HongAn Microwave Co., Ltd.
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Einzelheiten zu den Produkten

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MOS Kondensatoren
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Ultra Low Noise MOS Capacitor HACC101S30V220 22pF 30V Hot Carrier Noise Control for LNA

Ultra Low Noise MOS Capacitor HACC101S30V220 22pF 30V Hot Carrier Noise Control for LNA

Ultra Low Noise MOS Capacitor HACC101S30V220 22pF 30V Hot Carrier Noise Control for LNA

Markenname: Hoan
Modellnummer: HACC101S30V220
Mindestbestellmenge: 10 Stück
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T
Detailinformationen
Produkt-Beschreibung
Detailinformationen
Herkunftsort:
Shaanxi, China
Zertifizierung:
ISO 9001:2015, RoHS
Top-Metallisierung:
Au, 2,5 um min
Rückseitenmetallisierung:
Au, 1,0 um min
Betriebstemperatur:
-55°C bis +125°C
RoHS:
Konform mit EU 2015/863
ESD-Klasse:
Klasse 0 (HBM)
Montageart:
Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung
Hervorheben:

Ultra Low Noise MOS Capacitor

,

HACC101S30V220 22pF MOS Capacitor

,

30V MOS Capacitor for LNA

Produkt-Beschreibung
Ultra Low Noise MOS Capacitor HACC101S30V220 22pF 30V Summary: The HACC101S30V220 is a 22 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor built on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. It is designed for ultra-low noise amplifier (LNA) input matching and DC blocking, where component noise and interface behaviour determine the receiver noise figure. Overview The HACC101S30V220 uses a single-layer MOS structure instead of
Umbauten: 

SLC Kondensator  

Wirkstoffverbindungskondensator  

Einlager-Keramikkondensator

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