470pF 20V MOS condensatore SiO2 condensatore dielettrico a bassa perdita per circuiti RF

HACC471S20V500 470pF 20V Condensatore MOS Dielettrico SiO2 per Circuiti RF

HACC471S20V500 470pF 20V Condensatore MOS MIM Monostrato

Il HACC471S20V500 è un condensatore MOS MIM (Metal-Insulator-Metal) monostrato di precisione da 470pF 20V fabbricato su substrato di silicio ad alta resistività (>1000 Ω·cm). Costruito con un dielettrico Dielettrico SiO2 cresciuto termicamente e su substrato di silicio ad alta resistività. Le caratteristiche chiave del processo includono:, questo dispositivo è progettato per applicazioni di circuiti integrati RF, microonde e onde millimetriche che richiedono eccezionale stabilità parametrica, minimi effetti parassiti e riproducibilità di grado fonderia.
Con una densità di capacità di circa 1,88 fF/μm² su un die compatto da 500 μm * 500 μm, l'HACC471S20V500 raggiunge un'uniformità di capacità a livello di wafer con σ < 2%, rendendolo ideale per topologie di circuiti differenziali e sistemi phased-array in cui l'accoppiamento canale-canale è critico.

Specifiche Elettriche Chiave

Caratteristiche Principali

• Eccellente Uniformità e Stabilità: Distribuzione della capacità a livello di wafer con σ < 2% su wafer da 200 mm, consentendo un accoppiamento di impedenza costante nei moduli front-end RF multicanale. Prestazioni parametriche stabili verificate da -55°C a +125°C con < 0,5% di deriva della capacità in test HTOL di 1000 ore a 125°C.
• Perdite Ultra-Basse e Alta Tensione di Breakdown: Il dielettrico SiO2 cresciuto termicamente offre una corrente di perdita inferiore a 1 nA alla tensione nominale di 20 V (equivalente a 3*
• per un funzionamento robusto nelle reti di bias degli amplificatori di potenza e nelle applicazioni di blocco DC.Basso VCC e TCC:

Coefficiente di tensione inferiore a 50 ppm/V e coefficiente di temperatura inferiore a 30 ppm/°C mantengono l'accuratezza della capacità attraverso variazioni di bias e temperatura. Critico per circuiti sample-and-hold, filtri analogici di precisione e reti di serbatoio VCO in cui la stabilità della capacità determina direttamente le prestazioni del sistema.

Tecnologia e ProcessoL'HACC471S20V500 è prodotto utilizzando un processo per condensatori MIM monostrato

• su substrato di silicio ad alta resistività. Le caratteristiche chiave del processo includono:Metallizzazione in oro da 2,5 μm
• — bassa resistenza di foglio per perdite ohmiche minime, compatibile sia con la saldatura a filo a cuneo che a sfera (filo d'oro da 25 μm standard)Dielettrico SiO2 cresciuto termicamente
• (~20 nm) — uniformità e densità di difetti superiori rispetto agli ossidi depositati, con conseguente campo di breakdown più elevato (>10 MV/cm) e perdite inferioriSubstrato di silicio ad alta resistività
• (>1000 Ω·cm) — minimizza l'accoppiamento del substrato e le perdite per correnti parassite alle frequenze a microondeStruttura MIM monostrato — induttanza serie quasi nulla (
• < 50 pH), eliminando l'auto-risonanza al di sotto dei 20 GHzOpzione di metallizzazione posteriore

— disponibile con metallo posteriore Au o AuSn per attacco die con epossidico conduttivo o eutettico

• ApplicazioniAccoppiamento di Impedenza RF:
• Capacità di precisione da 470 pF con tolleranza stretta per reti L-match, Pi-match e T-match accurate in moduli front-end di amplificatori di potenza, LNA e antenne da 100 MHz a 6 GHz.Blocco DC / Accoppiamento AC:
• Perdite ultra-basse e tensione di breakdown superiore a 60 V lo rendono adatto per il blocco DC nelle reti bias-T e per l'accoppiamento interstadio dove l'integrità dell'isolamento DC è critica.Circuiti Sample-and-Hold:<50ppm>
• Basso VCC (Risonatori di Serbatoio VCO:<30ppm> Basso TCC (
• 200 a 1MHz) minimizza il rumore di fase e la deriva di frequenza negli oscillatori controllati in tensione.Filtri a Pompa di Carica:
• Basse perdite preservano l'accuratezza della carica nei filtri di anello PLL e nei circuiti a condensatori commutati.Imaging Medico:
Adatto per la sintonia di trasduttori a ultrasuoni e l'accoppiamento di bobine riceventi MRI dove la stabilità parametrica nel tempo è essenziale.
• Qualità e AffidabilitàTest al 100% a livello di wafer:
• Ogni die testato per capacità, corrente di perdita alla tensione nominale e tensione di breakdownCaratterizzazione Q ed ESR a livello di campione:
• Per wafer, per lottoQualifica di affidabilità:
• HTOL (1000 ore @125°C, bias 20V), HAST (96 ore @130°C/85%UR), TC (-55°C a +125°C, 500 cicli)Produzione:
• Stabilimento certificato ISO 9001:2015, camera bianca Classe 100, tracciabilità completa del lottoMonitorato SPC:
• Capacità, perdite e tensione di breakdown tracciati con controllo statistico di processoDocumentazione:

Certificato di Conformità e mappa wafer inclusi in ogni spedizione

Informazioni Die e Packaging	Parametro
Specifiche	Dimensioni Die
500 μm * 500 μm (±25 μm)	Spessore Die
250 μm ±25 μm (standard), 150 μm su richiesta	Metallizzazione Superiore
2,5 μm Au, pad di connessione ≥ 80 μm * 80 μm	Metallizzazione Posteriore
Nessuna (standard), disponibile Au o AuSn	Passivazione
Si3N4, solo aperture pad	Consegna Die
Waffle pack o tape-and-reel (su richiesta)	Known Good Die (KGD)

Disponibile, consultare la fabbrica per le specifiche

Domande Frequenti

Qual è la differenza tra un condensatore MIM e un condensatore MOS?Un condensatore MIM (Metal-Insulator-Metal) utilizza uno strato dielettrico interposto tra due piastre metalliche, offrendo una linearità quasi ideale con VCC e TCC molto bassi. Un condensatore MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) utilizza il substrato semiconduttore come una piastra, che introduce una capacità di strato di svuotamento in serie che varia con la tensione di bias. L'HACC471S20V500 utilizza una vera struttura MIM

, non un tradizionale condensatore MOS, offrendo linearità e stabilità superiori rispetto ai condensatori MOS ad accumulazione/inversione. La designazione "MOS" riflette la sua compatibilità con i processi standard CMOS back-end-of-line su wafer di silicio.

Come si confronta l'HACC471S20V500 con i condensatori MLCC ceramici per applicazioni RF?Rispetto agli MLCC ceramici di capacità simile, l'HACC471S20V500 offre: (1) <50pH vs 200-500pH for MLCCs), eliminating self-resonance below 20GHz; (2) (nessun effetto piezoelettrico<30ppm> (nessun effetto piezoelettrico — nessun rumore microfonico; (4) integrazione a livello di die che consente interconnessioni più corte e parassiti ridotti nei moduli ibridi o multi-chip.

L'HACC471S20V500 è disponibile come Known Good Die (KGD)?

Sì, le opzioni KGD sono disponibili con screening aggiuntivo, tra cui: burn-in esteso, test elettrico a 3 temperature (-55°C, +25°C, +125°C) e ispezione visiva secondo MIL-STD-883. Si prega di contattare il nostro team di vendita per le specifiche e i prezzi KGD.

Quali parametri di saldatura a filo sono raccomandati?

Parametri raccomandati per filo d'oro da 25 μm (1 mil): saldatura a cuneo a temperatura di stadio 120-150°C, forza di saldatura 20-30g, potenza ultrasonica 60-80mW; o saldatura a sfera a 150°C, forza di saldatura 15-25g, potenza ultrasonica 40-60mW. Il pad di connessione è Au da 2,5 μm, apertura minima del pad 80 μm * 80 μm.

L'HACC471S20V500 può essere utilizzato sopra i 20 GHz?

Sì. Con un'induttanza serie inferiore a 50 pH, la frequenza di auto-risonanza (SRF) è ben al di sopra dei 30 GHz. La struttura monostrato garantisce un funzionamento senza risonanza fino alla banda Ka. Per applicazioni a onde millimetriche superiori a 30 GHz, si raccomanda una simulazione EM 3D completa utilizzando il nostro modello S-parameter (disponibile su richiesta) per tenere conto dei parassiti di montaggio.

Informazioni sull'Ordine
L'HACC471S20V500 è disponibile in volumi di produzione con un tempo di consegna standard di 2-4 settimane. Valori di capacità personalizzati (da 100 pF a 10 nF), tensioni nominali (da 10 V a 50 V) e dimensioni dei die sono disponibili su richiesta. Contattate il nostro team di vendita con le vostre specifiche target per una proposta di progettazione personalizzata.