HongAn Microwave Co., Ltd.
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
يقتبس
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
المنزل
حولنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
التعليمات
منتجات

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء

مكثفات MOS

مكثف أحادي الطبقة
أخبار
اتصل بنا
يقتبس
المنزل
حولنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
التعليمات
منتجات

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء

مكثفات MOS

مكثف أحادي الطبقة
أخبار
اتصل بنا
يقتبس

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

Ultra Low Noise MOS Capacitor HACC101S30V220 22pF 30V Hot Carrier Noise Control for LNA

Ultra Low Noise MOS Capacitor HACC101S30V220 22pF 30V Hot Carrier Noise Control for LNA

Ultra Low Noise MOS Capacitor HACC101S30V220 22pF 30V Hot Carrier Noise Control for LNA

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HACC101S30V220
موك: 10 قطع
شروط الدفع: خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T
معلومات مفصلة
وصف المنتج
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS
أعلى المعدنة:
الاتحاد الأفريقي، 2.5 أم دقيقة
تعدين المؤخر:
الاتحاد الأفريقي، 1.0 أم دقيقة
درجة حرارة التشغيل:
-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
بنفايات:
متوافقة مع معايير الاتحاد الأوروبي 2015/863
فئة البيئة والتنمية المستدامة:
الفئة 0 (HBM)
نوع التركيب:
سلك قابل للربط / مرفق بالقالب سهل الانصهار
إبراز:

Ultra Low Noise MOS Capacitor

,

HACC101S30V220 22pF MOS Capacitor

,

30V MOS Capacitor for LNA

وصف المنتج
Ultra Low Noise MOS Capacitor HACC101S30V220 22pF 30V Summary: The HACC101S30V220 is a 22 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor built on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. It is designed for ultra-low noise amplifier (LNA) input matching and DC blocking, where component noise and interface behaviour determine the receiver noise figure. Overview The HACC101S30V220 uses a single-layer MOS structure instead of
العلامات: 

مكثف SLC,المكثف القابل للاتصال بالأسلاك,مكثف سيراميكي من طبقة واحدة  

Wire Bondable Capacitor  

Single Layer Ceramic Capacitor

منتجات ذات صلة
مكثفات MOS ذات جهد انهيار عالٍ، فائقة الصغر، تسرب منخفض، 50 فولت، قابلة للربط بالسلك، مكثف شريحة SLC

مكثفات MOS ذات جهد انهيار عالٍ، فائقة الصغر، تسرب منخفض، 50 فولت، قابلة للربط بالسلك، مكثف شريحة SLC

احصل على أفضل سعر
مكثف رقاقة الراديو الراديوي المخصص مكثف الفضاء المتصلب الإشعاعي الرقمي

مكثف رقاقة الراديو الراديوي المخصص مكثف الفضاء المتصلب الإشعاعي الرقمي

احصل على أفضل سعر
النماذج الأولية السريعة مكثفات MOS التخصيص المرن 10 pF مكثفات صديقة للبيئة سلسلة التوريد المتوافقة مع الشريحة

النماذج الأولية السريعة مكثفات MOS التخصيص المرن 10 pF مكثفات صديقة للبيئة سلسلة التوريد المتوافقة مع الشريحة

احصل على أفضل سعر
استجابة Q مسطحة مكثف ESR منخفض الامتصاص الكهربائي المنخفض للغاية مكثف رقاقة السيراميكية على الجانب الخلفي

استجابة Q مسطحة مكثف ESR منخفض الامتصاص الكهربائي المنخفض للغاية مكثف رقاقة السيراميكية على الجانب الخلفي

احصل على أفضل سعر
مكثفات MOS ذات الخسائر المنخفضة للغاية TCC ممتازة VCC استقرار 100pF 50V مكثف Q عالي عند RF

مكثفات MOS ذات الخسائر المنخفضة للغاية TCC ممتازة VCC استقرار 100pF 50V مكثف Q عالي عند RF

احصل على أفضل سعر