Alta tensión de ruptura personalizada Baja fuga 1000 pF MOS condensador ultra estable TCC Chip de cable de unión para el bypass de RF

HACC102S80V750 Condensador MOS de alto voltaje de avería personalizado 1000pF 80V TCC ultraestable Chip conectable por cable de baja fuga

ElHACC102S80V750Es un condensador MOS de una sola capa totalmente personalizable y de alta confiabilidad diseñado para aplicaciones que exigenAlto voltaje de ruptura,Corriente de fuga ultrabaja, yEstabilidad de capacitancia excepcional sobre temperatura y voltaje. Fabricado sobre sustrato de silicio de zona flotante de alta resistividad (>1000 ohmios·cm) con SiO cultivado térmicamente a 300 nm₂dieléctrico, este dispositivo ofrece una capacitancia de 1000 pF ±10 % a un voltaje de funcionamiento continuo de 80 V CC en un paquete compacto a escala de chip de 0,75 x 0,75 x 0,20 mm. La arquitectura con borde de doble cara (margen) garantiza la contención de epoxi y la referencia de alineación de unión de cables. El electrodo superior de TiW-Au con un espesor mínimo de oro de 2,5 µm proporciona una confiabilidad de unión de alambre superior, mientras que la parte posterior de TiW-Pt-Au con barrera de difusión de platino (Pt) permite compatibilidad universal de fijación de matrices con procesos de epoxi conductor, eutéctico AuSn y Ag sinterizado. Disponible con personalización completa del valor de capacitancia, clasificación de voltaje, geometría del chip, tipo de dieléctrico y pila de metalización para cumplir con sus requisitos exactos de circuito de RF.

Ventajas clave de rendimiento

1. Alto voltaje de ruptura y corriente de fuga ultrabaja

La ruptura dieléctrica es uno de los mecanismos de falla de campo más comunes en capacitores de chip que operan a voltaje elevado. El HACC102S80V750 elimina este riesgo mediante márgenes de diseño conservadores y SiO térmico de alta calidad.₂dieléctrico:

• Tensión nominal:80 V CC continuo: adecuado para redes de polarización de drenaje de amplificadores de potencia GaN que funcionan a 28-50 V con margen sustancial para transitorios de suministro y reflexiones de desajuste de carga.
• Tensión de resistencia dieléctrica (DWV):>200 VCC (clasificación >2,5*): 100 % de producción probada en cada matriz. Supera la pauta de reducción de 2* recomendada por los estándares de confiabilidad de la industria para aplicaciones de alta confiabilidad
• Corriente de fuga:<10 nA a 25 °C, <100 nA a 125 °C: excepcionalmente bajo incluso a la temperatura nominal máxima. Medido con polarización total de 80 VCC
• Distribución uniforme de campo:A diferencia de los MLCC, donde los bordes internos de los electrodos concentran campos eléctricos creando un riesgo de descarga parcial, la estructura plana de metal-aislante-semiconductor del capacitor MOS proporciona una distribución uniforme del campo en toda el área del capacitor.
• Ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB):>10 años de vida útil a 125 °C y voltaje nominal: verificado mediante pruebas de vida acelerada

Para el diseñador de circuitos, esto significa bloqueo de CC confiable y derivación de RF sin necesidad de apilar en serie múltiples capacitores de bajo voltaje, lo que reduce el número de componentes, la complejidad del ensamblaje y el apilamiento de tolerancia acumulativa. El margen de voltaje de 2,5* absorbe transitorios de suministro, reflejos de desajuste de carga y cambios de polarización de CC que desafiarían a los capacitores de menor calificación.

2. Estabilidad de capacitancia excepcional sobre temperatura y voltaje

La capacitancia que varía con la temperatura o la polarización de CC crea problemas en cascada en los circuitos de RF de precisión: las frecuencias VCO se desvían, las redes coincidentes se desafinan, las frecuencias de las esquinas del filtro cambian. El dieléctrico cerámico paraeléctrico COG/NPO (C0G/NP0) Clase I del HACC102S80V750 proporciona estabilidad constante:

• Coeficiente de temperatura (TCC):0 ±30 ppm/°C entre -55 °C y +125 °C: variación de capacitancia inferior a ±0,3 % en todo el rango de temperatura de 180 °C. Esto es 50* más estable que el X7R de Clase II (±15%) y 100* más estable que el X5R (±15% en un rango más estrecho)
• Coeficiente de voltaje de polarización de CC (VCC):<10 ppm/V: cambio de capacitancia casi nulo de 0 V a voltaje nominal completo de 80 V. Los dieléctricos X7R/X5R pierden entre el 30 y el 80 % de la capacitancia nominal bajo polarización de CC debido a la sujeción del dominio ferroeléctrico; COG/NPO es paraeléctrico y mantiene una impedancia de derivación constante en todos los niveles de polarización.
• Efecto de envejecimiento cero:Sin dominios ferroeléctricos: la capacitancia es estable durante toda la vida útil del producto. Los condensadores de clase II se degradan logarítmicamente (3-5% por década-hora) a medida que los dominios ferroeléctricos se relajan. Un condensador medido a 100 nF después del reflujo puede leer 85 nF después de 10 000 horas; el HACC102S80V750 elimina este mecanismo de deriva por completo
• Baja absorción dieléctrica:<0,1 %: minimiza los efectos de la memoria de carga en aplicaciones de muestreo y retención y de integración de precisión

Para sistemas aeroespaciales y de defensa con vidas útiles de varias décadas, la característica de envejecimiento cero de COG/NPO elimina un mecanismo crítico de deriva de capacitancia a largo plazo que de otro modo requeriría recalibración periódica o reemplazo de componentes.

3. Contacto superior unible por alambre con metalización multicapa

El electrodo superior presenta una avanzada pila de metalización de película delgada pulverizada de cuatro capas:Tan/TiW/Ni/Aucon un espesor mínimo de oro de 2,5 µm, lo que proporciona una unión de cables robusta y de alto rendimiento en entornos de ensamblaje automatizados:

• Capa de adhesión TaN:Forma el enlace químico de bloqueo de óxido más fuerte conocido con el dieléctrico cerámico, evitando la delaminación del electrodo bajo ciclos térmicos rápidos (ΔT=180°C)
• Barrera de difusión TiW:Una barrera amorfa densa evita la migración de contaminantes de silicio o sustrato hacia la capa de oro, eliminando la formación intermetálica frágil en la interfaz de unión.
• Capa Antilixiviación de Ni:Completamente insoluble en soldaduras AuSn y sin plomo: preserva la integridad de la unión durante el reflujo de unión del troquel eutéctico a alta temperatura.
• Superficie de enlace Au (≥2,5 µm):El oro espeso y dúctil absorbe mecánicamente una energía de unión ultrasónica de 40 a 100 mW, lo que evita los modos de falla de unión directa o formación de cráteres. Fuerza de tracción de la unión >6 gf para alambre de Au de 25 µm, superando el método MIL-STD-883 2011.7

La huella de 0,75*0,75 mm proporciona una generosa área de unión de cables, que admite múltiples uniones paralelas para reducir la inductancia en aplicaciones de alta corriente. Compatible con unión de bolas termosónicas de Au de 18-25 µm y unión de cuña ultrasónica de Al de 25-33 µm.

Plataforma de personalización: diseñada según sus especificaciones

El HACC102S80V750 está construido sobre nuestra plataforma de condensadores MOS configurables. Ofrecemos personalización completa con una rápida producción de prototipos:

Especificaciones técnicas

Aplicaciones típicas

• Desacoplamiento de polarización de drenaje del amplificador de potencia HEMT GaN-on-SiC (suministro de 28-50 V)
• Filtrado de salida del convertidor CC-CC de alto voltaje
• Amplificador de potencia de RF Bloqueo de CC en redes en T polarizadas
• Almacenamiento y derivación de energía de energía pulsada
• Desacoplamiento del suministro de alto voltaje del módulo T/R Phased-Array
• Distribución de energía del bus de comunicaciones por satélite (LEO/MEO/GEO)
• Coincidencia de generador de plasma RF industrial (bandas ISM de 13,56/27,12 MHz)
• Desacoplamiento de alto voltaje de la electrónica ATE Pin
• Módulos V2X y radar automotriz (76-81 GHz, compatible con AEC-Q200)

Referencia rápida de ensamblaje

• Adjuntar troquel:Epoxi de plata conductora (Epotek H20E, curado a 120 °C/30 min), soldadura eutéctica AuSn (300-320 °C, gas formador N₂/H₂) o Ag sinterizado para aplicaciones de alta temperatura. La barrera inferior Pt garantiza compatibilidad universal
• Unión de cables:Unión de bolas termosónicas de Au de 25 µm (etapa de 120-150 °C, fuerza de 15-35 gf, ultrasonido de 40-80 mW, fuerza de tracción >6 gf) o unión de cuña ultrasónica de Al de 25 µm a temperatura ambiente. Múltiples enlaces paralelos para corriente RF >1A RMS
• Liquidación de bonos:Conexión de aterrizaje ≥25 µm desde el borde del electrodo. El margen cerámico proporciona una referencia óptica inequívoca para los sistemas de visión automatizados de unión de cables
• Almacenamiento:Paquete de gofres o gel-pak en gabinete de nitrógeno a 20-25 °C, 40-60 % de humedad relativa. MSL 1: vida útil ilimitada del piso a ≤30°C/85%RH. Vida útil garantizada de 1 año en condiciones óptimas.

Contáctanos hoycon sus requisitos de voltaje, capacitancia y geometría. Las muestras de evaluación estándar de 1000 pF y 80 V se envían en un plazo de 1 a 2 semanas. Clasificaciones de voltaje personalizadas (hasta 500 V en una sola capa, 1000 V apilados), valores de capacitancia, dimensiones de chip y opciones de metalización disponibles con un plazo de entrega de prototipos de 3 a 4 semanas. RoHS completo, REACH, documentación de cumplimiento libre de halógenos, datos de parámetros S e informes de trazabilidad de lotes proporcionados por lote de producción.