330pF 16V ευρυζωνικός πυκνωτής 0.1GHz - 30GHz περιορισμένος χαμηλός ESR πυκνωτής Gold Bond Pad

HACC331S15V160 SSB SLC 330pF 16V (0,1-30GHz)

Τεχνική περίληψη υψηλής συχνότητας
Το HACC331S15V160 είναι ένα εξαιρετικά μικροσκοπικό, υψηλής πυκνότητας χωρητικότητας μονόπλευρο κεραμικό στερεοποιητή με ενιαίο στρώμα (SLC).Σύνδεση ραδιοσυχνοτήτων, και φιλτράρισμα μικροκυμάτων σε μικροηλεκτρονικά με περιορισμένο χώρο έως 30,0 GHz (που καλύπτουν τις ζώνες UHF, L, S, C, X, Ku και K μικροκυμάτων).Παρέχει ισχυρή χωρητικότητα 330 pF ± 10% και ονομαστική ισχύ για συνεχή τάση λειτουργίας 16 V, είναι συσκευασμένο σε ένα απίστευτα συμπαγές αποτύπωμα 15 mil × 15 mil (0,38 mm × 0,38 mm) με ένα εξαιρετικά χαμηλό ύψος προφίλ 0,15 mm.

Σχεδιασμένο με μονόπλευρη δομή, το πάνω ηλεκτρόδιο χρυσού έχει καθαρό μονωτικό κεραμικό περιθώριο.Αυτό το όριο εμποδίζει την αγωγική εποξείδιο αναρρίχηση ή συγκόλληση αιμορραγία από βραχυκύκλωμα της συσκευήςΗ ανώτερη επαφή διαθέτει μια παχιά μεταλλουργία TiW-Au (4,0 μm Min), προσφέροντας ένα εξαιρετικό στρώμα θωρακιστή για το βαρύ καλώδιο χρυσού ή τη σύνδεση καλωδίων κορδέλας,Ενώ το κάτω ηλεκτρόδιο διαθέτει ένα πλήρως μεταλλωμένο, ανθεκτικό στην διάλυση TiW-Pt-Au.

Συνολικές διαστάσεις

Βασικά πλεονεκτήματα απόδοσης
Υπερευρυζωνική απόδοση (0,1 - 30,0 GHz): Λόγω του εξαιρετικά συμπαγούς αποτυπώματος 15 mil πακέτου, παρουσιάζει εξαιρετικά χαμηλή ισοδύναμη σειρά επαγωγικότητας (ESL).Η μεγάλη χωρητικότητα 330 pF επεκτείνει το κατώτατο όριο παράκαμψης χαμηλής συχνότητας προς τα κάτω στα 100 MHz, δημιουργώντας μια υπερυπαία ευρυζωνική απόκριση.
Πυροσβεστικό με παχύ χρυσό: Πυροσβεστικό με υψηλής ποιότητας TiW-Au (Το βαρύ στρώμα χρυσού απορροφά υψηλή υπερηχητική ενέργεια σύνδεσης σύρματος, αποτρέποντας εντελώς την "σύνδεση μέσω" ή την ανύψωση ηλεκτροδίων.
Απομόνωση περιθωρίου Πρόληψη: Το μονομερές κεραμικό περιθώριο λειτουργεί ως φυσικό φράγμα για να εμποδίσει το αγωγό εποξικό ασήμι να ανεβεί στο ανώτερο ηλεκτρόδιο, εξασφαλίζοντας αξιόπιστη σύντομη σύνδεση.
Πλατινένιο φραγμό διάχυσης κάτω: Διαθέτει επαφή κάτω TiW-Pt-Au (0,5 μm Min Gold), όπου το στρώμα υψηλής πυκνότητας Πλατινένιο (Pt) εμποδίζει τον διαμεταλλικό σχηματισμό χρυσού-φυτώματος,διασφαλίζοντας απόλυτη προσκόλληση και μηδενικό χρυσό.

Πλήρες δελτίο δεδομένων παραμέτρων

Μηχανική στοιβάδων μεταλλικοποίησης λεπτών ταινιών

Για την εξασφάλιση της αξιόπιστης δέσμευσης του καλωδίου στην κορυφή και την πρόληψη της απομάκρυνσης της συγκόλλησης στο κάτω μέρος, το HACC331S15V160 χρησιμοποιεί ένα σύστημα υψηλής αξιοπιστίας λεπτής ταινίας μεταλλίκευσης:

Γενικές ερωτήσεις
Ερώτηση 1: Ποιο είναι το μηχανικό όφελος του ηλεκτρόδου χρυσού πάχους 4,0 μm στο HACC331S15V160;
Α:Στους υπερμικροσκοπικούς πυκνωτές τσιπ 15 mil (0,38 mm), η σύνδεση σύρματος είναι εξαιρετικά λεπτή.Εάν το στρώμα χρυσού είναι λεπτό (eΤο HACC331S15V160 διαθέτει ένα υπερ-πλούσιο 4.0 μm ελάχιστο ανώτερο στρώμα χρυσού με ψεκασμόΑυτός ο παχύς χρυσός λειτουργεί ως φυσικός απορροφητής, μετρώντας την υπερηχητική επίδραση και εξασφαλίζοντας εξαιρετικά υψηλή δύναμη έλξης.

Ερώτηση 2: Πώς το HACC331S15V160 επιτυγχάνει 330 pF σε ένα μικροσκοπικό αποτύπωμα 15 εκατομμυρίων;
   Α:Για να επιτευχθεί μια τέτοια υψηλή χωρητικότητα (330 pF / 0,33 nF) σε ένα εξαιρετικά συμπαγές μέγεθος 15 mil × 15 mil,ο πυκνωτής κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας εξαιρετικά προηγμένα μικροκεραμικά υποστρώματα λεπτής ταινίας υψηλής K (υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς) με υπεραπλανό διηλεκτρικό πάχοςΑυτή η εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα χωρητικότητας επιτρέπει στους μηχανικούς σχεδιασμού να αντικαταστήσουν τους μεγαλύτερους πυκνούς πυκνωτές 30 ή 40 mil με αυτό το τσιπ 15 mil,εξοικονόμηση άνω του 75% πολύτιμων ακινήτων σε δέκτες υψηλής ταχύτητας και υβριδικά κύκλα μικροκυμάτων.

Ε3: Ποιος είναι ο λόγος για τη χαμηλότερη ονομαστική τάση 16V;
Α:Χρησιμοποιώντας εξαιρετικά λεπτό υλικό υψηλής θερμοκρασίας για τη μεγιστοποίηση της πυκνότητας χωρητικότητας (330 pF σε συσκευασία 15 ml), η φυσική απόσταση μεταξύ των άνω και κατώτερων ηλεκτροδίων ελαχιστοποιείται.Για τη διατήρηση της απόλυτης ασφάλειας και την πρόληψη της διάσπασης του διηλεκτρικού, η συνεχής τάση λειτουργίας έχει ονομαστική τιμή 16 V. Αυτό είναι εξαιρετικά βελτιστοποιημένο για υπερσύνθετα, χαμηλής τάσης τσιπάκια GaAs/GaN MMIC, συλλεκτικά συλλεκτικά συλλεκτικών συλλεκτικών συλλεκτικών συλλεκτικών συλλεκτικών συλλεκτικών συλλεκτικών συλλεκτών,και δίκτυα ηλεκτρικής ενέργειας μεταβιβαστών οπτικών ινών που λειτουργούν συνήθως σε 3.3V ή 5.0V.