Kundenspezifischer High-Q-Ultra-Low-ESL-470-pF-MOS-Kondensator-Drahtbond-Einzelschichtchip für HF-Mikrowellenschaltungen

HACC471S20V500 Custom High Q Ultra-Low ESL MOS Kondensator 470pF 20V Drahtverbindbarer Einzelschichtchip

DieHACC471S20V500ist ein leistungsfähiger, vollständig anpassbarer EinlagemOS-Kondensator, hergestellt auf einem hochresistiven Float-Zone-Silizium-Substrat (> 1000 Ohm·cm) mit 300 nm thermisch gewachsenem SiO₂Dies ist eine dielektrische Vorrichtung, die bei 470 pF ± 10% bei 20 V Gleichspannung mit Dauerbetriebsspannung ausgestattet ist.Hoher Q-Faktor,Ultra-niedrige ESL/ESR,Außergewöhnliche Kapazitätstabilität, undWire-Bondable Top-Kontaktin einer kompakten 0,50*0,50*0,15 mm großen Verpackung.Die doppelseitige Grenzarchitektur (Margin) verhindert leitfähige Epoxidharten während der Anbringung, während sie eine klare visuelle Referenz für die automatisierte Ausrichtung von Drahtbindern bietetErhältlich als Standardkatalogprodukt mit vollständigen Anpassungsmöglichkeiten für Kapazität, Toleranz, Spannungsbewertung, Chipgeometrie,und Rückseite Metallisierung Ihre spezifischen RF-Schaltkreis Anforderungen entsprechen.

Wichtige Leistungsvorteile

1. Hoher Q-Faktor und ultra-niedrige ESL/ESR für die HF-Leistung

Die einlagige Koaxialstromanlage eliminiert grundsätzlich die parasitären Induktivitäts- und Widerstandsmechanismen, die die Leistung von MLCC bei GHz-Frequenzen beeinträchtigen.Strom fließt vertikal von der oberen Goldelektrode durch das SiO₂Die Elektrizität wird durch die dielektrische Verbindung zur hinteren Bodenfläche verringert. Eine Streckenlänge von nur 0,15 mm ohne interne Elektroden, keine Durchgänge und keine serpentinen Routen.

• Q-Faktor> 2000 bei 1MHz, > 200 bei 1GHz
• Intrinsische Chip-ESL:< 0,05nH 10* niedriger als die gleichwertige Kapazität 0402 MLCC
• ESR bei 1 GHz:<0,1 Ohm 5-15* Verbesserung gegenüber vergleichbaren MLCC
• Selbstresonanzfrequenz (SRF):> 2 GHz Chip-Level, > 800 MHz System-Level mit einem einzigen 25 μm Bindungsdraht
• Verlustfaktor:≤ 0,15% bei 1 kHz ≥ 0,15% der in Wärme umgewandelten HF-Energie

Bei Gigahertz-Frequenzen wird der Kondensator Q zum dominierenden Verlustmechanismus in Impedanz-Matching-Netzwerken.2GHz) Leistungsverstärker-Ausgabe übereinstimmt, erhält der Kondensator im Vergleich zu einem MLCC mit gleichwertiger Kapazität 0,3-0,8 dB Durchschnittsverlust pro passendem Element zurück, was ein entscheidender Vorteil für die Erreichung der Effizienzziele des Senders ist.

2Außergewöhnliche Kapazitätsstabilität bei Temperatur und Spannung

Der paraelektrische keramische Dielektrikum der Klasse I COG/NPO (C0G/NP0) gewährleistet eine gleichbleibende Stabilität unter allen Betriebsbedingungen:

• Temperaturkoeffizient (TCC):0 ± 30 ppm/°C über -55°C bis +125°C
• Gleichspannungskoeffizient (VCC):< 10 ppm/V COG/NPO unterhält eine gleichbleibende Bypassimpedanz unter allen Verzerrungsbedingungen
• Null Alterungseffekt:Keine ferroelektrischen Bereiche
• Niedrige dielektrische Absorption:< 0,1% Vernachlässigbarer Speichereffekt in Proben- und Halte- und Präzisionsintegrator-Schaltungen

Für bias tee, VCO-Tank und aktive Bias-Netzwerk-Designs beseitigt diese Stabilität die Notwendigkeit für komplexe Temperaturkompensations-Varactor-Tuning und bias-abhängige Kapazitätsabschätzungstabellen.

3. Wire-Bondable Top Kontakt für Chip-Scale-Verpackungen

Die oberste Elektrode verfügt über einen fortschrittlichen mehrschichtigen Sputter-Dünnschichtmetallisierungstapel TaN/TiW/Ni/Aumit einer Golddicke von mindestens 2,5 μm speziell für zuverlässige, hochleistungsfähige thermosonische Drahtverbindungen konstruiert:

• Au-Bond-Oberfläche von 2,5 μm Dicke:Die zart goldene Schicht absorbiert 40-100mW Ultraschallbindungsenergie.Verteilung auf die gesamte Pad-Fläche ohne Übertragung schädlicher Spannungen auf das keramische Substrat
• Weites Prozessfenster:Kompatibel mit 25 μm Au-Thermosonische Kugelbindung (Stufe 120-150 °C, 15-35gf Kraft, 40-80mW Ultraschall) und 25 μm Al-Ultraschall-Keilbindung
• Anziehkraft der Bindung:> 6gf typisch für 25μm Au-Draht übersteigt die Anforderungen der MIL-STD-883 Methode 2011.7 für die Qualifizierung einer Waferpartie
• TaN-Adhäsionsschicht:Ultraschwere chemische Bindung an Keramikdielektrika verhindert die Elektrodendelamination bei schnellen thermischen Kreisläufen (-55 °C bis +125 °C, ΔT=180 °C)
• Ni-Schranke:Verhindert die Auslaugung von Gold in bleifreie Lötungen während des eutiktischen Rückflusses

Die doppelseitige Grenzarchitektur platziert einen unmetallisierten Keramikrand um die oberen und unteren Elektroden.die Epoxidbindung während der Druckdichtung und eine klare optische Bezugsrahmen für die automatisierte Bindung ermöglicht .

Anpassungsplattform

Der HACC471S20V500 basiert auf einer konfigurierbaren MOS-Kondensatorplattform.

Technische Spezifikation

Typische Anwendungen

• 5G NR FR1/FR2 Leistungsverstärker Gleichspannungsblockade und Impedanzmatching
• GaN-on-SiC HEMT Bias Netzwerk Entkopplung (28-50V Abflussversorgung)
• Modul T/R mit Phasen-Array-Kopplung und Umgehung zwischen den Stufen
• Optische Transceiver DC-Blöcke (100G/400G/800G QSFP-DD, OSFP)
• VCO-Tankkreisläufe und Präzisionsresonatornetze
• Fahrzeugradar und V2X-HF-Front-Ends (76-81 GHz)
• Satellitenkommunikation im L-Band über Nutzlasten im Ka-Band

Schnelle Referenz zur Montage

• Die Anlage:Leitfähiges Silber-Epoxid (Epotek H20E, 120°C/30min Härtung) oder AuSn-Eutektisch (300-320°C, N2/H2).
• Wirbeverbindung:25 μm Au-Thermosonische Kugelbindung (Stufe 120-150 °C, Kraft 15-35 gf, Ultraschall 40-80 mW) oder 25 μm Al-Keilbindung bei Raumtemperatur
• Schuldverschreibung:Bindungslandung ≥ 25 μm von der Elektrodenkante entfernt
• AufbewahrungWaffelpack oder Gelpack in Stickstoffschrank bei 20-25°C, 40-60% RH. MSL 1: unbegrenzte Lebensdauer

Kontaktieren Sie uns noch heuteStandard 470pF Auswertungsproben versenden innerhalb von 1-2 Wochen.und Metallisierungsoptionen mit einer Vorlaufzeit von 3-4 WochenDie vollständige RoHS-, REACH- und halogenfreie Konformitätsdokumentation für jede Produktionssparte.