Puce à couche unique liable au fil de condensateur MOS à haute Q ultra-faible ESL 470 pF

HACC471S20V500 Condensateur ESL MOS ultra-faible Q élevé personnalisé 470pF 20V Puce monocouche connectable par fil

LeHACC471S20V500est un condensateur MOS monocouche hautes performances entièrement personnalisable, fabriqué sur un substrat de silicium à zone flottante à haute résistivité (> 1 000 Ohm·cm) avec du SiO développé thermiquement de 300 nm₂diélectrique. Évalué à 470pF ±10 % avec une tension de fonctionnement continue de 20 V CC, cet appareil combineFacteur Q élevé,ESL/ESR ultra-faibles,Stabilité de capacité exceptionnelle, etContact supérieur filairedans un boîtier compact à puce de 0,50*0,50*0,15 mm. L'architecture à bordure double face (marge) empêche les courts-circuits époxy conducteurs lors de la fixation de la matrice tout en fournissant une référence visuelle claire pour l'alignement automatisé des fils de liaison. Disponible en tant que produit de catalogue standard avec des options de personnalisation complètes pour la valeur de capacité, la tolérance, la tension nominale, la géométrie de la puce et la métallisation de l'arrière pour répondre aux exigences spécifiques de votre circuit RF.

Avantages clés en termes de performances

1. Facteur Q élevé et ESL/ESR ultra-faibles pour les performances RF

L'architecture du chemin de courant coaxial monocouche élimine fondamentalement les mécanismes parasites d'inductance et de résistance qui dégradent les performances du MLCC aux fréquences GHz. Le courant circule verticalement depuis l'électrode supérieure en or à travers le SiO₂diélectrique au plan de masse arrière — une longueur de trajet de seulement 0,15 mm sans électrodes internes, sans vias et sans routage en serpentin.

• Facteur Q :>2 000 à 1 MHz, >200 à 1 GHz — garantissant une perte de signal minimale dans les réseaux d'adaptation d'impédance
• ESL à puce intrinsèque :<0,05nH — 10* inférieur à la capacité équivalente 0402 MLCC
• ESR à 1 GHz :<0,1 Ohm – amélioration de 5 à 15 * par rapport aux MLCC comparables
• Fréquence d'auto-résonance (SRF) :Niveau puce > 2 GHz, niveau système > 800 MHz avec un seul fil de liaison de 25 µm
• Facteur de dissipation :≤0,15 % à 1 kHz — moins de 0,15 % de l'énergie RF convertie en chaleur

Aux fréquences gigahertz, le condensateur Q devient le mécanisme de perte dominant dans les réseaux d'adaptation d'impédance. L'ESR ultra-faible du HACC471S20V500 garantit que dans une correspondance de sortie d'amplificateur de puissance 5G n77 (3,3-4,2 GHz), le condensateur récupère 0,3-0,8 dB de perte traversante par élément correspondant par rapport à un MLCC de capacité équivalente — un avantage essentiel pour atteindre les objectifs d'efficacité de l'émetteur.

2. Stabilité de capacité exceptionnelle en fonction de la température et de la tension

Le diélectrique céramique paraélectrique COG/NPO (C0G/NP0) de classe I offre une stabilité constante dans toutes les conditions de fonctionnement :

• Coefficient de température (TCC) :0 ±30 ppm/°C sur -55°C à +125°C — variation de capacité inférieure à ±0,3 % sur toute la plage de températures de fonctionnement. 50* plus stable que le X7R (±15 %)
• Coefficient de tension de polarisation CC (VCC) :<10 ppm/V — changement de capacité proche de zéro de 0 V à la tension nominale maximale de 20 V. Contrairement aux diélectriques X7R/X5R qui perdent 30 à 80 % de leur capacité nominale sous polarisation CC, le COG/NPO maintient une impédance de dérivation constante dans toutes les conditions de polarisation.
• Effet de vieillissement zéro :Pas de domaines ferroélectriques : la capacité mesurée aujourd'hui est égale à la capacité mesurée dans 10 ans. Les diélectriques de classe II se dégradent de 3 à 5 % par décennie-heure
• Faible absorption diélectrique :<0,1 % – effet mémoire négligeable dans les circuits échantillonneurs-bloqueurs et intégrateurs de précision

Pour les conceptions de té de polarisation, de réservoir VCO et de réseau de polarisation active, cette stabilité élimine le besoin d'un réglage complexe du varactor de compensation de température et de tables de déclassement de capacité en fonction de la polarisation.

3. Contact supérieur filable pour emballage à l’échelle des puces

L'électrode supérieure est dotée d'un empilement avancé de métallisation de couches minces pulvérisées multicouches -TaN/TiW/Ni/Auavec une épaisseur d'or minimale de 2,5 µm — spécialement conçu pour une liaison de fils thermosoniques fiable et à haut rendement :

• Surface de liaison Au épaisse de 2,5 µm :La couche d'or ductile absorbe 40 à 100 mW d'énergie de liaison ultrasonique, la distribuant sur toute la zone du tampon sans transmettre de contraintes dommageables au substrat céramique — éliminant ainsi les modes de défaillance de liaison/cratération
• Large fenêtre de processus :Compatible avec le collage thermosonique à bille Au de 25 µm (étape 120-150 °C, force 15-35 gf, ultrasons 40-80 mW) et le collage par coin ultrasonique en Al de 25 µm
• Force de traction des liaisons :> 6 gf typique pour un fil Au de 25 µm — dépasse les exigences de la méthode MIL-STD-883 2011.7 par qualification de lot de plaquettes
• Couche d'adhésion TaN :La liaison chimique ultra-robuste au diélectrique céramique empêche le délaminage des électrodes lors de cycles thermiques rapides (-55°C à +125°C, ΔT=180°C)
• Couche barrière Ni :Empêche l'or de s'infiltrer dans les soudures sans plomb pendant la refusion eutectique de fixation de matrice

L'architecture à bordure double face place une marge en céramique non métallisée autour des électrodes supérieure et inférieure, fournissant un confinement époxy pendant la fixation de la puce et une référence optique claire pour le collage automatisé — éliminant les exigences d'orientation lors du prélèvement et du placement.

Plateforme de personnalisation – Concevez selon vos spécifications

Le HACC471S20V500 est construit sur une plate-forme de condensateurs MOS configurable. Nous proposons une personnalisation complète des paramètres suivants avec un délai de prototypage rapide :

Spécifications techniques

Applications typiques

• Amplificateur de puissance 5G NR FR1/FR2, blocage CC et adaptation d'impédance
• Découplage du réseau de polarisation HEMT GaN-on-SiC (alimentation de drain 28-50 V)
• Module T/R Phased-Array Couplage et dérivation inter-étages
• Blocs CC d'émetteur-récepteur optique (100G/400G/800G QSFP-DD, OSFP)
• Circuits de réservoir VCO et réseaux de résonateurs de précision
• Radar automobile et frontaux RF V2X (76-81 GHz)
• Communication par satellite en bande L via des charges utiles en bande Ka

Référence rapide de l'assemblage

• Attacher la matrice :Époxy d'argent conducteur (Epotek H20E, durcissement 120°C/30min) ou eutectique AuSn (300-320°C, N₂/H₂). La barrière inférieure Pt assure la compatibilité avec toutes les méthodes
• Liaison filaire :Liaison thermosonique à bille Au de 25 µm (étape 120-150 °C, force de 15 à 35 gf, ultrasons 40 à 80 mW) ou liaison par coin en Al de 25 µm à température ambiante
• Dégagement des obligations :Atterrissage de liaison ≥25 µm du bord de l’électrode. La marge en céramique fournit une référence optique
• Stockage:Pack de gaufres ou gel-pak dans une armoire à azote à 20-25°C, 40-60% HR. MSL 1 : durée de vie illimitée

Contactez-nous aujourd'huiavec vos spécifications cibles. Les échantillons d'évaluation standard de 470pF sont expédiés sous 1 à 2 semaines. Valeurs de capacité personnalisées, tensions nominales, géométries de puces et options de métallisation disponibles avec un délai de prototypage de 3 à 4 semaines. Documentation complète de conformité RoHS, REACH et sans halogène fournie par lot de production.