| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HACC-PERSONALIZZAZIONE |
| MOQ: | 10 pezzi |
| Termini di pagamento: | L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union |
I processi di assemblaggio dei moduli RF, in particolare per le applicazioni ad alta affidabilità, includono passi di pulizia aggressivi: bagni ad ultrasuoni a 40 kHz a 60 °C in IPA, acqua deionizzata o rimuovitori di flusso acquoso.Induttori conici standard con un minimo di supporto strutturale con deformazioni di avvolgimentoL'HACC-CUSTOM-UP risolve questo problema con una matrice epossidica strutturale completa che incapsula l'intero avvolgimento conico.La matrice resiste a una forza di compressione > 5 N ed elimina il movimento del filo sotto vibrazioni da 10 gDopo 10 cicli consecutivi di pulizia ad ultrasuoni di 5 minuti a 40 kHz / 60 °C, lo spostamento di induttanza è mantenuto al di sotto del 2%, lo spostamento di DCR al di sotto del 2% e la forza di trazione del legame del filo rimane superiore a 3,0 g.L'epoxide è formulato con Tg superiore a 150°C e CTE abbinato al substrato del cliente garantendo che la matrice non si crepi o non si debonda durante il ciclo termico.
Lo sviluppo di prototipi RF è un processo iterativo: i valori di induttanza simulati raramente corrispondono al valore finale richiesto dopo l'estrazione parassitaria e la simulazione EM.Gli induttori conici tradizionali sono di geometria fissa. Il valore del prototipo è quello che èL'HACC-CUSTOM-UP lo modifica con un passo regolabile a mano: durante la fase di prototipo, il passo di avvolgimento è accessibile e può essere regolato manualmente con una risoluzione di 0,1 mm per turno,fornendo ±15% di gamma di taglio dell'induttanza senza riavvolgimentoIl processo di regolazione del passo è semplice: si diffondono o si comprimono giri con pinzette di precisione sotto un microscopio, si verifica lo spostamento di induttanza su un VNA,quindi bloccare il passo in secondi con adesivo adesivo UV-cureUna volta trovato il passo ottimale, la cura epossidica completa blocca il avvolgimento in modo permanente senza alcun cambiamento di induttanza durante il ciclo di cura.Ciò consente a un singolo induttore prototipo di coprire un intervallo di induttanza del 30%, riducendo drasticamente i cicli di iterazione dei prototipi.
La matrice epossidica strutturale è formulata per la corrispondenza del CTE con il substrato del cliente: ¢ allumina (6,7 ppm/°C), AlN (4,5 ppm/°C) o personalizzato ¢ con un ΔCTE inferiore a ±1,5 ppm/°C.Questo impedisce lo stress da matrice a substrato durante il ciclo termicoDopo 1.000 cicli da -55°C a +125°C, lo spostamento di induttanza rimane inferiore al 2%, l'integrità della matrice strutturale è mantenuta e non si osserva alcun debonding o crepa.
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Sopravvivenza ad ultrasuoni | 10 cicli, 5 minuti ciascuno, 40 kHz, 60°C, spostamento di induttanza < 2%, spostamento DCR < 2% |
| Compressione strutturale | > 5 N, nessuna deformazione dell'avvolgimento |
| Resistenza alle vibrazioni | 10 g, nessun movimento del filo, matrice intatta |
| Distanza regolabile a mano | Induttanza ± 15% mediante regolazione di passo, risoluzione 0,1 mm/torno |
| - Non è possibile. | Apparecchiature per la cura UV (< 30 sec) + cura epossidica completa, senza spostamento durante la cura |
| Corrispondenza CTE | Alumina 6,7 ppm/°C, AlN 4,5 ppm/°C o substrato del cliente |
| Ciclismo termico | 1,000 cicli -55/+125°C, spostamento di induttanza < 2%, non criccheggiamento della matrice |
| Tipo di incapsulazione | Epossidico strutturale ad alta Tg, Tg > 150°C, abbinato a CTE |
| Induttanza | 50 nH 500 nH, ±10% di fabbrica, ±15% sintonizzabile |
| Intervallo di frequenza | 100 MHz ∼40 GHz |
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