470pF 20V MOS-Kondensator SiO2 Dielektrischer Leckage-Kondensator für HF-Schaltkreise

HACC471S20V500 470pF 20V MOS-Kondensator SiO2-Dielektrikum für HF-Schaltungen

HACC471S20V500 470pF 20V Einzelschicht-MIM-MOS-Kondensator

Der HACC471S20V500 ist ein Präzisions-470pF 20V Einzelschicht-MIM (Metal-Insulator-Metal) MOS-Kondensator, gefertigt auf einem Siliziumsubstrat mit hohem spezifischem Widerstand (>1000 Ω·cm). Hergestellt mit einem thermisch gewachsenen SiO2-Dielektrikum und auf einem Siliziumsubstrat mit hohem spezifischem Widerstand hergestellt. Wichtige Prozessmerkmale sind:, ist dieses Bauteil für HF-, Mikrowellen- und Millimeterwellen-Integrierte-Schaltungen konzipiert, die eine außergewöhnliche parametrische Stabilität, minimale Parasiten und eine reproduzierbare Foundry-Qualität erfordern.
Mit einer Kapazitätsdichte von ca. 1,88 fF/μm² auf einem kompakten 500 μm * 500 μm Chip erreicht der HACC471S20V500 eine gleichmäßige Kapazität auf Wafer-Ebene mit σ < 2%, was ihn ideal für differentielle Schaltungstopologien und Phased-Array-Systeme macht, bei denen der Kanal-zu-Kanal-Abgleich entscheidend ist.

Wichtige elektrische Spezifikationen

Hauptmerkmale

• Hervorragende Gleichmäßigkeit & Stabilität: Kapazitätsverteilung auf Wafer-Ebene mit σ < 2 % über 200-mm-Wafer, ermöglicht konsistenten Impedanzabgleich in mehrkanaligen HF-Front-End-Modulen. Stabile parametrische Leistung, verifiziert von -55 °C bis +125 °C mit < 0,5 % Kapazitätsdrift über 1000 Stunden HTOL-Test bei 125 °C.
• Extrem niedriger Leckstrom & Hohe Durchbruchspannung: Thermisch gewachsenes SiO2-Dielektrikum liefert einen Leckstrom von unter 1 nA bei Nennspannung von 20 V (entspricht 3*
• für einen robusten Betrieb in Leistung Verstärker-Vorspannungsnetzwerken und DC-Blockierungsanwendungen.Niedrige VCC & TCC:

Spannungskoeffizient unter 50 ppm/V und Temperaturkoeffizient unter 30 ppm/°C erhalten die Kapazitätsgenauigkeit über Vorspannungs- und Temperaturschwankungen hinweg. Entscheidend für Sample-and-Hold-Schaltungen, Präzisions-Analogfilter und VCO-Tanknetzwerke, bei denen die Kapazitätsstabilität direkt die Systemleistung bestimmt.

Technologie & ProzessDer HACC471S20V500 wird mit einem Einzelschicht-MIM-Kondensator-Prozess

• auf einem Siliziumsubstrat mit hohem spezifischem Widerstand hergestellt. Wichtige Prozessmerkmale sind:2,5 μm Goldmetallisierung
• — geringer Flächenwiderstand für minimale ohmsche Verluste, kompatibel mit Keil- und Kugelbonden (25 μm Golddraht Standard)Thermisch gewachsenes SiO2-Dielektrikum
• (~20 nm) — überlegene Gleichmäßigkeit und Defektdichte im Vergleich zu abgeschiedenen Oxiden, was zu einem höheren Durchschlagsfeld (>10 MV/cm) und geringerem Leckstrom führtSiliziumsubstrat mit hohem spezifischem Widerstand
• (>1000 Ω·cm) — minimiert Substratkopplung und Wirbelstromverluste bei MikrowellenfrequenzenEinzelschicht-MIM-Struktur — nahezu null Serieninduktivität (
• < 50 pH), eliminiert Selbstresonanz unter 20 GHzRückseitenmetallisierung optional

— erhältlich mit Au oder AuSn Rückseitenmetall für leitfähigen Epoxidharz- oder eutektischen Die-Attach

• AnwendungenHF-Impedanzanpassung:
• Präzise 470 pF mit enger Toleranz ermöglichen genaue L-, Pi- und T-Anpassungsnetzwerke in Leistungsverstärker-, LNA- und Antennen-Front-End-Modulen von 100 MHz bis 6 GHz.DC-Blockierung / AC-Kopplung:
• Extrem niedriger Leckstrom und über 60 V Durchbruchspannung machen ihn geeignet für DC-Blockierung in Bias-T-Netzwerken und Zwischenstufenkopplung, wo die Integrität der DC-Isolation entscheidend ist.Sample-and-Hold-Schaltungen:<50ppm>
• Niedrige VCC (VCO-Tankresonatoren:<30ppm> Niedrige TCC (
• 200 bei 1 MHz) minimiert Phasenrauschen und Frequenzdrift in spannungsgesteuerten Oszillatoren.Ladungspumpenfilter:
• Niedriger Leckstrom bewahrt die Ladungsgenauigkeit in PLL-Schleifenfiltern und schaltkondensatorbasierten Schaltungen.Medizinische Bildgebung:
Geeignet für die Abstimmung von Ultraschallwandlern und die Anpassung von MRI-Empfängerspulen, wo parametrische Stabilität über die Temperatur entscheidend ist.
• Qualität & Zuverlässigkeit100 % Wafer-Level-Test:
• Jeder Chip wird auf Kapazität, Leckstrom bei Nennspannung und Durchbruchspannung getestetStichprobenartige Q- und ESR-Charakterisierung:
• Pro Wafer, pro ChargeZuverlässigkeitsqualifizierung:
• HTOL (1000 Std. bei 125 °C, 20 V Vorspannung), HAST (96 Std. bei 130 °C/85 % RH), TC (-55 °C bis +125 °C, 500 Zyklen)Fertigung:
• ISO 9001:2015 zertifizierte Anlage, Reinraum Klasse 100, vollständige ChargenrückverfolgbarkeitSPC-überwacht:
• Kapazität, Leckstrom und Durchbruchspannung werden mit statistischer Prozesskontrolle verfolgtDokumentation:

Konformitätszertifikat und Wafer-Karte sind jeder Lieferung beigefügt

Chip- & Verpackungsinformationen	Parameter
Spezifikation	Chipgröße
500 μm * 500 μm (±25 μm)	Chip-Dicke
250 μm ±25 μm (Standard), 150 μm auf Anfrage	Top-Metallisierung
2,5 μm Au, Bondpad ≥ 80 μm * 80 μm	Rückseitenmetallisierung
Keine (Standard), Au oder AuSn verfügbar	Passivierung
Si3N4, nur Pad-Öffnungen	Chip-Lieferung
Waffelpackung oder Tape-and-Reel (auf Anfrage)	Known Good Die (KGD)

Verfügbar, Werk konsultieren für Spezifikationen

Häufig gestellte Fragen

Was ist der Unterschied zwischen einem MIM-Kondensator und einem MOS-Kondensator?Ein MIM (Metal-Insulator-Metal) Kondensator verwendet eine dielektrische Schicht, die zwischen zwei Metallplatten eingebettet ist, und bietet eine nahezu ideale Linearität mit sehr niedrigen VCC und TCC. Ein MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Kondensator verwendet das Halbleitersubstrat als eine Platte, was eine Verarmungszonenkapazität in Serie einführt, die sich mit der Vorspannung ändert. Der HACC471S20V500 verwendet eine echte MIM-Struktur

, keine traditionelle MOS-Kondensator, und liefert eine überlegene Linearität und Stabilität im Vergleich zu MOS-Akkumulations-/Inversionskondensatoren. Die "MOS"-Bezeichnung spiegelt seine Kompatibilität mit Standard-CMOS-Back-End-of-Line-Prozessen auf Siliziumwafern wider.

Wie schneidet der HACC471S20V500 im Vergleich zu keramischen MLCC-Kondensatoren für HF-Anwendungen ab?Im Vergleich zu keramischen MLCCs mit ähnlicher Kapazität bietet der HACC471S20V500: (1) <50pH vs 200-500pH for MLCCs), eliminating self-resonance below 20GHz; (2) (kein piezoelektrischer Effekt<30ppm> (kein piezoelektrischer Effekt — kein Mikrofonrauschen; (4) Chip-Level-Integration, was kürzere Verbindungen und reduzierte Parasiten in Hybrid- oder Multi-Chip-Modulen ermöglicht.

Ist der HACC471S20V500 als Known Good Die (KGD) erhältlich?

Ja, KGD-Optionen sind mit zusätzlicher Prüfung erhältlich, einschließlich: erweiterter Burn-in, elektrischer Test bei 3 Temperaturen (-55 °C, +25 °C, +125 °C) und visueller Inspektion gemäß MIL-STD-883. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für KGD-Spezifikationen und Preise.

Welche Drahtbondparameter werden empfohlen?

Empfohlene Parameter für 25 μm (1 mil) Golddraht: Keilbonden bei 120-150 °C Stufentemperatur, 20-30 g Bondkraft, 60-80 mW Ultraschallleistung; oder Kugelbonden bei 150 °C, 15-25 g Bondkraft, 40-60 mW Ultraschallleistung. Das Bondpad ist 2,5 μm Au, minimale Padöffnung 80 μm * 80 μm.

Kann der HACC471S20V500 über 20 GHz verwendet werden?

Ja. Mit einer Serieninduktivität unter 50 pH liegt die Eigenresonanzfrequenz (SRF) weit über 30 GHz. Die Einzelschichtstruktur gewährleistet einen resonanzfreien Betrieb bis ins Ka-Band. Für Millimeterwellenanwendungen über 30 GHz wird eine vollständige 3D-EM-Simulation mit unserem S-Parameter-Modell (auf Anfrage erhältlich) empfohlen, um Montageparasiten zu berücksichtigen.

Bestellinformationen
Der HACC471S20V500 ist in Produktionsmengen mit einer Standardlieferzeit von 2-4 Wochen erhältlich. Kundenspezifische Kapazitätswerte (100 pF bis 10 nF), Spannungsfestigkeiten (10 V bis 50 V) und Chipgrößen sind auf Anfrage erhältlich. Kontaktieren Sie unser Verkaufsteam mit Ihren Zielspezifikationen für einen kundenspezifischen Designvorschlag.