Transiente Überspannungsfester MOS-Kondensator 470pF 50V Dielektrikum Passivierung einlagiger Chip für ESD-Überspannungsschutz

HACC471S50V402 MOS-Kondensator mit transient-spike-rugged-Kondensator 470 pF 50 V Einzelschichtchip mit dielektrischer Passivierung

Der HACC471S50V402 ist ein 470 pF ±10% einlagiger MOS-Kondensator (Metall-Oxid-Halbleiter) mit einer Leistung von 50 V Gleichstrom, hergestellt auf Float-Zone-Silizium (> 1000 Ω·cm) mit einem amorphen thermischen SiO₂dielektrische und TiW-Au/TiW-Pt-Au-Metallisierung.Ein MOS-Kondensator ist ein einlagiger Kondensator, der aus einer Metalloxid-Halbleiterstruktur (thermisches Siliziumdioxid, auf einem leitfähigen Siliziumsubstrat angebaut) besteht, in HF- und Power Hybrid-Schaltungen für seine niedrige ESL, stabile Kapazität und hohe Isolationsfestigkeit geschätzt.

Dieses Gerät ist für hybride Mikrokreise und Leistungsmodule ausgelegt, die sich wiederholenden Spannungsflüchtlingen und feuchten Betriebsumgebungen ausgesetzt sind, bei denen eine stabile Kapazität,hohe Isolationsfestigkeit und Bogen-über-freie Bedienung unter Gleichstromverzerrung erforderlichStandardchipumform ist 0,60 mm × 0,60 mm × 0,18 mm (± 25 μm); kundenspezifische Kapazität, Spannungsbewertung, Werkstoffgeometrie und Metallisierung sind auf Anfrage erhältlich.

Übergangsspannungsspitzenrobustheit Verifiziert durch ESD- und DWV-Prüfung

Die Überspannungsbeständigkeit eines MOS-Kondensators wird durch messbare, in der Produktion überprüfte Parameter definiert. Der HACC471S50V402 ist qualifiziert und 100% der Produktion wie folgt getestet:

• ESD-Widerstandsspannung > 2 kV HBM(Klasse 2 nach JESD22-A114) für die Handhabung und Montage von ESD-Ereignissen;
• Dielektrische Widerstandsspannung (DWV) 125 V Gleichstrom(250% der Nennspannung, 5 s Aufenthaltszeit) an 100% der Produktionsteile geprüft;
• Dielektrische Passivierung mit SchrittkanteUnterdrückung von Lichtbogen- und Oberflächenüberflutungen zwischen oberen und unteren Elektroden bei hoher Gleichstromverzerrung und geringerem Druck;
• Kapazitätsschwankung unter 2% und keine Delamination nach 500 Temperaturzyklen von -65 °C bis +150 °C (ΔT = 215 °C);
• Der Isolierwiderstand bleibt bei Nennspannung nach wiederholter vorübergehender Belastung und thermischem Zyklus stabil.

Elektrische Eigenschaften (typisch, 25°C, sofern nicht angegeben)

Typische Anwendungen

Gleichstromverzerrung und transiente Unterdrückung in GaN- und SiC-Gate-Driver-Stufen; Snubber- und Klemmnetze von Motorantrieben und industriellen Leistungsumrichter; HF-Leistungsverstärker-Verzerrungsnetze;Module für drahtlose und Basisstationsmodule im Freien, die Feuchtigkeit ausgesetzt sind; Avionik und Satellitenlasthybride Mikrokreise, die eine Übergangs- und Feuchtigkeitsbeständigkeit erfordern.