Condensador de banda ancha de 330pF 16V 0.1GHz - 30GHz con pad de oro de baja ESR

HACC331S15V160 SSB SLC 330pF 16V (0.1-30GHz)

Resumen Técnico de Alta Frecuencia
    El HACC331S15V160 es un condensador cerámico de una sola capa con borde de una sola cara (SLC) de ultra-miniatura y alta densidad de capacitancia. Este modelo está diseñado específicamente para bloqueo de CC de banda ultra-ancha, acoplamiento de RF y filtrado de microondas en microelectrónica con espacio limitado hasta 30.0 GHz (cubriendo las bandas de microondas UHF, L, S, C, X, Ku y K). Ofreciendo una robusta capacitancia de 330 pF ± 10% y clasificado para un voltaje de trabajo continuo de 16 V, está empaquetado en una huella increíblemente compacta de 15 mil × 15 mil (0.38 mm × 0.38 mm) con una altura de perfil ultra-baja de 0.15 mm.

    Diseñada con una estructura de borde de una sola cara, el electrodo de oro superior tiene un margen cerámico aislante limpio. Este borde evita que el epoxi conductor suba o que la soldadura se derrame, cortocircuitando el dispositivo. El contacto superior presenta una metalización gruesa de TiW-Au (4.0 µm Mín), ofreciendo una capa de amortiguación excepcional para unión de alambre de oro grueso o cinta, mientras que el electrodo inferior presenta una pila de TiW-Pt-Au completamente metalizada y resistente a la lixiviación.

Dimensiones Generales

Ventajas Clave de Rendimiento
    Rendimiento de Banda Ultra-Ancha (0.1 - 30.0 GHz): Debido a su huella de paquete extremadamente compacta de 15 mil, exhibe una inductancia serie equivalente (ESL) excepcionalmente baja. La gran capacitancia de 330 pF extiende su umbral de derivación de baja frecuencia hacia abajo hasta 100 MHz, creando una respuesta de banda ultra-ancha.
    Amortiguador de Unión de Oro Grueso Superior: Pulverizado con una metalización superior de TiW-Au (≥4.0 µm de Oro). La capa de oro gruesa absorbe alta energía de unión ultrasónica, previniendo completamente el "paso de unión" o el levantamiento del electrodo.
    Prevención de Margen Aislante: El borde cerámico de una sola cara actúa como una presa física para detener el epoxi de plata conductor de subir al electrodo superior, asegurando una unión de chip fiable y sin cortocircuitos.
    Barrera de Difusión Inferior de Platino: Presenta un contacto inferior de TiW-Pt-Au (0.5 µm Mín de Oro) donde la capa de Platino (Pt) de alta densidad bloquea la formación de intermetálicos de oro-soldadura, asegurando una adhesión absoluta y cero lixiviación de oro.

Hoja de Datos de Parámetros Completos

Ingeniería de Pila de Metalización de Película Delgada

Para asegurar una unión de alambre fiable en la parte superior y prevenir la lixiviación de soldadura en la parte inferior, el HACC331S15V160 utiliza un sistema de metalización de película delgada de alta fiabilidad:

  R:
En condensadores de chip ultra-miniatura de 15 mil (0.38 mm), la unión de alambre es muy delicada. Durante la unión de alambre termossónico, se aplica energía ultrasónica y fuerza mecánica a la almohadilla del electrodo de oro. Si la capa de oro es delgada (por ejemplo,
P2: ¿Cómo logra el HACC331S15V160 330 pF en una diminuta huella de 15 mil?   

R:
Para lograr una capacitancia tan alta (330 pF / 0.33 nF) en un tamaño ultra-compacto de 15 mil × 15 mil, el condensador se fabrica utilizando sustratos de micro-cerámica de película delgada de alto K (constante dieléctrica alta) altamente avanzados con un espesor dieléctrico ultra-delgado. Esta densidad de capacitancia ultra-alta permite a los ingenieros de diseño reemplazar condensadores más voluminosos de 30 mil o 40 mil con este chip de 15 mil, ahorrando más del 75% de valioso espacio en transceptores de alta velocidad y sustratos de circuitos híbridos de microondas.P3: ¿Cuál es la razón del voltaje nominal más bajo de 16V?  R:

Al utilizar material dieléctrico de alto K ultra-delgado para maximizar la densidad de capacitancia (330 pF en un paquete de 15 mil), se minimiza la distancia física entre los electrodos superior e inferior. Para mantener la seguridad absoluta y prevenir la ruptura dieléctrica, el voltaje de trabajo continuo se clasifica en 16 V. Esto está altamente optimizado para chips MMIC de GaAs/GaN ultra-compactos y de bajo voltaje, ICs de RF de silicio y redes de energía de transceptores de fibra óptica que típicamente operan a 3.3V o 5.0V.