Dielektrische Einlagen-Kondensator mit extremer Spannung

Benutzerdefinierte MOS-Kondensator-Dielektrikum-Dicke Extremspannung Wafer-Level Gel-Pak-Lieferung Dotierstoff-Widerstandsregelung

HACC-CUSTOM-DV: Extremspannungs-MOS-Kondensator mit flexibler Wafer-Level- und Gel-Pak-Lieferung

Kundenspezifische Dielektrikum-Dicke für Extremspannungen

Der HACC-CUSTOM-DV erweitert den Spannungsbereich von einlagigen MOS-Kondensatoren durch eine optimierte Dielektrikum-Dicke. Das standardmäßige thermisch gewachsene SiO₂-Dielektrikum (50–5000 Å) unterstützt Nennspannungen bis zu 500V. Für höhere Spannungsanforderungen erreicht eine gestapelte Dielektrikum-Architektur — die Kombination von SiO₂ mit spannungsgesteuerten SiN- oder High-k-Al₂O₃-Schichten — Nennspannungen bis zu 1000V bei gleichbleibender Kapazitätsdichte. Die Durchschlagsfestigkeit des Dielektrikums (DWV) wird bei 250–300 % der Nennspannung auf jedem Wafer verifiziert, und die zeitabhängige Durchschlagslebensdauer (TDDB) übersteigt 10 Jahre bei maximaler Nenn-Betriebstemperatur. Die Dicken-Toleranz beträgt ±2 % auf Wafer-Ebene und ±1 % innerhalb eines Chips, verifiziert durch spektroskopische Ellipsometrie auf jedem Wafer.

Die luftfreie einlagige MOS-Architektur eliminiert die Delaminierungs- und Teilentladungsrisiken, die mit mehrlagigen Keramikkondensatoren (MLCCs) bei hohen Spannungsgradienten verbunden sind. Im Gegensatz zu MLCCs, bei denen die Kanten interner Elektroden elektrische Felder konzentrieren, sorgt die planare Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur des MOS-Kondensators für eine gleichmäßige Feldverteilung über die gesamte Kondensatorfläche — ein entscheidender Vorteil für die Zuverlässigkeit bei hohen Spannungen.

Flexible Wafer-Level-, Waffle-Pack- oder Gel-Pak-Lieferung

Der HACC-CUSTOM-DV passt sich jedem nachgelagerten Montageprozess mit drei Lieferoptionen an, die einzeln pro Produktionscharge oder gemischt pro Wafer-Split wählbar sind:

• Wafer-Level: Volle Wafer-Lieferung — getestet, markiert und gemappt mit Known-Good-Die-Binning. Optionen umfassen gesägte Wafer auf Rahmen (für direktes Pick-and-Place) oder expandierten Filmrahmen für die Die-Sortierung.
• Gel-Pak: Gesägte Dies auf Gel-Pak-Schalen mit Vakuumfreigabe für sauberes Pick-and-Place. Verpackt in Reinraumklasse 100, ideal für automatisierte Hybrid-Schaltungs-Montagelinien.
• Waffle Pack: Gesägte Dies in antistatischen Waffle Packs, vakuumversiegelt mit Stickstoffspülung. Enthält eine Known-Good-Die (KGD)-Karte für die Rückverfolgbarkeit auf Die-Ebene.

Gemischte Verpackung — zum Beispiel 50 % eines Wafers als Gel-Pak und 50 % als Waffle Pack — wird ohne erneute Qualifizierung unterstützt und bietet maximale Flexibilität für Prototypen-zu-Produktionsübergänge oder Multi-Site-Montageprozesse.

Maßgeschneiderte Substratdotierung und Widerstandsregelung

Wie bei allen HACC-CUSTOM-Produkten ist die Substratdotierung ein Designparameter: N+ oder P+ Profile mit einem spezifischen Widerstand von 0,001 bis 1000 Ohm·cm, optimiert für den Ziel-Durchbruchspannung (BVdss) und den Serienwiderstand-Kompromiss. Die C-V-Charakteristik kann für eine flache Kapazität oder ein Varaktorverhalten mit kontrollierter Steigung geformt werden.

Schlüsselspezifikationen

Anwendungen

• Hochspannungs-DC-DC-Wandlerfilterung — 500V-Nennspannungs-Einzelschicht-MOS-Kondensatoren ersetzen MLCC-Bänke
• Gepulste Energie-Speicherung — gestapeltes Dielektrikum für 1000V-Betrieb, gleichmäßige Feldverteilung
• Hochspannungs-Bias-Netzwerke — Wafer-Level-Lieferung für automatisierte Hybrid-Schaltungs-Montage
• ATE-Pin-Elektronik-Entkopplung — Gel-Pak-Lieferung für sauberes Pick-and-Place, Reinraumklasse 100

Kontaktieren Sie uns mit Ihren Spannungsanforderungen, Dielektrikumspezifikationen und bevorzugtem Lieferformat. Extremspannungs-MOS-Kondensator-Prototypen werden in 5–7 Werktagen geliefert.