HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC471S50V402 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | L/C,D/A,D/P,T/T |
O HACC471S50V402 é um capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor) de camada única de 470 pF ±10% com classificação de 50 V CC, fabricado em silício float-zone (>1000 Ω·cm) com um dielétrico de SiO₂ térmico amorfo e metalização TiW-Au / TiW-Pt-Au.2 dielétrico e metalização TiW-Au / TiW-Pt-Au. Um capacitor MOS é um capacitor de camada única formado por uma estrutura metal-óxido-semicondutor (dióxido de silício térmico cultivado em um substrato de silício condutor), valorizado em circuitos híbridos de RF e de potência por sua baixa ESL, capacitância estável e alta resistência de isolamento.
Este dispositivo é projetado para microcircuitos híbridos e módulos de potência expostos a transientes de tensão repetitivos e ambientes operacionais úmidos, onde são necessárias capacitância estável, alta resistência de isolamento e operação livre de arco sob polarização CC. O contorno padrão do chip é de 0,60 mm × 0,60 mm × 0,18 mm (±25 µm); capacitância personalizada, classificação de tensão, geometria do die e metalização estão disponíveis mediante solicitação.
A robustez contra sobretensão de um capacitor MOS é definida por parâmetros mensuráveis e verificados na produção. O HACC471S50V402 é qualificado e testado em 100% na produção da seguinte forma:
| Capacitância Nominal | 470 pF ±10% (1 kHz, 1,0 Vrms); tolerância mais apertada ±5% ou conjuntos combinados em pedidos personalizados |
| Tensão Nominal | 50 V CC |
| Tensão de Suportabilidade Dielétrica | 125 V CC (250% nominal, 5 s, 100% testado) |
| Coeficiente de Temperatura (TCC) | +35 ppm/°C de -55°C a +200°C |
| Fator de Dissipação | ≤0,15% a 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Fator Q | >2000 a 1 MHz; >200 a 1 GHz |
| ESR a 1 GHz | <0,1 Ω |
| ESL Intrínseca do Chip | 1 GHz para 470 pF |
| Corrente de Vazamento | <10 nA a 25°C; <500 nA a 200°C (na tensão nominal) |
| Resistência de Isolamento | ≥104 MΩ na tensão nominal, 25°C |
| Tolerância ESD | >2 kV HBM, Classe 2 conforme JESD22-A114 |
| Temperatura de Operação / Armazenamento | -55°C a +200°C / -65°C a +150°C |
| Tamanho Padrão do Die | 0,60 × 0,60 × 0,18 mm (±25 µm); geometria personalizada, relação de aspecto de até 4:1 |
| Metalização | TiW-Au superior (≥2,5 µm Au, soldável por fio); TiW-Pt-Au traseiro para epóxi eutético AuSn / condutivo |
Desacoplamento de polarização CC e supressão de transientes em estágios de driver de gate GaN e SiC; redes de snubber e clamp de acionamentos de motor e conversores de potência industriais; redes de polarização de amplificadores de potência de RF; módulos sem fio externos e de estação base expostos à umidade; microcircuitos híbridos de aviônicos e cargas úteis de satélite que exigem robustez contra transientes e umidade.
