिरेमिक कैपेसिटर पर एक लाभ।

सब-1% प्रिसिजन कैपेसिटेंस मैचिंग अक्रॉस वेफर्स

वेफर-लेवल सॉर्टिंग सेवा: कैपेसिटर 100% इलेक्ट्रिकल रूप से प्रोब किए जाते हैं और सॉर्ट किए जाते हैं ताकि एक साथ भेजे गए मैच किए गए सेट <1% कैपेसिटेंस स्प्रेड के भीतर रहें, वेफर स्थिति, वेफर-टू-वेफर और लॉट-टू-लॉट में;
मैच किए गए जोड़े और ऐरे डिजिटल वेफर मैप डॉक्यूमेंटेशन और प्रति वेफर लॉट पूर्ण लॉट ट्रेसिबिलिटी के साथ भेजे जाते हैं;
अल्ट्रा-स्टेबल थर्मल SiO₂ डाइइलेक्ट्रिक -55°C से +200°C की पूरी रेंज और DC बायस (TCC +35 ppm/°C) के तहत मैचिंग ड्रिफ्ट को छोटा रखता है;
संतुलित हाफ-ब्रिज गेट ड्राइव, स्नबर और डिवाइडर नेटवर्क के लिए आदर्श जहाँ कैपेसिटेंस समरूपता स्विचिंग संतुलन और EMI को नियंत्रित करती है।

इलेक्ट्रिकल कैरेक्टरिस्टिक्स (विशिष्ट, 25°C जब तक कि अन्यथा नोट न किया गया हो)

नॉमिनल कैपेसिटेंस	220 pF ±10% (1 kHz, 1.0 Vrms); <1% स्प्रेड के साथ मैच किए गए सेट उपलब्धरेटेड वोल्टेज
100 V DC	डाइइलेक्ट्रिक विदस्टैंडिंग वोल्टेज
250 V DC (250% रेटेड, 5 s, 100% टेस्टेड)	तापमान गुणांक (TCC)
-55°C से +200°C पर +35 ppm/°C	डिसिपेशन फैक्टर
≤0.15% 1 kHz, 1.0 Vrms पर	Q फैक्टर
>2000 1 MHz पर; >200 1 GHz पर	1 GHz पर ESR
<0.1 Ω	इंट्रिन्सिक चिप ESL
	1.5 GHz; सिस्टम SRF >500 MHz 0.5 mm Au बॉन्ड वायर के साथलीकेज करंट
<10 nA 25°C पर; <500 nA 200°C पर (रेटेड वोल्टेज पर)	इंसुलेशन रेजिस्टेंस
≥10	4^{MΩ रेटेड वोल्टेज, 25°C पर}ESD टॉलरेंस
>2 kV HBM, JESD22-A114 के अनुसार क्लास 2	ऑपरेटिंग / स्टोरेज तापमान
-55°C से +200°C / -65°C से +150°C	मानक डाई आकार
0.55 × 0.55 × 0.18 mm (±25 μm); कस्टम ज्योमेट्री, 4:1 तक आस्पेक्ट रेशियो	मेटलाइज़ेशन
TiW-Au टॉप (≥2.5 μm Au, वायर बॉन्डेबल); TiW-Pt-Au बैकसाइड (AuSn / सोल्डर / सिल्वर एपॉक्सी) या केवल Au बैकसाइड	विशिष्ट अनुप्रयोग

GaN और SiC पावर मॉड्यूल में गेट ड्राइव और स्नबर डिकपलिंग; हाइब्रिड पावर मॉड्यूल और ट्रैक्शन इन्वर्टर; ऑन-बोर्ड चार्जर और हाई-डेंसिटी DC-DC कन्वर्टर; RF पावर एम्पलीफायर बायस नेटवर्क; और कोई भी सह-पैकेज्ड पावर असेंबली जहाँ CTE मैच, मैच कैपेसिटेंस और लो इंडक्टेंस की आवश्यकता होती है।

तंग सहिष्णुता क्षमता संगत एमओएस संधारित्र 220pF 100V सीटीई GaN SiC पावर मॉड्यूल के लिए अनुकूलित एकल परत चिप

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