Capacitore MOS robusto a picco transitorio 470pF 50V chip a singolo strato di passivazione dielettrica per la protezione da sovratensione ESD

HACC471S50V402 condensatore MOS con spigolo di transiente 470 pF 50 V chip a singolo strato con passivazione dielettrica

Il condensatore HACC471S50V402 è un condensatore MOS (metallo-ossido-semiconduttore) mono strato da 470 pF ± 10% a 50 V di corrente continua, fabbricato su silicio a zona galleggiante (> 1000 Ω·cm) con un SiO termico amorfo₂metallizzazione dielettrica e TiW-Au/TiW-Pt-Au.Un condensatore MOS è un condensatore a uno strato formato da una struttura metallo-ossido-semiconduttore (diossido di silicio termico coltivato su un substrato di silicio conduttivo), apprezzata nei circuiti ibridi RF e di potenza per la sua bassa ESL, capacità stabile e elevata resistenza all'isolamento.

Questo dispositivo è progettato per i microcircuiti e i moduli di potenza ibridi esposti a transienti di tensione ripetitivi e ambienti di funzionamento umidi, in cui la capacità stabile,sono richieste elevate resistenze isolanti e un funzionamento in arco-over-free in condizione di bias di CCIl contorno del chip standard è di 0,60 mm × 0,60 mm × 0,18 mm (± 25 μm); capacità personalizzata, tensione nominale, geometria della stella e metallizzazione sono disponibili su richiesta.

Robustezza di picco di tensione transitorio verificata mediante prova ESD e DWV

La robustezza in sovratensione di un condensatore MOS è definita da parametri misurabili e verificati in produzione.

• resistenza alla tensione ESD > 2 kV HBM(Classe 2 per JESD22-A114) per la manipolazione e il montaggio di eventi ESD;
• tensione di resistenza dielettrica (DWV) 125 V DC(250% della tensione nominale, durata di 5 s), testato su 100% delle parti di produzione;
• Passivazione dielettrica a bordo passoSupprime l'arco-over e il flash-over superficiale tra gli elettrodi superiore e inferiore in condizioni di forte distorsione della corrente continua e di funzionamento a pressione ridotta;
• Trasferimento di capacità inferiore al 2% e nessuna delaminazione dopo 500 cicli di temperatura da -65°C a +150°C (ΔT = 215°C);
• La resistenza dell'isolamento rimane stabile alla tensione nominale dopo ripetute sollecitazioni transitorie e cicli termici.

Caratteristiche elettriche (tipico, 25°C, salvo indicazione)

Applicazioni tipiche

Disaggregazione e soppressione transitoria del bias della corrente continua nelle fasi di GaN e SiC; reti di snubber e di pinza dei motori motori e dei convertitori di potenza industriali; reti di bias degli amplificatori di potenza RF;moduli wireless esterni e di stazione base esposti all'umidità; microcircuiti ibridi per l'avionica e per il carico utile satellitare che richiedono una robustezza temporanea e resistente all'umidità.