| Nombre De La Marca: | Hoan |
| Número De Modelo: | HACC-PERSONALIZADO-DV |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 10 piezas |
| Condiciones De Pago: | LC, D/A, D/P, T/T, Unión Occidental |
El HACC-CUSTOM-DV extiende el rango de voltaje del condensador MOS de una sola capa a través del espesor dieléctrico diseñado.El dieléctrico estándar de SiO2 cultivado térmicamente (50 5000 Å) soporta voltajes nominal de hasta 500 VPara las necesidades de mayor tensión,una arquitectura dieléctrica apilada que combina SiO2 con SiN controlado por tensión o capas de Al2O3 de alta k, logrando voltajes nominales de hasta 1000V manteniendo la densidad de capacidadLa tensión de resistencia dieléctrica (DWV) se verifica al 250-300% del voltaje nominal en cada oblea, y la vida útil de la ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) supera los 10 años a la temperatura nominal máxima.Tolerancia de espesor: ±2% en el nivel de la oblea y ±1% en el interior de la matriz, verificado por ellipsometría espectroscópica en cada oblea.
La arquitectura MOS de una sola capa libre de aire elimina los riesgos de delaminación y descarga parcial asociados con los condensadores cerámicos de múltiples capas (MLCC) en gradientes de alto voltaje.A diferencia de los MLCC donde los bordes de los electrodos internos concentran campos eléctricos, la estructura planar del condensador MOS de metal-isolante-semiconductor proporciona una distribución uniforme del campo en todo el área del condensador, una ventaja crítica para la confiabilidad de alto voltaje.
El HACC-CUSTOM-DV puede adaptarse a cualquier flujo de ensamblaje aguas abajo con tres opciones de entrega, seleccionables individualmente por lote de producción o mezcladas por división de obleas:
En el caso de los envases mixtos, por ejemplo, el 50% de una oblea como Gel-Pak y el 50% como paquete de gofres, se soporta sin recalificación.proporcionando la máxima flexibilidad para las transiciones del prototipo a la producción o los flujos de montaje en varios sitios.
Al igual que con todos los productos HACC-CUSTOM, el dopado del sustrato es un parámetro de diseño: perfiles N+ o P+ con resistividad de 0,001 a 1000 Ohm·cm,Optimizado para la tensión de ruptura objetivo (BVdss) y la compensación de la resistencia de serieLa característica C-V se puede modelar para la capacidad plana o el comportamiento del varactor de pendiente controlada.
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Capacidad | 5pF ¥10.000pF |
| espesor dieléctrico | 50 ‰ 5000 Å, SiO2/SiN/Al2O3 |
| Nivel de tensión | Las demás máquinas y aparatos para la fabricación o el almacenamiento de materiales |
| Resistencia dieléctrica | El importe de las pérdidas de crédito de las entidades incluidas en el grupo de crédito se calculará en función de las pérdidas de crédito de las entidades incluidas. |
| Resistencia del sustrato | 0.001·1000 Ω·cm, N+/P+ adaptado |
| El TCC | < 30 ppm/°C |
| El ESR | < 0,1 Ω a 1 GHz |
| Metalización superior | TiW-Au, al-metalizado, pre-deposición de AuSn |
| Opciones de entrega | Niveles de obleas, paquetes de gel, paquetes de gofres |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C a +125°C |
Contáctenos con sus requerimientos de voltaje, especificaciones dieléctricas y formato de entrega preferido.