Kundenspezifischer 1000 pF MOS-Kondensator mit hoher Durchbruchspannung und geringem Leckstrom, ultrastabiler, drahtbondbarer TCC-Chip für HF-Bypass

HACC102S80V750 Kundenspezifischer MOS-Kondensator mit hoher Durchbruchspannung, 1000 pF, 80 V, ultrastabiler, drahtbondbarer TCC-Chip mit geringer Leckage

DerHACC102S80V750ist ein hochzuverlässiger, vollständig anpassbarer Single Layer MOS-Kondensator, der für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurdeHohe Durchbruchspannung,Extrem niedriger Leckstrom, UndAußergewöhnliche Kapazitätsstabilität über Temperatur und Spannung. Hergestellt auf einem hochohmigen Float-Zone-Siliziumsubstrat (>1000 Ohm·cm) mit 300 nm thermisch gewachsenem SiO₂Dieses Gerät verfügt über ein Dielektrikum und liefert eine Kapazität von 1000 pF ±10 % bei einer Dauerbetriebsspannung von 80 V DC in einem kompakten Chip-Gehäuse von 0,75 x 0,75 x 0,20 mm. Die Double-Sided Bordered (Margin)-Architektur gewährleistet die Eindämmung des Epoxidharzes und die Ausrichtung der Drahtbonds. Die TiW-Au-Oberelektrode mit einer Golddicke von mindestens 2,5 µm sorgt für eine überragende Drahtbond-Zuverlässigkeit, während die TiW-Pt-Au-Rückseite mit Platin (Pt)-Diffusionsbarriere eine universelle Die-Attach-Kompatibilität mit leitfähigen Epoxid-, AuSn-Eutektikum- und Sinter-Ag-Prozessen ermöglicht. Erhältlich mit vollständiger Anpassung von Kapazitätswert, Spannungsnennwert, Chipgeometrie, Dielektrikumstyp und Metallisierungsstapel, um Ihre genauen HF-Schaltkreisanforderungen zu erfüllen.

Wichtige Leistungsvorteile

1. Hohe Durchbruchspannung und extrem niedriger Leckstrom

Der dielektrische Durchschlag ist einer der häufigsten Feldausfallmechanismen bei Chipkondensatoren, die mit erhöhter Spannung betrieben werden. Der HACC102S80V750 eliminiert dieses Risiko durch konservative Designspielräume und hochwertiges thermisches SiO₂Dielektrikum:

• Nennspannung:80 V DC kontinuierlich – geeignet für GaN-Leistungsverstärker-Drain-Bias-Netzwerke, die bei 28–50 V betrieben werden, mit erheblichem Spielraum für Versorgungstransienten und Lastungleichheitsreflexionen
• Spannungsfestigkeit (DWV):>200 V DC (>2,5* bewertet) – 100 % produktionsgeprüft auf jedem Chip. Übertrifft die von Industriezuverlässigkeitsstandards für hochzuverlässige Anwendungen empfohlene 2*-Reduzierungsrichtlinie
• Leckstrom:<10 nA bei 25 °C, <100 nA bei 125 °C – selbst bei maximaler Nenntemperatur außergewöhnlich niedrig. Gemessen bei voller Vorspannung von 80 V DC
• Gleichmäßige Feldverteilung:Im Gegensatz zu MLCCs, bei denen die inneren Elektrodenkanten elektrische Felder konzentrieren und das Risiko einer Teilentladung verursachen, sorgt die planare Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur des MOS-Kondensators für eine gleichmäßige Feldverteilung über die gesamte Kondensatorfläche
• Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlag (TDDB):>10 Jahre Lebensdauer bei 125 °C und Nennspannung – bestätigt durch beschleunigte Lebensdauertests

Für den Schaltungsdesigner bedeutet dies eine zuverlässige DC-Blockierung und HF-Bypass, ohne dass mehrere Kondensatoren mit niedrigerer Spannung in Reihe gestapelt werden müssen – wodurch die Anzahl der Komponenten, die Montagekomplexität und die kumulativen Toleranzstapel reduziert werden. Der Spannungsspielraum von 2,5* absorbiert Versorgungstransienten, Lastungleichheitsreflexionen und DC-Bias-Verschiebungen, die für Kondensatoren mit niedrigerer Nennleistung eine Herausforderung darstellen würden.

2. Außergewöhnliche Kapazitätsstabilität über Temperatur und Spannung

Kapazität, die mit der Temperatur oder der Gleichstromvorspannung schwankt, führt zu Kaskadenproblemen in Präzisions-HF-Schaltkreisen: VCO-Frequenzen wandern, Anpassungsnetzwerke verstimmen sich, Filtereckfrequenzen verschieben sich. Das paraelektrische Keramikdielektrikum der Klasse I COG/NPO (C0G/NP0) des HACC102S80V750 sorgt für konstante Stabilität:

• Temperaturkoeffizient (TCC):0 ±30 ppm/°C über -55 °C bis +125 °C – Kapazitätsschwankung unter ±0,3 % über die gesamte Temperaturspanne von 180 °C. Dies ist 50* stabiler als Klasse II X7R (±15 %) und 100* stabiler als X5R (±15 % über einen engeren Bereich)
• DC-Vorspannungskoeffizient (VCC):<10 ppm/V – nahezu keine Kapazitätsverschiebung von 0 V auf die volle Nennspannung von 80 V. X7R/X5R-Dielektrika verlieren 30–80 % der Nennkapazität unter Gleichstromvorspannung aufgrund der ferroelektrischen Domänenklemmung; COG/NPO ist paraelektrisch und sorgt bei allen Vorspannungspegeln für eine konstante Bypass-Impedanz
• Null-Aging-Effekt:Keine ferroelektrischen Domänen – die Kapazität bleibt während der gesamten Lebensdauer des Produkts stabil. Kondensatoren der Klasse II verschlechtern sich logarithmisch (3-5 % pro Dekadenstunde), wenn sich ferroelektrische Domänen entspannen. Ein Kondensator, der nach dem Reflow bei 100 nF gemessen wird, kann nach 10.000 Stunden 85 nF anzeigen – der HACC102S80V750 eliminiert diesen Driftmechanismus vollständig
• Geringe dielektrische Absorption:<0,1 % – minimiert Ladungsspeichereffekte bei Sample-and-Hold- und Präzisionsintegratoranwendungen

Bei Verteidigungs- und Luft- und Raumfahrtsystemen mit einer Lebensdauer von mehreren Jahrzehnten eliminiert die Nullalterungseigenschaft von COG/NPO einen kritischen langfristigen Kapazitätsdriftmechanismus, der andernfalls eine regelmäßige Neukalibrierung oder einen Komponentenaustausch erfordern würde.

3. Drahtbondbarer oberer Kontakt mit mehrschichtiger Metallisierung

Die obere Elektrode verfügt über einen fortschrittlichen vierschichtigen gesputterten Dünnfilm-Metallisierungsstapel –TaN/TiW/Ni/Aumit einer Golddicke von mindestens 2,5 µm – für robustes Drahtbonden mit hoher Ausbeute in automatisierten Montageumgebungen:

• TaN-Haftschicht:Bildet die stärkste bekannte oxidblockierende chemische Bindung zum Keramikdielektrikum und verhindert so die Delaminierung der Elektrode bei schnellen Temperaturwechseln (ΔT=180 °C).
• TiW-Diffusionsbarriere:Eine dichte amorphe Barriere verhindert die Migration von Silizium- oder Substratverunreinigungen in die Goldschicht und verhindert so die Bildung spröder intermetallischer Verbindungen an der Bindungsschnittstelle
• Ni-Anti-Auslaugungsschicht:Völlig unlöslich in AuSn und bleifreien Loten – bewahrt die Bindungsintegrität beim eutektischen Hochtemperatur-Die-Attach-Reflow
• Au-Bondoberfläche (≥2,5 µm):Dickes, duktiles Gold absorbiert mechanisch 40–100 mW Ultraschall-Bondenergie und verhindert so Durchbondungs-/Kraterbildungsfehler. Bindungszugfestigkeit >6 gf für 25 µm Au-Draht – übertrifft MIL-STD-883 Methode 2011.7

Die Grundfläche von 0,75 x 0,75 mm bietet eine großzügige Drahtbond-Pad-Fläche, die Platz für mehrere parallele Bonds bietet, um die Induktivität bei Hochstromanwendungen zu reduzieren. Kompatibel mit 18–25 µm Au Thermosonic Ball Bonding und 25–33 µm Al Ultraschall Wedge Bonding.

Anpassungsplattform – nach Ihren Vorgaben entwickelt

Der HACC102S80V750 basiert auf unserer konfigurierbaren MOS-Kondensatorplattform. Wir bieten vollständige Individualisierung mit schneller Prototypenerstellung:

Technische Spezifikationen

Typische Anwendungen

• GaN-auf-SiC-HEMT-Leistungsverstärker-Drain-Bias-Entkopplung (28-50-V-Versorgung)
• Ausgangsfilterung für Hochspannungs-DC/DC-Wandler
• DC-Blockierung von HF-Leistungsverstärkern in Bias-Tee-Netzwerken
• Gepulste Energiespeicherung und Bypass
• Phased-Array-T/R-Modul zur Entkopplung der Hochspannungsversorgung
• Stromverteilung über Satellitenkommunikationsbusse (LEO/MEO/GEO)
• Anpassung industrieller HF-Plasmageneratoren (13,56/27,12 MHz ISM-Bänder)
• ATE Pin Electronics Hochspannungsentkopplung
• Automotive-Radar- und V2X-Module (76–81 GHz, AEC-Q200-kompatibel)

Kurzanleitung zur Montage

• Matrizenbefestigung:Leitfähiges Silberepoxidharz (Epotek H20E, 120 °C/30 Min. Aushärtung), eutektisches AuSn-Lot (300–320 °C, N₂/H₂-Bildungsgas) oder gesintertes Ag für Hochtemperaturanwendungen. Die untere Pt-Barriere sorgt für universelle Kompatibilität
• Drahtbonden:25 µm Au Thermosonic Ball Bonding (120–150 °C Stufe, 15–35 gf Kraft, 40–80 mW Ultraschall, >6 gf Zugfestigkeit) oder 25 µm Al Ultraschall Wedge Bonding bei Raumtemperatur. Mehrere parallele Verbindungen für >1 A RMS-HF-Strom
• Anleihefreigabe:Bondlandung ≥25 µm von der Elektrodenkante entfernt. Der Keramikrand bietet eine eindeutige optische Referenz für automatisierte Wire-Bonder-Vision-Systeme
• Lagerung:Waffelpackung oder Gel-Pak im Stickstoffschrank bei 20–25 °C, 40–60 % relative Luftfeuchtigkeit. MSL 1: unbegrenzte Bodenlebensdauer bei ≤30°C/85%RH. 1 Jahr garantierte Haltbarkeit unter optimalen Bedingungen

Kontaktieren Sie uns noch heutemit Ihren Spannungs-, Kapazitäts- und Geometrieanforderungen. Standardmäßige 1000pF 80V-Evaluierungsmuster werden innerhalb von 1–2 Wochen versendet. Kundenspezifische Spannungswerte (bis zu 500 V einlagig, 1000 V gestapelt), Kapazitätswerte, Chipabmessungen und Metallisierungsoptionen sind mit einer Vorlaufzeit von 3–4 Wochen für die Prototypenerstellung verfügbar. Vollständige RoHS-, REACH- und Halogenfrei-Konformitätsdokumentation, S-Parameter-Daten und Chargenrückverfolgbarkeitsberichte für jede Produktionscharge.