Capacitador MOS resistente a picos transitorios 470pF 50V Chip de capa única de pasivación dieléctrica para protección contra sobrevoltajes ESD

Condensador MOS Resistente a Transitorios y Picos HACC471S50V402 — Chip de una sola capa de 470 pF y 50 V con pasivación dieléctrica

El HACC471S50V402 es un condensador MOS (semiconductor de óxido metálico) de una sola capa de 470 pF ±10% con una clasificación de 50 V CC, fabricado en silicio de zona flotante (>1000 Ω·cm) con un dieléctrico de SiO amorfo térmico₂ y metalización TiW-Au / TiW-Pt-Au. Un condensador MOS es un condensador de una sola capa formado por una estructura de semiconductor de óxido metálico (dióxido de silicio térmico crecido sobre un sustrato de silicio conductor), valorado en circuitos híbridos de RF y de potencia por su baja ESL, capacitancia estable y alta resistencia de aislamiento.

Este dispositivo está diseñado para microcircuitos híbridos y módulos de potencia expuestos a transitorios de voltaje repetitivos y entornos operativos húmedos, donde se requiere una capacitancia estable, alta resistencia de aislamiento y operación libre de arco bajo polarización CC. El contorno estándar del chip es de 0.60 mm × 0.60 mm × 0.18 mm (±25 µm); la capacitancia personalizada, la clasificación de voltaje, la geometría del troquel y la metalización están disponibles bajo pedido.

Resistencia a picos de voltaje transitorios — Verificada mediante pruebas ESD y DWV

La robustez contra sobrevoltaje de un condensador MOS se define por parámetros medibles y verificados en producción. El HACC471S50V402 está calificado y probado en producción al 100% de la siguiente manera:

• Voltaje de resistencia ESD >2 kV HBM(Clase 2 según JESD22-A114) para eventos ESD de manipulación y ensamblaje;
• Voltaje de rigidez dieléctrica (DWV) 125 V CC(250% del voltaje nominal, 5 s de permanencia), probado en el 100% de las piezas de producción;
• Pasivación dieléctrica de borde escalonadosuprime el arco y el flashover superficial entre los electrodos superior e inferior bajo alta polarización CC y operación a presión reducida;
• Desplazamiento de capacitancia inferior al 2% y sin delaminación después de 500 ciclos de temperatura de -65 °C a +150 °C (ΔT = 215 °C);
• La resistencia de aislamiento permanece estable al voltaje nominal después de estrés transitorio repetido y ciclado térmico.

Características Eléctricas (típicas, 25 °C a menos que se indique lo contrario)

Aplicaciones Típicas

Desacoplamiento de polarización CC y supresión de transitorios en etapas de driver de puerta GaN y SiC; redes de snubber y clamp de variadores de motor y convertidores de potencia industriales; redes de polarización de amplificadores de potencia de RF; módulos inalámbricos exteriores y de estación base expuestos a la humedad; microcircuitos híbridos de aviónica y carga útil de satélite que requieren robustez contra transitorios y humedad.