Alta tensão de ruptura personalizada, baixo vazamento, 1000 pF MOS, capacitor ultra estável, fio TCC, chip bondável para desvio de RF

Hacc102s80v750 capacitor mos de alta tensão de decomposição personalizado 1000pf 80v ultra-estável tcc chip bondável de baixo vazamento

OHACC102S80V750é um capacitor MOS de camada única totalmente personalizável e de alta confiabilidade, projetado para aplicações que exigemAlta tensão de ruptura,Corrente de fuga ultrabaixa, eEstabilidade excepcional de capacitância em relação à temperatura e tensão. Fabricado em substrato de silício de zona flutuante de alta resistividade (> 1000 Ohm · cm) com SiO 300 nm cultivado termicamente₂dielétrico, este dispositivo fornece capacitância de 1000pF ±10% a tensão de operação contínua de 80V DC em um pacote compacto em escala de chip de 0,75*0,75*0,20mm. A arquitetura com borda dupla (margem) garante contenção de epóxi e referência de alinhamento de ligação de fio. O eletrodo superior TiW-Au com espessura mínima de ouro de 2,5 µm fornece confiabilidade de ligação de fio superior, enquanto a parte traseira TiW-Pt-Au com barreira de difusão de platina (Pt) permite compatibilidade universal de fixação de matriz com processos de epóxi condutor, eutético AuSn e Ag sinterizado. Disponível com personalização completa de valor de capacitância, classificação de tensão, geometria do chip, tipo dielétrico e pilha de metalização para atender aos requisitos exatos do seu circuito de RF.

Principais vantagens de desempenho

1. Alta tensão de ruptura e corrente de fuga ultrabaixa

A ruptura dielétrica é um dos mecanismos de falha de campo mais comuns em capacitores de chip operando em tensões elevadas. O HACC102S80V750 elimina esse risco através de margens de design conservadoras e SiO térmico de alta qualidade₂dielétrico:

• Tensão nominal:80 Vcc contínuo — adequado para redes de polarização de drenagem de amplificadores de potência GaN operando em 28-50 V com margem substancial para transientes de alimentação e reflexões de incompatibilidade de carga
• Tensão suportável dielétrica (DWV):>200 Vcc (classificação >2,5*) — 100% de produção testada em cada matriz. Excede a diretriz de redução de 2* recomendada pelos padrões de confiabilidade do setor para aplicações de alta confiabilidade
• Corrente de fuga:<10nA a 25°C, <100nA a 125°C — excepcionalmente baixo mesmo na temperatura nominal máxima. Medido com polarização total de 80 Vcc
• Distribuição Uniforme de Campo:Ao contrário dos MLCCs, onde as bordas internas dos eletrodos concentram campos elétricos criando risco de descarga parcial, a estrutura planar de metal-isolante-semicondutor do capacitor MOS fornece distribuição de campo uniforme em toda a área do capacitor.
• Divisão Dielétrica Dependente do Tempo (TDDB):>10 anos de vida útil a 125°C e tensão nominal — verificada através de testes de vida útil acelerados

Para o projetista do circuito, isso significa bloqueio CC confiável e desvio de RF sem a necessidade de empilhamento em série de vários capacitores de baixa tensão – reduzindo a contagem de componentes, a complexidade da montagem e o empilhamento de tolerância cumulativa. A margem de tensão de 2,5* absorve transientes de alimentação, reflexões de incompatibilidade de carga e mudanças de polarização CC que desafiariam capacitores de classificação mais baixa.

2. Estabilidade de capacitância excepcional sobre temperatura e tensão

A capacitância que varia com a temperatura ou polarização CC cria problemas em cascata em circuitos de RF de precisão: as frequências do VCO oscilam, as redes correspondentes são dessintonizadas, as frequências dos cantos do filtro mudam. O dielétrico cerâmico paraelétrico Classe I COG/NPO (C0G/NP0) do HACC102S80V750 fornece estabilidade consistente:

• Coeficiente de Temperatura (TCC):0 ±30 ppm/°C entre -55°C e +125°C — variação de capacitância abaixo de ±0,3% em toda a faixa de temperatura de 180°C. Isto é 50* mais estável que o X7R Classe II (±15%) e 100* mais estável que o X5R (±15% em uma faixa mais estreita)
• Coeficiente de tensão de polarização DC (VCC):<10 ppm/V — mudança de capacitância quase zero de 0 V para tensão nominal total de 80 V. Os dielétricos X7R/X5R perdem 30-80% da capacitância nominal sob polarização CC devido ao aperto do domínio ferroelétrico; COG/NPO é paraelétrico e mantém impedância de bypass consistente em todos os níveis de polarização
• Efeito de envelhecimento zero:Sem domínios ferroelétricos – a capacitância é estável durante a vida útil do produto. Os capacitores de classe II degradam-se logaritmicamente (3-5% por década-hora) à medida que os domínios ferroelétricos relaxam. Um capacitor medido a 100nF após o refluxo pode ler 85nF após 10.000 horas - o HACC102S80V750 elimina totalmente esse mecanismo de desvio
• Baixa absorção dielétrica:<0,1% — minimiza os efeitos da memória de carga em aplicações de amostragem e retenção e integradores de precisão

Para sistemas de defesa e aeroespaciais com vida útil de várias décadas, a característica de envelhecimento zero do COG/NPO elimina um mecanismo crítico de desvio de capacitância de longo prazo que, de outra forma, exigiria recalibração periódica ou substituição de componentes.

3. Contato superior ligável por fio com metalização multicamadas

O eletrodo superior apresenta uma avançada pilha de metalização de película fina pulverizada de quatro camadas -TaN/TiW/Ni/Aucom espessura mínima de ouro de 2,5 µm — proporcionando ligação de fios robusta e de alto rendimento em ambientes de montagem automatizada:

• Camada de adesão TaN:Forma a ligação química bloqueadora de óxido mais forte conhecida com o dielétrico cerâmico, evitando a delaminação do eletrodo sob ciclos térmicos rápidos (ΔT=180°C)
• Barreira de Difusão TiW:A barreira amorfa densa evita a migração de contaminantes de silício ou substrato para a camada de ouro - eliminando a formação intermetálica frágil na interface de ligação
• Camada Anti-Lixiviação de Ni:Completamente insolúvel em AuSn e soldas sem chumbo — preserva a integridade da ligação durante o refluxo de fixação de matriz eutética em alta temperatura
• Superfície Au Bond (≥2,5 µm):O ouro espesso e dúctil absorve mecanicamente 40-100mW de energia de ligação ultrassônica, evitando modos de falha de ligação/crateras. Resistência à tração de ligação >6gf para fio Au de 25 µm — excedendo o Método MIL-STD-883 2011.7

A área de 0,75 x 0,75 mm fornece uma generosa área de ligação de fio, acomodando múltiplas ligações paralelas para indutância reduzida em aplicações de alta corrente. Compatível com colagem de esfera termossônica de Au de 18-25 µm e colagem de cunha ultrassônica de Al de 25-33 µm.

Plataforma de personalização — projetada de acordo com suas especificações

O HACC102S80V750 é construído em nossa plataforma de capacitor MOS configurável. Oferecemos personalização completa com rápido retorno de prototipagem:

Especificações Técnicas

Aplicações Típicas

• Desacoplamento de polarização de drenagem do amplificador de potência GaN-on-SiC HEMT (fonte de 28-50 V)
• Filtragem de saída do conversor DC-DC de alta tensão
• Bloqueio DC do amplificador de potência RF em redes Bias Tee
• Armazenamento e desvio de energia de energia pulsada
• Desacoplamento de alimentação de alta tensão do módulo Phased-Array T/R
• Distribuição de energia do barramento de comunicação via satélite (LEO/MEO/GEO)
• Correspondência de gerador de plasma RF industrial (bandas ISM de 13,56/27,12 MHz)
• Desacoplamento de alta tensão da ATE Pin Electronics
• Radar automotivo e módulos V2X (76-81GHz, compatível com AEC-Q200)

Referência rápida de montagem

• Morrer Anexar:Epóxi de prata condutor (Epotek H20E, 120°C/30min de cura), solda eutética AuSn (300-320°C, gás formador de N₂/H₂) ou Ag sinterizado para aplicações de alta temperatura. A barreira inferior Pt garante compatibilidade universal
• Ligação de fio:União de esfera termossônica de Au de 25µm (estágio de 120-150°C, força de 15-35gf, ultrassom de 40-80mW, força de tração >6gf) ou ligação de cunha ultrassônica de Al de 25µm em temperatura ambiente. Múltiplas ligações paralelas para corrente RF >1A RMS
• Liquidação de títulos:Fixação da ligação ≥25µm da borda do eletrodo. A margem cerâmica fornece referência óptica inequívoca para sistemas automatizados de visão de colagem de fios
• Armazenar:Embalagem de waffle ou gel-pak em câmara de nitrogênio a 20-25°C, 40-60% UR. MSL 1: vida útil ilimitada do piso a ≤30°C/85%RH. Prazo de validade garantido de 1 ano em condições ideais

Contate-nos hojecom seus requisitos de tensão, capacitância e geometria. Amostras de avaliação padrão 1000pF 80V são enviadas dentro de 1 a 2 semanas. Classificações de tensão personalizadas (até 500 V de camada única, 1000 V empilhados), valores de capacitância, dimensões do chip e opções de metalização disponíveis com prazo de entrega de prototipagem de 3 a 4 semanas. Documentação completa de conformidade com RoHS, REACH, livre de halogênio, dados de parâmetros S e relatórios de rastreabilidade de lote fornecidos por lote de produção.