RF Devreleri İçin 470pF 20V MOS Kapasitör SiO2 Dielektrik Düşük Kaçaklı Kapasitör

HACC471S20V500 470pF 20V RF Devreleri için MOS Kondansatör SiO2 Dielektrik

HACC471S20V500 470pF 20V Tek Katmanlı MIM MOS Kondansatör

Bu HACC471S20V500 hassas bir 470pF 20V tek katmanlı MIM (Metal-İzolatör-Metal) MOS kondansatördür yüksek dirençli silikon alt tabaka (>1000 Ω·cm) üzerine üretilmiştir. Termal olarak büyütülmüş SiO2 dielektrik ve 2.5μm altın metalizasyon ile üretilen bu cihaz, olağanüstü parametrik kararlılık, minimum parazitikler ve dökümhane sınıfı tekrarlanabilirlik gerektiren RF, mikrodalga ve milimetre dalga entegre devre uygulamaları için tasarlanmıştır.
Kompakt 500μm * 500μm kalıp üzerinde yaklaşık 1.88 fF/μm² kapasitans yoğunluğuna sahip HACC471S20V500, σ < 2% ile yonga seviyesinde kapasitans tekdüzeliği sağlar, bu da onu kanal-kanal eşleşmesinin kritik olduğu diferansiyel devre topolojileri ve faz dizili sistemler için ideal kılar.

Ana Elektriksel Özellikler

Ana Özellikler

• Mükemmel Tekdüzelik ve Kararlılık: 200mm yongalar boyunca σ < 2% ile yonga seviyesinde kapasitans dağılımı, çok kanallı RF ön uç modüllerinde tutarlı empedans eşleştirmesi sağlar. -55°C ila +125°C arasında doğrulanmış kararlı parametrik performans, 125°C'de 1000 saat HTOL testinde < 0.5% kapasitans sapması ile.
• Ultra Düşük Kaçak ve Yüksek Delinme Gerilimi: Termal olarak büyütülmüş SiO2 dielektrik, anma 20V biasında 1nA'nın altında kaçak akım sağlar ( 3* güvenlik marjı sağlar.
• Düşük VCC ve TCC: 50 ppm/V'un altındaki gerilim katsayısı ve 30 ppm/°C'nin altındaki sıcaklık katsayısı, bias ve sıcaklık değişimlerinde kapasitans doğruluğunu korur. Kapasitans kararlılığının doğrudan sistem performansını belirlediği örnekleme-tutma devreleri, hassas analog filtreler ve VCO tank ağları için kritiktir.

Teknoloji ve Süreç

HACC471S20V500, yüksek dirençli silikon alt tabaka üzerinde tek katmanlı MIM kondansatör süreci kullanılarak üretilir. Anahtar süreç özellikleri şunları içerir:

• 2.5μm altın metalizasyon — minimum ohmik kayıp için düşük tabaka direnci, hem kama hem de bilye tel bağlama ile uyumlu (25μm altın tel standart)
• Termal olarak büyütülmüş SiO2 dielektrik (~20nm) — depolanmış oksitlere kıyasla üstün tekdüzelik ve kusur yoğunluğu, daha yüksek delinme alanı (>10 MV/cm) ve daha düşük kaçak sağlar
• Yüksek dirençli silikon alt tabaka (>1000 Ω·cm) — mikrodalga frekanslarında alt tabaka kuplajını ve girdap akımı kayıplarını en aza indirir
• Tek katmanlı MIM yapısı — 20GHz'in altında sıfırın üzerinde kendi kendine rezonans sağlayan sıfıra yakın seri endüktans (< 50pH)
• Arka yüzey metalizasyon seçeneği — iletken epoksi veya ötektik kalıp yapıştırma için Au veya AuSn arka yüzey metali ile mevcuttur

Uygulamalar

• RF Empedans Eşleştirme: Hassas 470pF, 100MHz ila 6GHz arasındaki güç amplifikatörü, LNA ve anten ön uç modüllerinde doğru L-eşleştirme, Pi-eşleştirme ve T-eşleştirme ağları için sıkı tolerans sağlar.
• DC Engelleme / AC Kuplaj: Ultra düşük kaçak ve 60V+ delinme gerilimi, DC izolasyon bütünlüğünün kritik olduğu bias-T ağlarında DC engelleme ve ara kademe kuplajı için uygundur.
• Örnekleme-Tutma Devreleri: Düşük VCC (<50ppm>
• VCO Tank Rezonatörleri: Düşük TCC (<30ppm>1MHz'de 200) voltaj kontrollü osilatörlerde faz gürültüsünü ve frekans sapmasını en aza indirir.
• Yük Pompası Filtreleri: Düşük kaçak, PLL döngü filtrelerinde ve anahtarlamalı kapasitör devrelerinde yük doğruluğunu korur.
• Tıbbi Görüntüleme: Ultrason transdüser ayarı ve MRI alıcı bobin eşleştirmesi için uygundur, burada sıcaklık boyunca parametrik kararlılık esastır.

Kalite ve Güvenilirlik

• 100% yonga seviyesi testi: Her kalıp kapasitans, anma geriliminde kaçak akım ve delinme gerilimi için test edilir
• Örnek seviyesi Q ve ESR karakterizasyonu: Yonga başına, parti başına
• Güvenilirlik yeterliliği: HTOL (1000 saat @125°C, 20V bias), HAST (96 saat @130°C/85%RH), TC (-55°C ila +125°C, 500 döngü)
• Üretim: ISO 9001:2015 sertifikalı tesis, Sınıf 100 temiz oda, tam parti izlenebilirliği
• SPC izlenir: Kapasitans, kaçak ve delinme gerilimi istatistiksel süreç kontrolü ile izlenir
• Belgelendirme: Her sevkiyatla birlikte Uygunluk Sertifikası ve yonga haritası dahildir

Kalıp ve Paketleme Bilgileri

Parametre	Özellik
Kalıp Boyutu	500μm * 500μm (±25μm)
Kalıp Kalınlığı	250μm ±25μm (standart), talep üzerine 150μm
Üst Metalizasyon	2.5μm Au, bağlama pedi ≥ 80μm * 80μm
Arka Yüzey Metalizasyonu	Yok (standart), Au veya AuSn mevcuttur
Pasivasyon	Si3N4, sadece ped açıklıkları
Kalıp Teslimatı	Waffle paketi veya bant-makara (talep üzerine)
Bilinen İyi Kalıp (KGD)	Mevcut, özellikler için fabrika ile iletişime geçin

Sıkça Sorulan Sorular

Bir MIM kondansatör ile bir MOS kondansatör arasındaki fark nedir?

Bir MIM (Metal-İzolatör-Metal) kondansatör iki metal plaka arasına sıkıştırılmış bir dielektrik katman kullanır, çok düşük VCC ve TCC ile neredeyse ideal doğrusallık sunar. Bir MOS (Metal-Oksit-Yarı İletken) kondansatör bir plaka olarak yarı iletken alt tabakayı kullanır, bu da bias gerilimine göre değişen bir tükenme tabakası kapasitansını seri olarak ekler. HACC471S20V500, gerçek bir MIM yapısı kullanır, geleneksel bir MOS kondansatör değil, MOS birikim/ters çevirme kondansatörlerine kıyasla üstün doğrusallık ve kararlılık sağlar. "MOS" tanımı, silikon yongalar üzerindeki standart CMOS hat sonu süreçleriyle uyumluluğunu yansıtır.

HACC471S20V500, RF uygulamaları için seramik MLCC kondansatörlerle nasıl karşılaştırılır?

Benzer kapasitanslı seramik MLCC'lere kıyasla HACC471S20V500 şunları sunar: (1) neredeyse sıfır ESL (<50pH vs 200-500pH for MLCCs), eliminating self-resonance below 20GHz; (2) üstün TCC (<30ppm>sıfır piezoelektrik etki — mikrofonik gürültü yok; (4) kalıp seviyesi entegrasyonu hibrit veya çoklu kalıp modüllerinde daha kısa ara bağlantılar ve azaltılmış parazitikler sağlar.

HACC471S20V500 Bilinen İyi Kalıp (KGD) olarak mevcut mu?

Evet, KGD seçenekleri ek tarama ile mevcuttur: uzatılmış yanma, 3 sıcaklıkta elektriksel test (-55°C, +25°C, +125°C) ve MIL-STD-883'e göre görsel inceleme. Lütfen KGD özellikleri ve fiyatlandırması için satış ekibimizle iletişime geçin.

Hangi tel bağlama parametreleri önerilir?

25μm (1mil) altın tel için önerilen parametreler: 120-150°C tabla sıcaklığında kama bağlama, 20-30g bağlama kuvveti, 60-80mW ultrasonik güç; veya 150°C'de bilye bağlama, 15-25g bağlama kuvveti, 40-60mW ultrasonik güç. Bağlama pedi 2.5μm Au, minimum ped açıklığı 80μm * 80μm.

HACC471S20V500 20GHz'in üzerinde kullanılabilir mi?

Evet. 50pH'nin altındaki seri endüktans ile kendi kendine rezonans frekansı (SRF) 30GHz'in oldukça üzerindedir. Tek katmanlı yapı, Ka-bandı boyunca rezonanssız çalışma sağlar. 30GHz'in üzerindeki milimetre dalga uygulamaları için, montaj parazitiklerini hesaba katmak üzere S-parametre modelimizi (talep üzerine mevcuttur) kullanarak tam bir 3D EM simülasyonu önerilir.

Sipariş Bilgileri

HACC471S20V500, standart 2-4 haftalık teslim süresi ile üretim hacimlerinde mevcuttur. Özel kapasitans değerleri (100pF ila 10nF), gerilim dereceleri (10V ila 50V) ve kalıp boyutları talep üzerine mevcuttur. Özel bir tasarım teklifi için hedef spesifikasyonunuzla satış ekibimizle iletişime geçin.
Numune, veri sayfası veya fiyat teklifi istemek için bugün bizimle iletişime geçin.