330pF 16V Breitbandkondensator 0,1 GHz - 30 GHz Randbegrenzter Low-ESR-Kondensator Goldbond-Pad

HACC331S15V160 SSB SLC 330pF 16V (0.1-30GHz)

Technischer Hochfrequenz-Überblick
    Der HACC331S15V160 ist ein ultraminiaturisierter, hochkapazitiver Single-Sided Bordered Single Layer Ceramic Capacitor (SLC). Dieses Modell wurde speziell für ultraschnelle DC-Blockierung, HF-Kopplung und Mikrowellenfilterung in platzbeschränkter Mikroelektronik bis zu 30,0 GHz (UHF, L, S, C, X, Ku und K Mikrowellenbänder) entwickelt. Mit einer robusten Kapazität von 330 pF ± 10 % und einer Nennspannung von 16 V ist er in einem unglaublich kompakten 15 mil × 15 mil (0,38 mm × 0,38 mm) Gehäuse mit einer extrem niedrigen Bauhöhe von 0,15 mm untergebracht.

    Mit einer einseitig begrenzten Struktur versehen, verfügt die obere Goldelektrode über einen sauberen, isolierenden Keramikrand. Dieser Rand verhindert, dass leitfähiger Epoxidharz aufsteigt oder Lot ausblutet und das Gerät kurzschließt. Der obere Kontakt verfügt über eine dicke TiW-Au (mindestens 4,0 µm) Metallisierung, die eine hervorragende Pufferschicht für schwere Golddraht- oder Banddrahtbondverbindungen bietet, während die untere Elektrode einen vollflächig metallisierten, lötbeständigen TiW-Pt-Au-Stapel aufweist.

Gesamtmaße

Wichtige Leistungsvorteile
    Ultra-Breitband-Leistung (0,1 - 30,0 GHz): Aufgrund seines extrem kompakten 15-mil-Gehäuses weist er eine außergewöhnlich niedrige äquivalente Serieninduktivität (ESL) auf. Die große Kapazität von 330 pF erweitert seine Niederfrequenz-Bypass-Schwelle nach unten bis auf 100 MHz und erzeugt eine Ultra-Breitband-Antwort.
    Dicker Gold-Bond-Puffer oben: Aufgesputtert mit einer hochwertigen TiW-Au- (≥4,0 µm Gold) Top-Metallisierung. Die dicke Goldschicht absorbiert hohe Ultraschall-Bondenergie und verhindert vollständig ein "Bonding-Durch" oder ein Ablösen der Elektrode.
    Isolierrand-Verhinderung: Der einseitige Keramikrand wirkt als physischer Damm, um zu verhindern, dass leitfähiges Silber-Epoxidharz auf die obere Elektrode klettert, und gewährleistet eine zuverlässige, kurzschlussfreie Die-Befestigung.
    Platin-Diffusionsbarriere unten: Verfügt über einen TiW-Pt-Au- (mindestens 0,5 µm Gold) Bodenkontakt, bei dem die hochdichte Platinschicht (Pt) die Bildung von Gold-Lot-Intermetallverbindungen blockiert und eine absolute Haftung und kein Gold-Scavenging gewährleistet.

Umfassendes Parameterdatenblatt

Dünnschicht-Metallisierungsschicht-Engineering

Um eine zuverlässige Drahtbondverbindung auf der Oberseite zu gewährleisten und Lot-Scavenging auf der Unterseite zu verhindern, verwendet der HACC331S15V160 ein Hochzuverlässigkeits-Dünnschicht-Metallisierungssystem:

FAQ
F1: Was ist der mechanische Vorteil der 4,0 µm dicken oberen Goldelektrode des HACC331S15V160?
  A:Bei ultraminiaturisierten 15-mil- (0,38 mm) Chipkondensatoren ist die Drahtbondverbindung sehr empfindlich. Während des thermosonischen Drahtbondens werden Ultraschallenergie und mechanische Kraft auf das Goldelektrodenpad ausgeübt. Wenn die Goldschicht dünn ist (z. B. <= 1,0 µm), kann der Keil der Kapillare durch das Gold "stoßen", wodurch das darunter liegende Hoch-K-Keramikdielektrikum beschädigt wird oder sich die Goldschicht ablöst. Der HACC331S15V160 verfügt über eine ultra-dicke, mindestens 4,0 µm aufgesputterte Goldschicht. Dieses dicke Gold wirkt als physischer Stoßdämpfer, der den Ultraschallaufprall abfedert und eine außergewöhnlich hohe Zugfestigkeit der Drahtbondverbindung gewährleistet.

F2: Wie erreicht der HACC331S15V160 330 pF in einem winzigen 15-mil-Gehäuse?
   A:Um eine so hohe Kapazität (330 pF / 0,33 nF) in einer ultrakompakten 15 mil × 15 mil Größe zu erreichen, wird der Kondensator mit hochentwickelten Hoch-K- (hohe Dielektrizitätskonstante) Dünnschicht-Mikrokeramiksubstraten mit einer ultradünnen Dielektrikum-Dicke gefertigt. Diese ultrahohe Kapazitätsdichte ermöglicht es Designingenieuren, sperrigere 30-mil- oder 40-mil-Kondensatoren durch diesen 15-mil-Chip zu ersetzen und über 75 % wertvollen Platz auf Hochgeschwindigkeits-Transceivern und Mikrowellen-Hybrid-Schaltungssubstraten zu sparen.

F3: Was ist der Grund für die niedrigere Nennspannung von 16 V?
  A:Durch die Verwendung eines ultradünnen Hoch-K-Dielektrikummaterials zur Maximierung der Kapazitätsdichte (330 pF in einem 15-mil-Gehäuse) wird der physikalische Abstand zwischen der oberen und unteren Elektrode minimiert. Um absolute Sicherheit zu gewährleisten und einen Dielektrikumsdurchschlag zu verhindern, ist die Dauerbetriebsspannung auf 16 V ausgelegt. Dies ist hochoptimiert für ultrakompakte, Niederspannungs-GaAs/GaN-MMICs, Silizium-HF-ICs und Glasfaser-Transceiver-Stromversorgungen, die typischerweise mit 3,3 V oder 5,0 V betrieben werden.