470pF 20V MOS condensateur SiO2 condensateur diélectrique à faible fuite pour circuits RF

HACC471S20V500 Condensateur MOS 470pF 20V diélectrique SiO2 pour circuits RF

HACC471S20V500 Condensateur MOS MIM monocouche 470pF 20V

Le HACC471S20V500 est un condensateur MOS MIM (Métal-Isolant-Métal) monocouche de précision 470pF 20V fabriqué sur un substrat de silicium à haute résistivité (>1000 Ω·cm). Construit avec un diélectrique Diélectrique SiO2 à croissance thermique et une sur un substrat de silicium à haute résistivité. Les caractéristiques clés du processus comprennent :, ce dispositif est conçu pour les applications de circuits intégrés RF, micro-ondes et ondes millimétriques exigeant une stabilité paramétrique exceptionnelle, des parasites minimaux et une reproductibilité de qualité fonderie.
Avec une densité de capacité d'environ 1,88 fF/μm² sur une puce compacte de 500 μm * 500 μm, le HACC471S20V500 atteint une uniformité de capacité au niveau du wafer avec σ < 2%, ce qui le rend idéal pour les topologies de circuits différentiels et les systèmes à réseau phasé où l'appariement canal à canal est critique.

Spécifications électriques clés

Caractéristiques principales

• Excellente uniformité et stabilité : Distribution de capacité au niveau du wafer avec σ < 2% sur des wafers de 200 mm, permettant une adaptation d'impédance cohérente dans les modules frontaux RF multicanaux. Performances paramétriques stables vérifiées de -55 °C à +125 °C avec < 0,5% de dérive de capacité sur des tests HTOL de 1000 heures à 125 °C.
• Fuite ultra-faible et haute tension de claquage : Le diélectrique SiO2 à croissance thermique offre un courant de fuite inférieur à 1 nA sous une polarisation nominale de 20 V (équivalent à 3*
• pour un fonctionnement robuste dans les réseaux de polarisation d'amplificateurs de puissance et les applications de blocage DC.Faible VCC et TCC :

Le coefficient de tension inférieur à 50 ppm/V et le coefficient de température inférieur à 30 ppm/°C maintiennent la précision de la capacité sur les variations de polarisation et de température. Critique pour les circuits échantillonneurs-maintiens, les filtres analogiques de précision et les réseaux de réservoir VCO où la stabilité de la capacité détermine directement les performances du système.

Technologie et processusLe HACC471S20V500 est fabriqué à l'aide d'un processus de condensateur MIM monocouche

• sur un substrat de silicium à haute résistivité. Les caractéristiques clés du processus comprennent :Métallisation or de 2,5 μm
• — faible résistance surfacique pour une perte ohmique minimale, compatible avec le soudage par fil coin et par bille (fil or de 25 μm standard)Diélectrique SiO2 à croissance thermique
• (~20 nm) — uniformité et densité de défauts supérieures par rapport aux oxydes déposés, résultant en un champ de claquage plus élevé (>10 MV/cm) et une fuite plus faibleSubstrat de silicium à haute résistivité
• (>1000 Ω·cm) — minimise le couplage au substrat et les pertes par courants de Foucault aux fréquences micro-ondesStructure MIM monocouche — inductance série quasi nulle (
• < 50 pH), éliminant la résonance propre en dessous de 20 GHzOption de métallisation arrière

— disponible avec métal arrière Au ou AuSn pour la fixation par époxy conducteur ou eutectique

• ApplicationsAdaptation d'impédance RF :
• Capacité de précision de 470 pF avec tolérance serrée permettant des réseaux L-match, Pi-match et T-match précis dans les modules frontaux d'amplificateurs de puissance, LNA et d'antenne de 100 MHz à 6 GHz.Blocage DC / Couplage AC :
• La fuite ultra-faible et la tension de claquage de plus de 60 V le rendent adapté au blocage DC dans les réseaux de bias-T et au couplage inter-étages où l'intégrité de l'isolation DC est critique.Circuits échantillonneurs-maintiens :<50ppm>
• Faible VCC (Résonateurs de réservoir VCO :<30ppm> Faible TCC (
• 200 à 1 MHz) minimise le bruit de phase et la dérive de fréquence dans les oscillateurs commandés en tension.Filtres de pompe de charge :
• La faible fuite préserve la précision de la charge dans les filtres de boucle PLL et les circuits à condensateurs commutés.Imagerie médicale :
Convient pour le réglage des transducteurs à ultrasons et l'adaptation des bobines réceptrices IRM où la stabilité paramétrique en fonction de la température est essentielle.
• Qualité et fiabilitéTest 100% au niveau du wafer :
• Chaque puce testée pour la capacité, le courant de fuite à tension nominale et la tension de claquageCaractérisation Q et RSE au niveau de l'échantillon :
• Par wafer, par lotQualification de fiabilité :
• HTOL (1000h @125°C, polarisation 20V), HAST (96h @130°C/85% HR), TC (-55°C à +125°C, 500 cycles)Fabrication :
• Installation certifiée ISO 9001:2015, salle blanche Classe 100, traçabilité complète des lotsSurveillé par SPC :
• Capacité, fuite et tension de claquage suivies par contrôle statistique des processusDocumentation :

Certificat de conformité et carte de wafer inclus avec chaque expédition

Informations sur la puce et l'emballage	Paramètre
Spécification	Taille de la puce
500 μm * 500 μm (±25 μm)	Épaisseur de la puce
250 μm ±25 μm (standard), 150 μm sur demande	Métallisation supérieure
2,5 μm Au, pastille de connexion ≥ 80 μm * 80 μm	Métallisation arrière
Aucune (standard), Au ou AuSn disponibles	Passivation
Si3N4, ouvertures de pastille uniquement	Livraison des puces
Waffle pack ou bande et bobine (sur demande)	Puce connue (KGD)

Disponible, consulter l'usine pour les spécifications

Questions fréquemment posées

Quelle est la différence entre un condensateur MIM et un condensateur MOS ?Un condensateur MIM (Métal-Isolant-Métal) utilise une couche diélectrique prise en sandwich entre deux plaques métalliques, offrant une linéarité quasi idéale avec un VCC et un TCC très faibles. Un condensateur MOS (Métal-Oxyde-Semi-conducteur) utilise le substrat semi-conducteur comme une plaque, ce qui introduit une capacité de couche d'appauvrissement en série qui varie avec la tension de polarisation. Le HACC471S20V500 utilise une véritable structure MIM

, pas un condensateur MOS traditionnel, offrant une linéarité et une stabilité supérieures par rapport aux condensateurs MOS en accumulation/inversion. La désignation "MOS" reflète sa compatibilité avec les processus CMOS standard de la ligne de finition sur des wafers de silicium.

Comment le HACC471S20V500 se compare-t-il aux condensateurs MLCC céramiques pour les applications RF ?Comparé aux MLCC céramiques de capacité similaire, le HACC471S20V500 offre : (1) <50pH vs 200-500pH for MLCCs), eliminating self-resonance below 20GHz; (2) (effet piézoélectrique nul<30ppm> (effet piézoélectrique nul — pas de bruit microphonique ; (4) intégration au niveau de la puce permettant des interconnexions plus courtes et des parasites réduits dans les modules hybrides ou multi-puces.

Le HACC471S20V500 est-il disponible en tant que puce connue (KGD) ?

Oui, des options KGD sont disponibles avec un criblage supplémentaire comprenant : un burn-in prolongé, un test électrique à 3 températures (-55°C, +25°C, +125°C) et une inspection visuelle selon MIL-STD-883. Veuillez contacter notre équipe commerciale pour les spécifications et les prix KGD.

Quels sont les paramètres de soudage par fil recommandés ?

Paramètres recommandés pour fil d'or de 25 μm (1 mil) : soudage par coin à une température de platine de 120-150 °C, une force de soudure de 20-30 g, une puissance ultrasonore de 60-80 mW ; ou soudage par bille à 150 °C, une force de soudure de 15-25 g, une puissance ultrasonore de 40-60 mW. La pastille de connexion est en Au de 2,5 μm, ouverture de pastille minimale de 80 μm * 80 μm.

Le HACC471S20V500 peut-il être utilisé au-dessus de 20 GHz ?

Oui. Avec une inductance série inférieure à 50 pH, la fréquence d'auto-résonance (SRF) est bien supérieure à 30 GHz. La structure monocouche assure un fonctionnement sans résonance jusqu'à la bande Ka. Pour les applications d'ondes millimétriques au-dessus de 30 GHz, une simulation EM 3D complète à l'aide de notre modèle de paramètres S (disponible sur demande) est recommandée pour tenir compte des parasites de montage.

Informations de commande
Le HACC471S20V500 est disponible en volumes de production avec un délai de livraison standard de 2 à 4 semaines. Des valeurs de capacité personnalisées (100 pF à 10 nF), des tensions nominales (10 V à 50 V) et des tailles de puce sont disponibles sur demande. Contactez notre équipe commerciale avec vos spécifications cibles pour une proposition de conception personnalisée.