HACC470S50V160 condensateur MOS durci par ultra-petit rayonnement 47pF 50V zéro bruit piézoélectrique puce à matrices nues

LeLe nombre d'équipements à utiliser est le suivant:est un condensateur MOS monocouche de 47 pF ± 10% à 50 V de courant continu, fabriqué à partir de silicium à zone flottante à haute résistivité (> 1000 Ω·cm) avec un diélectrique amorphe SiO2 de 300 nm de croissance thermique.Avec une empreinte ultra-miniature de0.40 * 0,40 * 0,15 mm (16 mil * 16 mil * 6 mil)- une réduction de surface de 36% par rapport aux puces standard de 0,50 mm - ce dispositif permet l'intégration du condensateur dans les microcircuits hybrides RF les plus limités en espace,et les modules de charge utile par satellite où chaque micron carré de l'immobilier porteuse est critique.

1. Ultra-petite empreinte de 0,40 mm et matrice nue à profil bas

À 0,40 * 0,40 mm, le HACC470S50V160 occupe seulement 0,16 mm2 de surface de support par rapport à l'empreinte du condensateur MOS standard de 0,50 mm (0,25 mm2).Le profil ultra-faible de 15 mm (6 mil) est la moitié de la hauteur d'un MLCC standard 0402 (0.30 mm de profil) et s'insère dans les espaces les plus étroits du couvercle du module hermétique.Cette miniaturisation extrême est réalisée grâce à une définition avancée de l'électrode de photolithographie sur la plateforme MOS monocouche. Malgré sa taille compacte, l'électrode supérieure en or de 2,5 μm minimum fournit un tampon de liaison de fil fiable avec une résistance à la traction > 6gf (25 μm de fil Au, liaison à bille thermosonique),et la marge de bordure en céramique supérieure fournit une référence optique claire pour les systèmes de vision automatisés de liaison de filLa marge non métallisée de tout le périmètre est une caractéristique céramique intégrale, non un revêtement appliqué et ne peut pas être rayée, dissoute ou dégradée thermiquement.

2. Nul bruit piézoélectrique ∙ Diélectrique amorphe SiO2

Le bruit piézoélectrique dans les condensateurs est un mécanisme de défaillance bien documenté dans l'électronique exposée aux vibrations:la contrainte mécanique induit une tension par l'effet piézoélectrique direct (tensions → polarisation)Le HACC470S50V160 élimine ce mécanisme au niveau du matériau grâce à son diélectrique amorphe SiO2:

• Pas de piézoélectricité cristallographique:La piézoélectricité nécessite une structure cristalline non-centrosymétrique.Le SiO2 amorphe manque complètement d'ordre cristallographique à longue portée le réseau atomique aléatoire de silice amorphe ne peut pas satisfaire aux conditions de symétrie requises pour la réponse piézoélectrique.
• zéro domaine féroélectrique:Contrairement au titanate de baryum (BaTiO3) dans les MLCC X7R/X5R, le SiO2 n'a pas de composant féroélectrique.et capteur de bruit microphonic zéro.
• Test de vibration vérifié:Selon la méthode d'essai de vibration IEC 60749, le HACC470S50V160 ne produit aucune sortie mesurable au-dessus du niveau sonore de l'instrumentation à une accélération maximale de 10 g, à un balayage de 20 Hz à 2 kHz.Ceci est le résultat d'une mesure directe, pas une prédiction théorique.
• Comparaison de l'électrostriction:Le coefficient d'électrostriction du SiO2 thermique est inférieur à 10−22 m2/V2, soit environ un million de fois inférieur à celui des diélectriques à base de BaTiO3 (≈10−16 m2/V2).

3. Radiation durcie > 100 krad ((Si) TID par ESCC 22900

Le rayonnement à dose ionisante totale (TID) dégrade les structures MOS standard grâce à la génération de pièges d'interface et à l'accumulation de charges d'oxyde fixes, ce qui modifie la tension de seuil et provoque une dérive de capacité.Le HACC470S50V160 utilise une formulation d'oxyde de porte de SiO2 nitrée durcie par rayonnement spécialement conçue pour minimiser ces effets:

• Dureté TID > 100 krad ((Si):Vérifié conformément à la spécification de base ESCC 22900 pour les composants passifs de qualité spatiale.
• Stabilité du recuit après irradiation:< 1% de décalage de capacité supplémentaire après 168 heures à 100 °C, confirmant une passivation stable des pièges d'oxyde.
• Effets d' un seul événement:En tant que dispositif passif à deux terminaux, le condensateur MOS n'a pas de chemin de verrouillage, aucun nœud de stockage sensible à SEU et la rupture de la porte d'événement unique (SEGR) est empêchée par l'épaisseur diélectrique de 300 nm.L'immunité SEE est vérifiée par conception non par essai par échantillonnage fournissant une immunité garantie sur l'ensemble du lot.
• Capacité stable au rayonnement:Le diélectrique paraélectrique COG/NPO avec TCC de 0 ± 30 ppm/°C est intrinsèquement stable en radiation il n'existe aucun mécanisme de perturbation du domaine féroélectrique pouvant provoquer un décalage de capacité sous irradiation.

4. Spécifications électriques (T = 25°C, sauf indication contraire)

5. Référence rapide de l'assemblage

• - Je vous en prie.AuSn soudure eutectique (300°C à 320°C, N2/H2) ou époxy Ag conducteur (Epotek H20E, 120°C à 30 min).
• Les fils sont reliés:La liaison thermosonique à bille au 18 μm ou 25 μm Au (étape 120 ∼ 150 °C, force 15 ∼ 35 gf, force d'attraction typique > 6 gf).
• Réservoir:Pack de gaufres ou gel-pack, armoire d'azote à 20°25°C, 40°60% RH. MSL 1 durée de vie illimitée au sol.

6Applications typiques

• Blocage de la charge utile par satellite en courant continu et contournement RF dans les carreaux ultracompacts à faisceau phasé
• Sous-systèmes RF pour sondes spatiales profondes nécessitant un TID > 100 krad ((Si) et une sensibilité au bruit mécanique nulle
• Microcircuits hybrides en milieu de rayonnement où l'empreinte de 0,40 mm permet l'intégration entre MMIC GaAs/GaN étroitement espacés
• Avionique RF à haute fiabilité fonctionnant sous exposition simultanée aux vibrations et aux rayonnements
• Préamplificateurs sensibles à la charge, à instrumentation scientifique, nécessitant une sortie piézoélectrique nulle et une capacité stable en radiation

Contactez-nouspour les échantillons d'évaluation avec des données complètes sur les paramètres S (120 GHz), les rapports d'essai de rayonnement TID par ESCC 22900, les données d'essai de vibration par IEC 60749 ou les valeurs de capacité personnalisées sur le 0.Plateforme ultra-petite de 40 mm.