HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC331S15V160 |
| Quantidade mínima: | 10 |
| Condições de pagamento: | L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union |
HACC331S15V160 SSB SLC 330pF 16V (0,1-30 GHz)
Resumo técnico de alta frequência
O HACC331S15V160 é um condensador cerâmico de camada única bordado de lado único de alta densidade de alta capacidade.Acoplamento de RF, e de filtragem de microondas em microeletrónica de espaço limitado até 30,0 GHz (que abrange as bandas de microondas UHF, L, S, C, X, Ku e K).Fornecendo uma capacidade robusta de 330 pF ± 10% e destinada a uma tensão de trabalho contínua de 16 V, é embalado numa impressão de 15 mil × 15 mil (0,38 mm × 0,38 mm) incrivelmente compacta com uma altura de perfil ultra-baixa de 0,15 mm.
Projetado com uma estrutura bordada unilateral, o eletrodo de ouro superior tem uma margem de cerâmica isoladora limpa.Esta borda impede condutivo epóxi subida ou soldagem sangramento de curto-circuito do dispositivoO contato superior apresenta uma metalurgia TiW-Au espessa (4,0 μm Min), oferecendo uma excelente camada tampão para ligação de fio de ouro pesado ou fita,enquanto o elétrodo inferior apresenta um elétrodo totalmente metalizado, empilhadeira TiW-Pt-Au resistente à lixiviação.
Dimensões globais
Principais vantagens de desempenho
Desempenho de banda ultralarga (0,1 - 30,0 GHz): Devido à sua pegada de pacote de 15 mil extremamente compacta, apresenta uma indutividade de série equivalente excepcionalmente baixa (ESL).A grande capacidade de 330 pF estende o seu limiar de desvio de baixa frequência para 100 MHz, criando uma resposta de banda ultra larga.
Amplificador de ligações de ouro grosso: pulverizado com um TiW-Au de qualidade superior (A camada de ouro pesado absorve alta energia de ligação de fio ultra-sônico, impedindo completamente a "ligação através" ou o levantamento do eletrodo.
Prevenção de margem isolante: A borda cerâmica unilateral atua como uma barragem física para impedir que o epóxi de prata condutora suba ao eletrodo superior, garantindo uma fixação confiável e livre de curto-circuito.
Barreira de difusão de fundo de platina: apresenta um contacto de fundo TiW-Pt-Au (0,5 μm Min Gold) onde a camada de platina (Pt) de alta densidade bloqueia a formação intermetálica de soldagem de ouro,assegurando a adesão absoluta e a eliminação zero do ouro.
Ficha de dados de parâmetros abrangente
| Especificações Categoria | Nome do parâmetro técnico | Valores garantidos | Condições de ensaio/medição |
| Especificações elétricas | Capacidade nominal | 330 | pF (+10% Tolerância @ 1kHz,1Vrms, 25°C) |
| Voltagem de funcionamento nominal (DC) | 16 | V (Capacidade máxima contínua) | |
| Fator de dissipação (DF) | ≤ 2,5% | Ensaiado a 1 kHz, 1,0 Vrms, 25°C | |
| Resistência ao isolamento (IR) | ≥ 104MΩ | Ensaiado a tensão nominal DC, 25°C | |
| Faixa de frequências recomendada | 0.1-30.0 | GHz (acoplamento de banda larga e bloqueio de corrente contínua) | |
| Geometria Física | Dimensões de contorno | 0.38 x 0.38 x 0.15 | mm (Longo x Largura x Altura /15 x 15 x 6 mil) |
| Arquitetura de Design | Limitações unilaterais | Margem cerâmica isolante exposta na superfície superior | |
| Estaca de metalização | Metalurgia de superfície superior | TiW-Au | Reservatório de ligação de fio de ouro pesado (espessura ≥ 4,0 um) |
| Metalurgia de superfície de fundo | TiW-Pt-Au | Barreira de platina resistente à lixiviação (de espessura ≥ 0,5 um) | |
| Processos de montagem | Adesão do Monte | Epoxi/soldeira condutora | Adequado para o epóxido de prata H20E / AuSn eutectic |
| Conexão de interconexão | Fios de ouro / Fios de fita | Ligação de fio de ouro termo-sônico compatível | |
| Confiabilidade e Qualidade | Temperatura de funcionamento | -55 a +125 | °C (Classe de segurança industrial e nacional) |
| Temperatura de armazenamento e RH | 20-25°C, 40%-60% HRC | Ambiente da sala limpa |
Engenharia de empilhadeiras de metallização de filme fino
Para assegurar uma ligação fiável do fio na parte superior e evitar a remoção da solda na parte inferior, o HACC331S15V160 utiliza um sistema de metalização de película fina de elevada fiabilidade:
| Lado da metalização | Capa de metal | Material pulverizado | Espessura da camada padrão | Função metalúrgica e engenhariaValor |
| Contacto superior | Adesão e barreira | TiW (titânio-tungsténio) | Base pulverizada | Fornece uma ligação química altamente estável e bloqueadora do oxigénio ao substrato cerâmico; impede o descascamento. |
| Acaba a ligação | Au (Ouro) | ≥ 4,0 μm | Uma camada de ouro ultra espessa que age como umtampão físico, absorvendo a energia ultrassônica durante a ligação de fio de ouro. | |
| Contacto inferior | Adesão e barreira | TiW (titânio-tungsténio) | Base pulverizada | Ligação simétrica da base ao fundo cerâmico |
| Camada de barreira | Pt (Platina) | Barreira espalhada | Barreira de alta densidade que impede o ouro de se difundir ou dissolver emSoldagens/epoxies sob tensão térmica. | |
| Acaba a ligação | Au (Ouro) | ≥ 0,5 μm | Finalização inferior solúvel e compatível com o epoxi. |
Perguntas frequentes
P1: Qual é o benefício mecânico do eletrodo de ouro superior de 4,0 μm de espessura no HACC331S15V160?
A:Em condensadores de chip ultra-miniatura de 15 milímetros (0,38 mm), a ligação de fio é altamente delicada.Se a camada de ouro for fina (e.g., <= 1,0 μm), a cunha capilar pode "perfurar" o ouro, danificando o dielétrico cerâmico de alto K por baixo ou fazendo com que a camada de ouro se levante.0 μm de camada de ouro superior mínima pulverizadaEste ouro espesso atua como um absorvedor de choques físico, amortecendo o impacto ultrasónico e assegurando uma ligação de fio de força de tração excepcionalmente elevada.
P2: Como é que o HACC331S15V160 alcança 330 pF numa pequena pegada de 15 milímetros?
A:Para alcançar tal alta capacitância (330 pF / 0,33 nF) em um tamanho ultra-compacto de 15 mil × 15 mil,O condensador é fabricado utilizando substratos microcerâmicos de película fina de alta K (constante dieléctrica elevada) de alta avançada, com uma espessura dieléctrica ultrafinaEsta densidade de capacitância ultra-alta permite que os engenheiros de projeto substituam condensadores mais volumosos de 30 mil ou 40 mil com este chip de 15 mil.Economização de mais de 75% de imóveis valiosos em transceptores de alta velocidade e substratos de circuitos híbridos de microondas.
P3: Qual é a razão da tensão nominal de 16 V mais baixa?
A:Usando um material dieléctrico de alta K ultra-fina para maximizar a densidade de capacitância (330 pF em um pacote de 15 mil), a distância física entre os eletrodos superior e inferior é minimizada.Para manter a segurança absoluta e evitar a quebra dieléctrica, a tensão de trabalho contínua é nominal de 16 V. Isto é altamente otimizado para ultra-compactos, chips MMIC GaAs/GaN de baixa tensão, ICs RF de silício,e redes de transmissão de fibra óptica que normalmente operam a 3.3 V ou 5.0 V.
