Puce à couche unique à passivité diélectrique pour la protection contre la surtension ESD

Condensateur MOS résistant aux surtensions transitoires HACC471S50V402 — Condensateur plaqué de 470 pF, 50 V, monocouche avec passivation diélectrique

Le HACC471S50V402 est un condensateur MOS (métal-oxyde-semiconducteur) monocouche de 470 pF ±10% nominal à 50 V CC, fabriqué sur silicium flottant (>1000 Ω·cm) avec un diélectrique thermique amorphe SiO₂ et une métallisation TiW-Au / TiW-Pt-Au. Un condensateur MOS est un condensateur monocouche formé par une structure métal-oxyde-semiconducteur (dioxyde de silicium thermique cultivé sur un substrat de silicium conducteur), apprécié dans les circuits hybrides RF et de puissance pour sa faible ESL, sa capacité stable et sa haute résistance d'isolement.

Ce dispositif est conçu pour les microcircuits hybrides et les modules de puissance exposés à des transitoires de tension répétitifs et à des environnements de fonctionnement humides, où une capacité stable, une haute résistance d'isolement et un fonctionnement sans arc sous polarisation CC sont requis. La taille standard de la puce est de 0,60 mm × 0,60 mm × 0,18 mm (±25 µm) ; des capacités, tensions nominales, géométries de matrice et métallisations personnalisées sont disponibles sur demande.

Robustesse aux surtensions transitoires — Vérifiée par des tests ESD et DWV

La robustesse à la surtension d'un condensateur MOS est définie par des paramètres mesurables et vérifiés en production. Le HACC471S50V402 est qualifié et testé en production à 100% comme suit :

• Tension de tenue ESD >2 kV HBM(Classe 2 selon JESD22-A114) pour les événements ESD de manipulation et d'assemblage ;
• Tension de tenue diélectrique (DWV) 125 V CC(250% de la tension nominale, 5 s de maintien), testé sur 100% des pièces de production ;
• Passivation diélectrique à bord de marchesupprime l'arc et le claquage de surface entre les électrodes supérieure et inférieure sous forte polarisation CC et en fonctionnement à pression réduite ;
• Décalage de capacité inférieur à 2% et aucune délamination après 500 cycles thermiques de -65°C à +150°C (ΔT = 215°C) ;
• La résistance d'isolement reste stable à la tension nominale après des contraintes transitoires répétées et un cyclage thermique.

Caractéristiques électriques (typiques, 25°C sauf indication contraire)

Applications typiques

Découplage de polarisation CC et suppression de transitoires dans les étages de commande de grille GaN et SiC ; réseaux de snubber et de clamp de variateurs de moteurs et de convertisseurs de puissance industriels ; réseaux de polarisation d'amplificateurs de puissance RF ; modules sans fil extérieurs et stations de base exposés à l'humidité ; microcircuits hybrides avioniques et charges utiles de satellites nécessitant une robustesse aux transitoires et à l'humidité.